23. Схемы включения полевых транзисторов различных типов.
В общем случае для полевого транзистора, так же как и для биполярного, возможны различные устойчивые состояния (режимы работы). Они отличаются друг от друга тем, в каком состоянии находится канал, соединяющий исток и сток транзистора, а также направлением тока, протекающего в канале. В полевых транзисторах дополнительно принято классифицировать также режим воздействия затвора на канал (стимулирует или подавляет протекание тока в нем).
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ).
На практике чаще всего применяется схема с ОИ, аналогичная схеме на биполярном транзисторе с ОЭ. Каскад с общим истоком даёт очень большое усиление тока и мощности. Схема с ОЗ аналогична схеме с ОБ. Она не даёт усиления тока, и поэтому усиление мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме ОИ. Каскад ОЗ обладает низким входным сопротивлением, в связи с чем он имеет ограниченное практическое применение в усилительной технике.
Пассивные фильтры: низкой и высокой частоты, полосовые пропускающие. Примеры построения и расчёта.
Пассивные полосовые заграждающие фильтры. Примеры построения и расчёта.
Электропроводность полупроводников. Генерация, рекомбинация носителей зарядов.
Электронно-дырочный переход при подаче внешнего напряжения.
ВАХ идеализированного электронно-дырочного перехода. Параметры. Ёмкостные свойства электронно-дырочного перехода
Отличие реального полупроводникового диода от идеального.
Специальные типы полупроводниковых диодов.
Математическая модель (уравнение Шокли) идеального и реального диода. Эквивалентные модели диодов.
Схемы на полупроводниковых диодах. Параллельный диодный ключ и ограничитель. Передаточные характеристики. Эпюры выходного напряжения при синусоидальном входном напряжении.
Схемы на полупроводниковых диодах. Последовательный диодный ключ и ограничитель. Передаточные характеристики. Эпюры выходного напряжения при синусоидальном входном напряжении.
Физические основы функционирования биполярных транзисторов. Статический коэффициент передачи эмиттерного тока.
Типы биполярных транзисторов, режимы работы, схемы включения.
Статические характеристики и параметры биполярного транзистора включённого по схеме с общей базой.
Статические характеристики и параметры биполярного транзистора включённого по схеме с общим эмиттером.
Математическая модель биполярного транзистора в режиме большого сигнала. Уравнения Эберса – Молла.
Малосигнальные Т-образные эквивалентные схемы биполярного транзистора в физических параметрах.
Малосигн. эквив. схемы биполярного транзистора в h-параметрах.
Связь h-параметров с физическими параметрами транзистора.
Полевые транзисторы с p–n-переходом: устройство; принцип действия; ВАХ; параметры.
Полевые транзисторы с изолированным затвором: устройство; принцип действия; ВАХ; параметры
Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора с p–n-переходом. Математическая модель.
Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора с изолированным затвором. Математическая модель.
Схемы включения полевых транзисторов различных типов.