5. Контрольные вопросы

1. На что влияет правильный выбор плоскости фокусировки

2. К каким последствиям приводит прогиб пластины больше нормы

3. Для чего предусмотрена промывка обратной стороны пластины

4. Для чего плоскость фокусировки определяется по двум каналам

5. Почему отсъём делается на рабочей экспозиции

6. Литература

6.1. Моряков B.C. Устройство и наладка оборудования полупроводникового производства - М.: Высшая школа, 1989г.

6.2. Панфилов Ю.В, и др. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленных роботов. - М.: Радио и связь, 1988г.

6.3. Мартынов В.В. Литографические процессы -М.: высшая школа, 1990г.

Практическая работа №4 Исследование контрольного отсъёма на повторяющиеся дефекты для установки эм- 584а

1. Цели работы

1. Изучить режимы RE для проведения контрольного отсъёма на повторяющиеся дефекты

1. Изучить методику контроля разворота и не масштаба по шаговой метке

2. Изучить методику определения кадров пригодных для контроля на повторяющиеся дефекты

3. Научиться составлять программу на запечатку контрольного отсчёта на повторяющиеся дефекты, использую пример

2. Оснащение рабочего места

1. Микроскоп типа ММУ-3

2. Пластины или модель с контрольным отсчётом на повторяющиеся дефекты

3. Порядок выполнения работы

1. Изучить теоретические сведения, пользуясь литературой и лекционным курсом

2. Составить программу на запечатку контрольного отсчёта по заданному варианту, используя образец

3. Выбрать кадр для контроля сделать выводы о развороте и не масштабе

4. Ответить на контрольные вопросы

4. Содержания отчета

1. Название и цели работы

2. Программа на запечатку контрольного отсъёма на повторяющиеся дефекты

3. Рисунок шаговой метки с указанием о наличии разворота и не масштаба

4. Ответы на контрольные вопросы

5. Вывод по работе

Варианты

№ варианта	Рабочее время экспозирования сек.	Размер модуля мкм	Смещение фокусировки	Диаметр пластины мм
1	50	7000,7000	20	100
2	48	7600,8200	10	100
3	40	10000,10000	10	150
4	47	9000,8800	20	150
5	52	7600,7600	10	200

Пример выполнения:

Для исходных данных:

Рабочее время экспонирования 40.

Изменение времени экспозиции 1.

Смещение нуля фокусировки 20.

Размер модуля 8000,8000.

Диаметр пластины 100.

Программа имеет вид:

RE (BK)

Шаг X,Y 8000,8000

Число, столбцов строк 8,8 (ВК)

Время экспозиции 20 (ВК)

Измерение экспозиции 1 (ВК)

Измерение смещения фокусировки 0 (ВК)

Ряд, массив М (ВК)

Совмещение N (ВК)

Коррекция начальной точки мультипликации 0,0 (ВК)

Изменение коррекции 0,0 (ВК)

5. Контрольные вопросы

1. Что контролируется при отсъёме на повторяющиеся дефекты

2. Какова периодичность контроля

3. Охарактеризуйте виды и причины повторяющихся дефектов

1. Нужен ли контроль на повторяющиеся дефекты при контактной фотолитографии