Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Курсовой проект Кенесюеков Азамат.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
298.86 Кб
Скачать

Составление структурной схемы усилителя

Структурная схема представлена на рис 6.

Рисунок 1

ВхК - входной каскад

КПУ1 - первый каскад предварительного усиления

КПУ2 - второй каскад предварительного усиления

КПУ3 - третий каскад предварительного усиления

ВыхК - выходной каскад

Входной каскад ставится на входе усилителя для увеличения входного сопротивления усилителя.

Большинство источников входного сигнала развивают очень низкое напряжение Ег = 10 мВ. Подавать его непосредственно на каскад усиления мощности не имеет смысла, так как при слабом управляющем напряжении невозможно получить значительные изменения выходного тока.

Рассчитаем максимальное напряжение в нагрузке по формуле:

В (1)

Определим максимальный ток протекающий через нагрузку:

(2)

Рассчитаем требуемый коэффициент усиления усилителя по формуле:

(3)

Определим ориентировочное количество каскадов предварительного усиления по следующей формуле:

(4)

Полученное по формуле (4) количество каскадов округляют до ближайшего целого нечетного числа (в большую сторону), так как схема с ОЭ дает сдвиг фаз 180

n = 3

Выходной каскад ставится на выходе усилителя и обеспечивает усиление мощности полезного сигнала в нагрузку.

1. Цель курсовой работы

Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Электроника», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, в развитии навыков выполнения информационного поиска, пользования справочной литературой, определения параметров эквивалентных схем биполярных и полевых транзисторов, в создании разностороннего представления о конкретных электронных элементах.

Расчёт усилительного транзистора.

В качестве схемы усилителя взята стандартная схема включения транзистора с общим эмиттером для проводимости типа n-p-n .Усилитель по току, режим класс «А»

Разделительный конденсатор Сp2 служит для передачи на вход транзистора VT1 усиливаемого переменного напряжения, а также исключает попадание на вход транзистора постоянного напряжения.

Разделительный конденсатор Ср2 осуществляет развязку каскадов. Разделительный конденсатор Сp2 осуществляет развязку 2 каскада по нагрузке. Резисторы Rб1, Rб2, Rб3, Rб4 образуют делители для получения необходимого напряжения смещения на базе транзисторов. Резистор Rэ2 и конденсатор Cэ2 обеспечивают температурную стабилизацию работы транзистора VT2.

Исходные данные:

№ варианта

Um вых, В

Um вх , мВ

Ек, В

Rи, Ом

Rн, кОм

10

12

0.05

13

120

3.3

Рсчёт по постоянному току первого коскада.

Uкэмах=1,2*Ек=1,2*13=15,6 В

Кu=Uмвых/ Uмакс=12/0,05=240

Для первого каскада в качестве транзистора выбираем транзистор КТ315А(параметры транзистора см.приложение 1).Выбираем рабочую точку на входной ВАХ(приложение2).Из точки на ветви Uбэп до пересечения с входной кривой проводим перпендикуляр. Эта точка будет являться точкой базы покоя. Проведя от неё перпендикуляр к оси Iб, находим постоянный ток базы Iбп

Uбэп=0,46 В

Iбп= 0,1 мА

Найдём ток коллектора:

Iкп= Iбп*h21э

Iкп=0,1*90=9 мА

На выходной ВАХ проведём их точки Iкп на оси Iк горизонтальную прямую до пересечения с некоторой ветвью из семейства токов базы. Это будет точной покоя П коллекторной цепи. Опустим перпендикуляр на ось напряжений Uкэп,где получим точку покоя рабочего положения:

Uкэп= 7 В

Построим статическую нагрузочную прямую по двум точкам, одна из которых является П, а вторая на оси Uкэ равная Ек. Построив нагрузочную прямую при её пересечении с осью коллекторного тока, получаем точку Iк.

Iк=20 мА

Найдём сопротивление коллектора:

Rк1к/Iк=13/20*10-3=0,65*103 Ом=650 Ом

Сопротивление эмиттера предназначено для термокомпенсации рабочего режима каскада и выбирается в пределах (0,1-0,2)*Rк1

Rэ1=0,2* Rк1=0,2*650=130 Ом

Ток делителя рекомендуется выбирать в маломощных каскадах в 8-10 раз больше тока базы:

Iд= Iбп*10=0,1*10=1мА

Расчитаем сопротивления резисторов Rб1 и Rб2:

Rб2= Uбэп+Rэ1*Iкп/Iд

Rб2=0,46+130*9*10-3/1*10-3=1170,46 Ом

Rб1=Eк-Iд* Rб2/ Iд

Rб1=13-0,001*1170,46/0,001=11829,54 Ом