2.3.2 Вах для схемы с общим эмиттером

Рис. 2.5 ВАХ полупроводникового триода с общим эмиттером

На рис. 2.5 показаны семейства входных и выходных характеристик транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером.

Входной характеристикой данной схемы (рис. 2.2,а) является график зависимости тока базы от напряжения между базой и эмиттером I_Б = f(U_БЭ) при неизменном напряжении на коллекторе. При U_КЭ = 0 входная характеристика идет от начала координат и представляет вольт-амперную характеристику прямого тока эмиттерного и коллекторного переходов. Этим можно объяснить то, что входная характеристика, снятая при U_КЭ = 0, занимает крайнее левое положение в семействе входных характеристик. При увеличении коллекторного напряжения входные характеристики сдвигаются вправо, так как с ростом напряжения вероятность рекомбинаций неосновных носителей в области базы уменьшается, что приводит к уменьшению тока базы и росту коллекторного тока. Однако следует отметить, что входные характеристики при Uкэ > 0 располагаются близко друг к другу.

На рис. 2.2,б показано семейство выходных (коллекторных) характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Каждая коллекторная характеристика характеризует зависимость коллекторного тока от напряжения на коллекторе при определенном токе базы: I_К = f(U_КЭ) при I_Б = const. Коллекторные характеристики схемы с общим эмиттером выходят из начала координат, которые при малых Uкэ идут более круто, чем при больших коллекторных напряжениях. С ростом базового тока коллекторные характеристики располагаются выше, так как увеличение базового тока есть следствие увеличения тока эмиттера, а следовательно, и тока коллектора. Необходимо отметить, что при базовом токе, равном нулю, в схеме с общим эмиттером через транзистор от эмиттера к коллектору проходит начальный ток, называемый сквозным I_КЭО. Сквозной ток значительно больше обратного тока p-n-перехода – I_КБО. Увеличение начального тока является недостатком схемы с общим эмиттером по сравнению с общей базой. В заключение отметим, что семейства статических характеристик используют при определении статических параметров транзисторов, а также при графоаналитическом расчете электронных схем, работающих на транзисторах.

10