
- •Міністерство освіти і науки україни Запорізький національний технічний університет
- •З дисципліни "Технологія виробництва іс, гіс, вет"
- •1 Лабораторна робота №1
- •1.1 Теоретичні відомості
- •1.2 Завдання
- •Перелік використаних джерел
- •2 Лабораторна робота №2
- •2.1 Технологічний процес як велика система
- •2.2 Визначення і термінологія
- •2.3 Планування двофакторного експерименту
- •2.4 Проведення двофакторного експерименту
- •2.5 Обробка результатів експерименту
- •2.6 Дробовий факторний експеримент
- •2.7 Врахування нелінійності типу квадратів факторів
- •2.8 Планування експерименту при пошуку оптимуму
- •2.9 Обробка та оцінка експериментальних даних
- •2.10 Завдання
- •Перелік використаних джерел
- •3 Лабораторна робота №3
- •3.1 Термічні операції в технології напівпровідникових приладів
- •3.2 Дифузійні печі
- •3.3 Конструкції термічних камер дифузійних печей
- •3.4 Газова шафа
- •3.5 Пристрій завантаження-вивантаження
- •3.6 Система регулювання температури
- •3.7 Завдання
- •Перелік використаних джерел
- •4 Лабораторна робота №4
- •4.1 Теоретичні відомості
- •4.2 Контрольні запитання
- •4.3 Завдання
- •Перелік використаних джерел
- •Принцип роботи компенсаційного стабілізатора напруги
Міністерство освіти і науки україни Запорізький національний технічний університет
МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ
до лабораторних робіт
З дисципліни "Технологія виробництва іс, гіс, вет"
для студентів спеціальності 8.090801
“Мікроелектроніка і напівпровідникові прилади”
денної і заочної форм навчання
2006
Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни "Технологія виробництва ІС, ГІС, ВЕТ" для студентів спеціальності 8.090801 “Мікроелектроніка і напівпровідникові прилади” денної і заочної форм навчання /Укл.: В.О.Шаровський.- Запоріжжя: ЗНТУ, 2006.- 54 с.
Укладач: Матюшин В.М., проф., д-р фіз.-матем.наук (лаб.роб.№1,5,6)
Шаровський В.О., асистент (лаб.роб. №2-4)
Рецензент: Томашевський О.В., доц., канд.техн.наук
Відповідальний за випуск: Сніжной Г.В., доц., канд.фіз.-матем.наук
Затверджено
на засіданні кафедри
“Мікроелектроніка і
напівпровідникові прилади”
Протокол №3
від 29.11.2006 р.
ЗМІСТ
1 Лабораторна робота №1 “Травлення у виробництві напівпровідникових приладів”……………………………………….. |
4 |
1.1 Теоретичні відомості ……………………………………………... |
4 |
1.2 Завдання …………………………………………………………… |
11 |
Перелік використаних джерел …….…………………………….…... |
12 |
2 Лабораторна робота №2. Планування багатофакторних експериментів ………………………………………………………… |
12 |
2.1 Технологічний процес як велика система ………………………. |
13 |
2.2 Визначення і термінологія ……………………………………….. |
13 |
2.3 Планування двофакторного експерименту …………………….. |
15 |
2.4 Проведення двофакторного експерименту ……………………... |
17 |
2.5 Обробка результатів експерименту ……………………………... |
18 |
2.6 Дробовий факторний експеримент ………………………….…... |
23 |
2.7 Врахування нелінійності типу квадратів факторів …………….. |
23 |
2.8 Планування експерименту при пошуку оптимуму …………….. |
24 |
2.9 Обробка та оцінка експериментальних даних ………………….. |
26 |
2.10 Завдання ………………………………………………………….. |
27 |
Перелік використаних джерел ………………………………………. |
27 |
3 Лабораторна робота №3. “Вивчення термічного обладнання для окислення та дифузії” ………………………………………….. |
27 |
3.1 Термічні операції в технології напівпровідникових приладів |
28 |
3.2 Дифузійні печі ……………………………………………………. |
29 |
3.3 Конструкції термічних камер дифузійних печей ………………. |
33 |
3.4 Газова шафа ……………………………………………………….. |
34 |
3.5 Пристрій завантаження-вивантаження ………………………….. |
35 |
3.6 Система регулювання температури …………………………….. |
36 |
3.7 Завдання …………………………………………………………… |
40 |
Перелік використаних джерел……………………………………….. |
40 |
4 Лабораторна робота №4 “Йонно-плазмове розпилювання”…….. |
41 |
4.1 Теоретичні відомості ……………………………………………... |
41 |
4.2 Контрольні запитання…………………………………………….. |
45 |
4.3 Завдання …………………………………………………………… |
46 |
Перелік використаних джерел……………………………………….. |
46 |
Додаток А Багатофакторний експеримент з планом другого порядку |
47 |
Додаток Б Принцип роботи компенсаційного стабілізатора напруги |
49 |
Додаток В Характеристика газового розряду …..………………….. |
52 |
Додаток Д Порівняльні характеристики систем плазмового розпилення матеріалів ………………………………………………. |
53 |