2. Источники напыления:
Ионный источник с пучком круглого сечения:
·диаметр пучка, мм 80
·энергия ионов, эВ 200 - 1000
·ток пучка, мА 50 - 100
·диапазон рабочих давлений, мм рт. ст. 10-4 - 2×10-3
·неравномерность толщины пластинки (76 мм), % 5
Магнетронный источник:
·диаметр рабочей зоны, мм 80
·разрядное напряжение, В 1000 - 3000
·диапазон рабочего давления, мм рт. ст. 5×10-4 - 5×10-3
·неравномерность толщины пластинки, (76 мм), % 5
ВЧ-диодное устройство:
·рабочая частота, МГц 13,56
·мощность разряда, Вт до 1000
·диапазон рабочего давления, мм рт. ст. 10-2 - 1
·неравномерность толщины пластинки (76 мм), % 5
3. Рентгеновская система управления для контроля in situ:
·рентгеновский источник для структурного анализа с источником питания;
·рентгеновский рефлектометр;
·рентгеновский детектор подсоединенный к РС;
·бериллиевые окошки с держателем;
·РС АТ 386;
·программное обеспечение;
·интервал толщин 2,0 - 200 нм;
·точность 4%;
·скользящий угол потока рентгеновского луча 0,7 - 1,5.
|
Рис.24. Установка для нанесения алмазоподобных пленок на электрофотографи-ческие барабаны.
|
Основные параметры системы:
·предельное давление в рабочей камере, Па 6×10-3
·мощность ВЧ-генератора, кВт 1,0
·максимальные размеры барабана, мм
длина 400
диаметр 300
·загрузка до 24 барабанов в диаметре 30 мм
Технологические особенности: ВЧ-очистка и активация поверхности осаждения из газовой фазы алмазоподобных пленок на электрофотографические барабаны и др. подложки.
10. Заключение
Таким образом можно сделать вывод о том, что в процессе развития производства выделяются решения, оказывающие существенное влияние на способы воздействия на сырье, материалы или полуфабрикаты. Инженерия поверхности сегодня является ключевой технологией, обеспечивающей развитие базовых отраслей промышленности. Отличительной особенностью данных технологий является высокая экономическая эффективность и большая научно-техническая перспектива.
Высокая экономическая эффективность связана с тем, что именно поверхность изделия определяет его потребительские качества.
Научно-техническая перспектива связана с тем, что инженерия поверхности позволяет создавать новый класс материалов, свойства которых принципиально отличаются от свойств массивных материалов или превышают их характеристики на порядки.
Отраслевой анализ позволяет говорить о следующих направлениях применения инженерии поверхности.
Микроэлектроника
Размеры элементов уходят в глубокую субмикронную область 2000 г. - 0,1 мкм 2010 г. - 70 нм. Сформируется элементная база.
высоскотемпературная микроэлектроника на основе алмазных материалов и высокоэффективных эмиттеров.
Оптоэлектроника
На основе гибридных оптико-электронных схем обеспечит широкие возможности по увеличению производительности вычислительных систем, обработка изображений в радиолокации, системах радиоэлектронной борьбы и т.д. Будут созданы реверсивные голографические системы памяти образцов на основе магнитооптических материалов.
Активное развитие получает нанотехнология, происходит переход к квантовым приборам, к наноэлектронике.
Будут созданы новые одномерные и двумерные материалы: сверхрешетки на основе металлов или алмазоподобных материалов.
Существенное развитие получат ионно-плазменные технологии.
1. Повысится КПД использования энергии.
2. Увеличится управляемость процессом.
3. Широкое развитие получат новые импульсные методы обработки использующие ионы, электронные и фотонные стимулирующие воздействия.
Увеличится спектр применения ПМФП.
1. Кабельная промышленность.
2. Создание пленочных исполнительных элементов и двигателей.
Возникнет индустрия обслуживания изделий, узлов и агрегатов с целью увеличения их срока службы, придания нового качества или регенерации методами ПФП.
Все технологии используют исходное сырье и энергию, которые делятся на две части.
Одна часть идет на изготовление продукта, а другая в безвозвратные потери, которые уходят в окружающую среду.