- •Міністерство освіти і науки україни Запорізький національний технічний університет
- •З дисципліни "Технологія виробництва іс, гіс, вет"
- •1 Лабораторна робота №1
- •1.1 Теоретичні відомості
- •1.2 Завдання
- •Перелік використаних джерел
- •2 Лабораторна робота №2
- •2.1 Технологічний процес як велика система
- •2.2 Визначення і термінологія
- •2.3 Планування двофакторного експерименту
- •2.4 Проведення двофакторного експерименту
- •2.5 Обробка результатів експерименту
- •2.6 Дробовий факторний експеримент
- •2.7 Врахування нелінійності типу квадратів факторів
- •2.8 Планування експерименту при пошуку оптимуму
- •2.9 Обробка та оцінка експериментальних даних
- •2.10 Завдання
- •Перелік використаних джерел
- •3 Лабораторна робота №3
- •3.1 Термічні операції в технології напівпровідникових приладів
- •3.2 Дифузійні печі
- •3.3 Конструкції термічних камер дифузійних печей
- •3.4 Газова шафа
- •3.5 Пристрій завантаження-вивантаження
- •3.6 Система регулювання температури
- •3.7 Завдання
- •Перелік використаних джерел
- •4 Лабораторна робота №4
- •4.1 Теоретичні відомості
- •4.2 Контрольні запитання
- •4.3 Завдання
- •Перелік використаних джерел
- •Принцип роботи компенсаційного стабілізатора напруги
Принцип роботи компенсаційного стабілізатора напруги
Найпростіший транзисторний компенсаційний стабілізатор напруги являє собою емітерний повторювач напруги, у якого потенціал бази стабілізовано за допомогою стабілітрона (кремнієвого діода, що працює в режимі лавинного пробою). Схема такого стабілізатора показана на рис.Б.1, при цьому на рисунку Б.1,а стабілізатор показано у вигляді, який найбільш наочно ілюструє суть такого стабілізатора. При зміні вхідної напруги Uвх в широких межах напруга на базі транзистора VT1 буде залишатися практично незмінною, а значить, і напруга на опорі емітерного навантаження Uн буде незмінною теж, оскільки ця напруга дорівнює:
Uн =UБ –UБЕ =Uст - UБЕ,
де UБЕ <<Uст , і до того ж мало змінюється при зміні емітерного струму у відносно широких межах, а змінюється лише напруга між колектором і емітером UКЕ, яка для стабілізатора не є вихідною.
Напруга на опорі навантаження буде залишатися незмінною (Uн=const) навіть при зміні опору навантаження в досить широких межах, оскільки опір навантаження Rн одночасно виконує і функцію елемента негативного зворотного зв’язку (НЗЗ) в схемі емітерного повторювача напруги.
На рис.Б.1,б схема стабілізатора зображена в загальноприйнятому вигляді.
а б
Рисунок Б.1 – Схема простого транзисторного компенсаційного стабілізатора напруги
При потребі мати регульовану вихідну стабілізовану напругу або підвищений коефіцієнт стабілізації напруги Кст (Кст=Uвх/Uвих) шляхом підсилення НЗЗ до схеми однокаскадного стабілізатора напруги додають підсилювальний каскад на транзисторі VT2 в коло негативного зворотного зв’язку. Тоді схема виглядає так, як показано на рис.Б.2. За допомогою подільника вихідної напруги на резисторах R3R5 можна в широких (заданих співвідношенням опорів подільника) межах змінювати значення вихідної стабілізованої напруги.
а б
Рисунок Б.2 – Схема транзисторного стабілізатора напруги з підсилювачем в колі негативного зворотного зв’язку
Додаток В
Характеристика газового розряду
Рисунок
В.1 – Характеристика газового розряду
При досягненні певного значення напруги (пробивної) наступає електричний пробій газового проміжку. В цій області, відомій під назвою таунсендівського розряду, при незмінній напрузі між електродами струм може збільшуватись. При подальшому зростанні струму досягається друга область з незмінною напругою розряду, яка відома під назвою нормального тліючого розряду. В цій області густина струму залишається незмінною, а струм зростає за рахунок збільшення площі катода, через яку він протікає; коли ця площа стає максимально можливою (струм заповнює всю площу катода), подальше зростання струму можливе тільки за рахунок збільшення напруги. Це – аномальний тліючий розряд. Далі наступає дуговий розряд, який супроводжується зростанням струму і швидким зменшенням напруги.
Додаток Д
Порівняльні характеристики систем плазмового розпилення матеріалів
Характеристики систем |
Діодна з плоскою мішенню |
Діодна ВЧ з циліндричною мішенню |
Тріодна |
Магнетронна |
|
З конічною мішенню |
З плоскою мішенню |
||||
Тиск, Па |
10 |
0,5 |
0,07 |
0,30,7 |
0,10,5 |
Напруга на мішені, кВ |
35 |
13 |
0,51,00 |
0,40,7 |
0,40,7 |
Питома потужність, Вт/см2 |
2 |
5 |
510 |
80 |
100 |
Густина йонного струму, мА/см2 |
1 |
5 |
5 |
160 |
200 |
Відстань між мішенню і пластинами, см |
10 |
10 |
40 |
25 |
5 |
Вид руху пластин |
Нерухомі на площині |
Нерухомі на барабані |
Планетарне обертання |
Планетарне обертання |
Лінійне переміщення |
Температура розігріву пластин, оС |
250300 |
250300 |
70 |
50 |
80 |
Ступінь використання матеріалу мішені, % |
6080 |
6080 |
30 |
30 |
6080 |
Ефективність розпилення х 10-8, см3/Дж |
7 |
25 |
20 |
35 |
35 |
