5. Контрольные вопросы:

5.1. Назвать методы формирования слоя фоторезиста.

5.2. Как проводится выбор режимов формирования слоя фоторезиста?

5.3. Поясните зависимость толщины слоя фоторезиста от скорости вращения центрифуги.

5.4. Назовите основные унифицированные и индивидуальные конструктивные узлы АНФ "Лада 125".

5.5. Назовите основные виды брака на АНФ "Лада 125", их причины, способы предупреждения и устранения.

6. Литература:

1. Моряков О. С. "Устройство и наладка оборудования полупроводникового производства" - М:, "Высшая школа", 1989г.

2. Панфилов Ю.В. и др. "Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы"-М:. "радио и связь", 1988г.

3. Мартынов В.В. Литографические процессы - М.: "Высшая школа". 1990г.

Лабораторная работа №3 Исследование работы установки контактной фотолитографии эм-576а

1. Цель работы

1.1. Изучить конструкцию и принцип действия установки контактной фотолитографии ЭМ-576А.

1.2. Изучить режимы работы установки контактной фотолитографии ЭМ-576А.

1.3. Изучить основные виды брака при контактном совмещении и экспонировании, их причины появления и методы устранения.

1.4. Определить влияние работы установки на качество совмещения и экспонирования.

2. Оснащение рабочего места

2.1. Микроскопы ММУ-3

2.2. Микроскопы МИИ-4

2.3. Кассеты с пластинами

3. Порядок выполнения работы

3.1. Выполнить тест на допуск к работе

3.2. Изучить указания по безопасным условиям работы на установке контактной фотолитографии ЭМ-576А.

3.3. Изучить конструкцию и принцип действия установки контактной фотолитографии ЭМ-576А.

3.4. Изучить режимы работы установки контактной фотолитографии ЭМ-576А.

3.5. Зарисовать пульт управления установки с выставленными режимами.

3.6. Составить алгоритм технологического процесса контактного совмещения и экспонирования.

3.7. Составить таблицу видов брака контактного совмещения и экспонирования.

3.8. Сделать выводы по работе.

3.9. Ответить на контрольные вопросы.

4. Содержание отчета

1. Название и цели работы.

2. Рисунок пульта управления установки с выставленными режимами.

3. Таблица видов брака совмещения и экспонирования.

4. Выводы по работе.

5. Ответы на контрольные вопросы.

Варианты

1. t эксп 30сек, зазор 5мкм

2. t эксп 10сек, зазор 0мкм

3. t эксп 25ек, зазор 20мкм

5. Контрольные вопросы

1. Назовите конструктивные узлы установки ЭМ -576А. Объясните методику контактного совмещения?

2. Назовите основные возможности установки ЭМ -576А. Каковы ограничения контактной фотолитографии?

3. Перечислить основные виды брака на совмещении и экспонировании, их возможные причины и методы устранения?

4. В каких режимах может работать установка?

5. В каких случаях используют режим работы с зазором?

6. Литература

6.1. Моряков О.С. "Устройство и наладка оборудования полупроводникового производства" - М:, "Высшая школа", 1989г.

6.2. Панфилов Ю.В. и др. "Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы"-М:. "радио и связь", 1988г.