
- •Езжев а.С. Физические основы пластической деформации
- •6. Холодная пластическая деформация поликристалла
- •7. Деформация при повышенных температурах
- •8. Основные понятия и законы деформирования
- •9. Контактное трение
- •1. Кристаллическое строение вещества
- •1.1. Понятие кристаллической решетки. Модель кристалла
- •1.2. Типы кристаллической решетки, явление полиморфизма
- •Параметры решетки, базис, координационное число
- •В гексагональной плотноупакованной ячейке 17 атомов. На гпу ячейку
- •1.4 Плотность упаковки атомов в решетке
- •2. Индексация плоскостей и направлений
- •2.1. Индексация плоскостей
- •Индексация направлений
- •Точечные дефекты кристаллической решетки
- •3.1. Понятие кристаллической структуры, моно и поликристаллы
- •3.2. Вакансии, дислоцированные и примесные атомы
- •3.3. Движение атомов в кристалле, механизмы диффузии
- •4. Деформация монокристалла
- •Понятие напряжения и деформации
- •4.2. Механизм сдвиговой деформации
- •4.3. Напряжение сдвига атомных плоскостей
- •5. Дислокации
- •5.1. Понятие дислокации
- •Механизм перемещения дислокации
- •5.3. Плотность дислокаций
- •5.4. Краевая дислокация
- •5.5. Винтовая дислокация
- •. Смешанная дислокация
- •5.7. Контур и вектор Бюргерса
- •5.8. Размножение дислокаций при пластическом
- •6. Холодная пластическая деформация
- •6.1. Система скольжения
- •6.2. Внутрикристаллитная и межкристаллитная деформации
- •Нанокристаллические материалы
- •Полосчатость микроструктуры, текстура, остаточные напряжения
- •6.5. Упрочнение при холодной пластической деформации.
- •Деформация при повышенных температурах
- •7.1. Возврат и рекристаллизация
- •7.2. Объемная диаграмма рекристаллизации
- •Виды деформации при обработке давлением
- •8. Основные понятия и законы деформирования
- •8.1. Закон наименьшего сопротивления
- •8.2. Условие постоянства объема. Смещенный объем. Скорость деформации
- •8.3. Закон неравномерности деформаций и дополнительных
- •8.4. Закон подобия и моделирование процессов
- •9. Контактное трение
- •9.1. Понятие контактного касательного напряжения. Парность сил трения
- •9.2. Виды трения
- •9.3. Граничные условия. Законы Амонтона-Кулона и Зибеля
- •Основные факторы, влияющие на контактное трение.
- •. Активные силы контактного трения
- •Литература
1.2. Типы кристаллической решетки, явление полиморфизма
Если представить атомы в виде шаров, то особенности строения большинства кристаллических структур можно понять, рассматривая их как пространственную упаковку таких шаров. Обычно при этом исходят из плотнейшей упаковки шаров, при которой они соприкасаются друг с другом. Наиболее плотная упаковка одного слоя шаров одинакового диаметра показана на рис. 6.
В плоском слое каждый шар, например «А», окружен шестью другими шарами и, соответственно, шестью треугольными пустотами, три из которых типа «В» и три типа «С». Различие типов пустот состоит только в том, что пустоты типа «В» повернуты относительно пустот типа «С» на 600. На рисунке справа соответствующие пустоты обозначены крестиком и ноликом. Пространственные плотнейшие упаковки получаются из плоских, если производить укладку так, чтобы шары вышележащего слоя попадали в треугольные впадины между шарами нижележащего слоя. При этом каждый следующий слой относительно нижнего может быть ориентирован двояко: шары верхнего слоя укладываются либо в лунки «в», либо в лунки «с» нижнего слоя.
Если шары укладываются по схеме АВАВАВ или АСАСАС, где А – нижний слой, В – слой, уложенный в лунки «В», С – слой, уложенный в лунки «С», то образующаяся кристаллическая структура характеризуется ячейкой в виде шестигранной призмы, как показано на рис. 7, а [3].
Такая ячейка называется гексагональной плотноупакованной (ГПУ). Как видно из рисунка, на исходный слой «А» наложен второй слой так, чтобы шары этого слоя укладывались во впадины «В», третий слой снова занимал позиции «А», четвертый – снова позиции «В» и т.д. Если слои чередуются в последовательности АВСАВСАВС, т.е. повторяемость начинается только с четвертого слоя, то образуются ячейки в виде гранецентрированного куба (ГЦК), показанного на рис.7, б. Если укладывать шары с некоторым зазором, то по схеме укладки АВАВАВ можно получить структуру с ячейкой в виде объемноцентрированного куба (ОЦК), рис. 7, в.
Для большинства металлов характерны указанные три типа кристаллических решеток с ячейками ОЦК, ГЦК и ГПУ.
Некоторым твердым телам, в том числе и металлам, свойственны не одна, а две или более кристаллические структуры, устойчивые при различных температурах и давлениях. Такие структуры называют модификациями вещества, а переход от одной модификации к другой – полиморфным превращением. Явление полиморфизма состоит в том, что тепловые колебания атомов при повышении температуры настолько увеличивают энергию атомов, что они могут покидать места прежнего устойчивого равновесия и занимать
новые с образованием другой кристаллической решетки. Так, например, углерод существует в двух модификациях – графит и алмаз, которые при определенных условиях могут переходить друг в друга. Из металлов примерами могут быть a-Fe и b-Fe, a-Sn и b-Sn и т.д. Полиморфизм имеет исключительно важное практическое значение. Придание сталям различных свойств при их термической обработке, получение нержавеющих сталей, сообщение разнообразным сплавам необходимых свойств в значительной степени основаны на использовании явления полиморфизма.