
- •Аннотация
- •Содержание:
- •1. Введение
- •Основные признаки перспективных технологий XXI века.
- •Пути решения задачи, новые технологии
- •2. Теоретические аспекты плазменно - поверхностной инженерии
- •3. Ионно-плазменные методы и оборудование.
- •4. Многослойные покрытия в оптике
- •4.1. Энергосбережение
- •4.2. Дифракционные и интерференционные покрытия
- •4.3. Антиотражающие покрытия. Радиационностойкие и просветляющие покрытия
- •5. Трение и износ
- •Перспективы использования тсп в вакуумном технологическом оборудовании
- •Износостойкие и антифрикционные углеродные a-с:н покрытия
- •6.2. Износостойкие пассивирующие углеродные a-с:н покрытия для электрофотографических барабанов, копиров и лазерных принтеров
- •6.3. Элементная база на основе многокомпонетных тонкопленочных систем из феррит-гранатов с рз-замещением
- •Основные пути решения
- •7. Применение покрытий и плазменно-модифицированных поверхностей в медицинской технике
- •7.1.Основные направления применения покрытий и модифицированных поверхностей в медицинской технике
- •7.2. Совершенствование методов стерилизации медицинских изделий
- •8. Обработка материалов пучками ионов средних энергий - метод повышения эксплуатационных характеристик изделий промышленного производства и создание принципиально нового продукта
- •8.1. Трековые мембраны с заданными свойствами поверхности
- •8.2. Облучение полимерных материалов. Ускорители.
- •8.3.Радиационные эффекты и модификация материалов под действием облучения быстрыми тяжелыми ионами.
- •9. Оборудование для нанесения однослойных и многослойных покрытий ионно-плазменными методами.
- •Технические характеристики
- •1. Вакуумная система:
- •2. Источники напыления:
- •10. Заключение
- •11. Литература
3. Ионно-плазменные методы и оборудование.
Общим достоинством ионно-плазменной технологии является использование ионов с высокой энергией, что обеспечивает хорошую адгезию покрытия и новое качество покрытия или обрабатываемой поверхности.
Известно, что Е атома при испарении = КТ @ 0,1 эВ; Тисп @ 1000 К, а минимальная энергия иона составляет Е иона min » 10 - 100 эВ. Энергия иона на три порядка выше.
Для получения иона необходимо использовать газовый разряд. На рис. 6 и в табл. 1 приводятся характеристики основных типов разрядов. Видно, что диапазон энергии ионов и электронов от 10 до 103 эВ.
В России разработано оборудованием и устройства использующие практически все указанные типы разрядов для создания ионно-плазменных систем и ионно-лучевых устройств для травления, очистки, полировки поверхности и осаждения пленок .
Характерные энергии электронов плазмы и электронов пучка в различных типах газового разряда приведены на рис. 6 на фоне сечения ионизации аргона. В табл. 1 представлены основные параметры разрядов. Помимо энергетической цены образования одного иона в разряде eоi и энергетической эффективности разряда ro/r в табл. присутствуют энергетическая цена массопереноса одного газообразного атома в возбужденном состоянии eоn и одного атома, распыленного с твердотельной мишени eоs.
На сегодняшний день в России существует промышленное оборудование, в котором практически используются все перечисленные выше типы разрядов.
Таблица 1
Основные параметры различных ионно-плазменных разрядов
Тип газового разряда |
Напряже-ние. разряда, В |
Ток разряда, А |
Мощность разряда, Вт |
Рабочее давление, Тор |
Плотность плазмы, см-3 |
Плотность тока ионов, мА / см2 |
eoi, эВ |
ro/rp |
eoe, эВ |
eos, эВ |
Тлеющий разряд |
102-5×102 |
10-5-10-1 |
1-102 |
102-10-2 |
106-1010 |
10-3-10-1 |
102-103 |
~0,5 |
10-102 |
103-104 |
Аном. тлеющ. разряд |
102-104 |
102-1 |
10-103 |
10-10-3 |
109-1011 |
10-2-1 |
102-103 |
0,1-0,5 |
10-102 |
103-104 |
ВЧЕ-разряд |
- |
- |
10-103 |
10-10-3 |
108-1011 |
10-2-10 |
102-103 |
<0,2 |
10-102 |
2×102 - 2×103 |
Магнетронный разряд |
102-103 |
10-2-102 |
102-104 |
10-1-5×10-4 |
1011-1013 |
1-102 |
102-103 |
~0,8 |
10-102 |
103-104 |
Разряд с осциллирующ. электронами |
103-104 |
102-1 |
10-103 |
10-3-10-6 |
108-1010 |
10-2-1 |
103-104 |
~0,2 |
102-103 |
102-103 |
Разряд с замкнутым дрейфом электр. |
103-104 |
102-1 |
102-5×103 |
10-3-10-5 |
108-1010 |
10-1-10 |
103-104 |
~0,8 |
102-103 |
103-104 |
Дуг. разряд с накаленным катодом. |
20-200 |
102-10 |
102-103 |
1-10-4 |
109-1012 |
10-1-10 |
102-103 |
>0,1 |
10-102 |
103-104 |
Пучк.-плазм. разряд |
102-104 |
10-1-10 |
102-104 |
10-2-10-4 |
1010-1013 |
10-1-102 |
102-103 |
>0,1 |
10-102 |
- |
Дуг. разр. с хол.катодом |
10-30 |
1-103 |
102-3×104 |
10-10-5 |
109-1012 |
10-2-10 |
~102 |
~0,1 |
~10 |
- |
Самост. плазм. пучков. разряд |
103-105 |
1-104 |
103-108 |
10-2-10-4 |
1010-1013 |
1-102 |
102-103 |
>0,01 |
10-102 |
10-102 |
СВЧ-разряд |
- |
- |
10-103 |
10-10-3 |
108-1011 |
10-2-1 |
102-103 |
~0,1 |
10-102 |
10-102 |
ЭЦР-разряд |
- |
- |
2×102-5×103 |
10-2-10-4 |
109-1013 |
10-1-102 |
102-103 |
~0,1 |
10-102 |
- |
ВЧИ-разряд |
- |
- |
102-5×103 |
10-1-10-3 |
109-1012 |
10-1-10 |
102-103 |
~0,1 |
10-102 |
- |
- электроны
плазмы;
- электроны
пучка;
- диапазон
наиболее часто употребляемых значений
в технологическом оборудовании.
__________________
- ВЧЕ - высокочастотный емкостный разряд;
- ВЧИ - высокочастотный индукционный разряд;
- ЭЦР - разряд на электронно-циклотронном резонансе.
Рис. 6. Энергия электрона в различных типах разряда.