
- •Міністерство освіти і науки україни Запорізький національний технічний університет
- •З дисципліни "Технологія виробництва іс, гіс, вет"
- •1 Лабораторна робота №1
- •1.1 Теоретичні відомості
- •1.2 Завдання
- •Перелік використаних джерел
- •2 Лабораторна робота №2
- •2.1 Технологічний процес як велика система
- •2.2 Визначення і термінологія
- •2.3 Планування двофакторного експерименту
- •2.4 Проведення двофакторного експерименту
- •2.5 Обробка результатів експерименту
- •2.6 Дробовий факторний експеримент
- •2.7 Врахування нелінійності типу квадратів факторів
- •2.8 Планування експерименту при пошуку оптимуму
- •2.9 Обробка та оцінка експериментальних даних
- •2.10 Завдання
- •Перелік використаних джерел
- •3 Лабораторна робота №3
- •3.1 Термічні операції в технології напівпровідникових приладів
- •3.2 Дифузійні печі
- •3.3 Конструкції термічних камер дифузійних печей
- •3.4 Газова шафа
- •3.5 Пристрій завантаження-вивантаження
- •3.6 Система регулювання температури
- •3.7 Завдання
- •Перелік використаних джерел
- •4 Лабораторна робота №4
- •4.1 Теоретичні відомості
- •4.2 Контрольні запитання
- •4.3 Завдання
- •Перелік використаних джерел
- •Принцип роботи компенсаційного стабілізатора напруги
4.2 Контрольні запитання
Для чого використовується катодне розпилювання?
Як здійснюється катодне розпилювання?
Переваги й недоліки катодного розпилювання.
Реактивне катодне розпилювання.
Високочастотне розпилювання.
Магнетронне розпилювання.
Чому виникла потреба в триелектродній схемі розпилювання?
В якому режимі проводиться йонно-плазмове розпилювання?
Фізичний механізм йонно-плазмового розпилювання.
4.3 Завдання
Вивчити процеси при йонно-плазмовому розпилюванні тонких плівок та конструкцію типової установки.
Провести спостереження за ходом процесу йонно-плазмового розпилювання.
Дослідити оптичними та електричними методами властивості тонких плівок, отриманих методом йонно-плазмового розпилювання.
Перелік використаних джерел
Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА.- М.: Высш.шк., 1987.-367 с.
Курносов А.И., Юдин в.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.-М.: Высш.шк., 1986.-368 с.
Панфилов Ю.В. и др. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы.-М.: Радио и связь, 1988.-320 с.
Борисенко А.С., Бавыкин Н.И. Технология и оборудование для производства микроэлектронных устройств.- М.: Машиностроение, 1983.- 320 с.
Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств.- М.: Радио и связь, 1991.-528 с.
Черняев В.Н. Технология производства полупроводниковых приборов.-М.: Радио и связь, 1987.-464 с.
Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов.- М.: Высш.шк., 1974.- 400 с.
Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы.- М.: Радио и связь, 1982.-72 с.
Додаток А
Багатофакторний експеримент з планом другого порядку
При виробництві технічних мастил на нафтовій основі потрібно забезпечить їх високі експлуатаційні властивості, для поліпшення яких застосовують спеціальні хімічні речовини – присадки. Додавання присадок в невеликих кількостях (від сотих часток до декількох відсотків) призводить до значного підвищення якості мастил.
Присадки
за певних умов можуть підсилювати або
послаблювати дію одна одної (тобто є
наявним ефект взаємодії факторів).
Вхідними факторами є концентрації
присадок типу D
i E,
за відгук прийнято кислотне число, що
характеризує стабільність мастила
відносно окислення киснем повітря.
Відгук потрібно мінімізувати, тобто
потрібно знайти такі значення вхідних
факторів, які забезпечують мінімальне
значення відгуку
.
Після проведення експерименту та обробки його результатів з відкиданням незначущих коефіцієнтів регресії отримана поверхня відгуку, що описується рівнянням
y
= 0,78 – 0,069
+
0,158
.
Ця поверхня – гіперболічний параболоїд – має сідлоподібний вигляд (рис.А.1). Рух вздовж напрямку, паралельного осі D, веде до зменшення кислотного числа у. Подальші кроки в цьому напрямку, позначеному словом “Спуск”, привели в точку, що відповідає концентрації 0,45% присадки Е і 5,5% присадки D; поверхня відгуку поблизу цієї точки зображена на рис.А.2. Рівняння цієї поверхні тепер має вигляд:
y = 0,148 – 0,052 х2 +0,093 + 0,073 .
В точці Q поверхня має чітко виражений мінімум відгуку у=0,14. Для порівняння: до експерименту технологами використовувались концентрації присадок до 1,4%, при цьому кислотне число не зменшувалось нижче 0,6.
Рисунок А.1 – Поверхня відгуку |
Рисунок А.2 – Поверхня відгуку в безпосередній близькості до мінімуму відгуку |
Додаток Б