1.3. Задание на предварительную подготовку

1. Ознакомиться с конструкцией лабораторного стенда. Изучить инструкцию по применению мегомметра Ф–4101 (прил. 1).

2. Ознакомиться со схемой измерения удельного объемного и поверхностного сопротивлений диэлектриков. Объяснить, почему необходимо измерять сопротивления спустя 1 мин после включения диэлектрика под напряжение.

3. Ознакомиться с образцами диэлектриков, сопротивления которых нужно определить, измерить их толщину и диаметры наклеенных на них электродов из фольги.

4. Привести примерный ход зависимостей электропроводности полупроводников от температуры, освещенности и напряженности электрического поля.

1.4. Задание на измерения

1. С помощью мегомметра Ф–4101 измерить объемное и поверхностное сопротивления (рис. 1.1, 1.2), а затем рассчитать по формулам (1.12, 1.13) удельные объемное и поверхностное сопротивления 4 – 6 образцов твердых диэлектриков. Экспериментальные и расчетные значения свести в табл. 1.1.

Таблица 1.1

Название материала	Толщина образца h, м	Диаметр внутреннего электрода d1, м	Внутренний диаметр кольцевого электрода d2, м	Объемное и удельное объемное сопротивление		Поверхностное и удельное поверхностное сопротивление
				RV, Ом	V, Ом	RS, Ом	S, Ом

2. В диапазоне температур от 30 до 80 С (через 10 С) снять и построить зависимости: объемного сопротивления лакоткани от температуры, ; сопротивления обмотки из проводникового материала от температуры, . Используя графики и формулу (1.6) рассчитать температурные коэффициенты сопротивления для лакоткани и проводника. Результаты опытов и расчета занести в табл. 1.2.

Таблица 1.2

Название материала	Температура ,	Сопротивление , Ом	Температурный коэффициент сопротивления , град.-1

3. Изменяя температуру от 30 до 90 С (через 10 С) измерить значения сопротивления терморезистора. Рассчитать и построить зависимость . Пользуясь этой зависимостью и формулой (1.9), определить значение энергии запрещенной зоны полупроводникового материала. Результаты опытов и расчетов занести в табл. 1.3.

Таблица 1.3

С	К	Ом	Ом–1

4. Применяя схему рис. 1.3, снять и построить вольт-амперные характеристики терморезистора в диапазоне напряжений от 10 до 70 В при различном времени протекания тока через терморезистор.

Вольт-амперные характеристики снять следующим образом: при разомкнутом ключе установить требуемое напряжение, затем ключ замкнуть и измерить ток через 10, 30, 50 и 70 секунд. После замера ключ отключить и через 1–3 мин установить новые значения напряжения и процедуру измерений повторить. Полученные результаты занести в табл. 1.4.

Таблица 1.4

, В	, А
	с	с	с	с
10 20 и т.д.

5. Изменяя напряжение лампы накаливания в диапазоне от 50 до 110 В, снять и построить зависимость электропроводности фоторезистора от освещенности. Результаты измерений занести в табл. 1.5.

Таблица 1.5

, В	50	60	70	80	90	100	110
, люкс	78	200	390	754	1250	1850	2500
, кОм
, кОм-1

6. Во избежание повреждения микроамперметра этот пункт следует выполнять при непосредственном участии преподавателя. Применяя схему рис. 1.3 и измеряя напряжение, снять вольт-амперные характеристики дисков рабочих сопротивлений разрядника типа РВС (вилит) и ОПН (окись цинка). При этом значение тока не должно превышать 2000 мкА.

Построить на одном графике полученные вольт-амперные характеристики и, применяя формулу (1.11), рассчитать коэффициенты и для вилита и окиси цинка. Результаты измерений занести в табл. 1.6.

Таблица 1.6

, В
, А