
- •Литература
- •Введение
- •Элементарные способы планирования эксперимента
- •Подготовка образцов к испытаниям
- •Определение геометрических параметров кабельных изделий
- •Измерение электрического сопротивления металлических элементов конструкции кабелей Использование мостов постоянного тока
- •Методы определения электрических сопротивлений электроизоляционных материалов
- •Электроды для определения электрического сопротивления твердых диэлектриков
- •Измерение общих и удельных электрических сопротивлений
- •Метод непосредственного отклонения
- •Определение электрических сопротивлений диэлектриков и изоляции кабелей методом сравнения
- •Определение сопротивлений диэлектриков с помощью баллистического гальванометра (Метод заряда конденсатора)
- •Определение баллистической постоянной гальванометра
- •Особенности испытаний жидких диэлектриков и лаков
- •Определение диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь
- •Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь на средних и высоких частотах и их измерение
- •Образцы и электроды
- •Методы и средства измерения емкости и tg δ на повышенных частотах
- •Мостовые
- •Резонансные
- •Трансформаторные мосты
- •Резонансные методы определения емкости и tg δ
- •Определение электрической прочности изоляции кабелей и образцов диэлектриков
- •Определение пробивного напряжения на импульсах
- •Методы определения начала ионизации (частичных разрядов) в изоляции
- •Определение напряжения и интенсивности ионизации
- •В кабельной промышленности лимитируется приращение Δtgδ при изменении напряжения от 0,5 Uном до испытательного, которое свидетельствует об уровне ионизации.
- •Испытания на сжатие
- •Измерение прочности материалов при изгибе
- •Измерение твердости материалов
- •Методы тепловых испытаний электроизоляционных материалов
- •Измерение теплопроводности
- •Определение удельной теплоемкости
- •Определение температуры размягчения
- •Определение холодостойкости кабельных изделий
Резонансные методы определения емкости и tg δ
Резонансные цепи с сосредоточенными параметрами (содержащие катушки индуктивности, конденсаторы и сопротивления) применяются в диапазоне частот от нескольких десятков кГц до примерно 200 МГц. Физические явления в резонансных контурах широко используются для измерения емкости и tgδ. Различают контурные и генераторные резонансные методы.
Контурные методы основаны на использовании одного генератора высокой частоты с его колебательным контуром, в который вводят испытуемый конденсатор Сx. На контурном резонансном методе основан ряд приборов – в частности, куметры (Q-метры), позволяющие определить Сx и tgδ образца через отношение напряжения на конденсаторе при резонансе к напряжению, питающему последовательный колебательный контур.
Принципиальная схема метода:
Емкость и tgδ определяют либо: 1)методом вариации реактивной проводимости, либо 2)путем вариации частоты.
Промышленные куметры обычно работают при вариации емкости. Измеряемые образцы могут включаться последовательно с катушкой индуктивности L (образцовая катушка), либо параллельно с градуированным конденсатором прибора С0.
Емкость конденсатора фильтра Сф много больше С0 и Сx.
В цепь измерительного контура включается эталонная катушка с индуктивностью L и сопротивлением Rк (таких катушек – шесть – от 50 кГц до 50 МГц). Емкость С0 – градуированный конденсатор с плавным изменением величины и минимальным tgδ (воздушный конденсатор). Изменяя величину С0 можно добиться последовательного резонанса L и C. При этом напряжение на конденсаторе С0 будет максимальным, что можно зафиксировать с помощью электронного милливольтметра VQ.
Затем к зажимам Сx параллельно С0 включается испытуемый образец. Контур вновь настраивается в резонанс.
Поскольку при резонансе
,
то, учитывая, что индуктивность образцовой катушки постоянна, то и должна быть неизменной емкость в правой части этого равенства.
Тогда
- без образца;
- с образцом.
Тогда
.
Откуда С1 = С2 + Сx или
Сx = С1 – С2.
Теперь рассмотрим, как находится tgδ.
Если обозначить проводимость на переменном токе контура без образца как gк, то
- добротность контура.
После подключения образца и вторичной настройки в резонанс
;
Можно показать, что добротность контура пропорциональна напряжению на конденсаторе С0. Поэтому вольтметр VQ можно сразу градуировать в единицах Q.
Следует сказать, что этот вывод справедлив при достаточно малых tgδ (< 0,1) и Q > 10. При больших tgδ необходимо решать полные уравнения цепи с достаточно сложными выкладками.
Куметры Е4-10, Е4-7, Е9-4 позволяют вести измерения в диапазоне частот от 1 – 50 кГц до 30 – 100 МГц. Емкость образцов, измеряемая приборами, может лежать в пределах от 25 до сотен тысяч пикоФарад, а добротность от 20 до 600. Погрешность измерения емкости от 1 до 2%. Погрешность измерения tgδ – в пределах 10%.
Существуют также приборы, которые могут измерять только емкость или только tgδ. Это приборы основанные на генераторном резонансном методе. Например, для измерения емкости предназначен прибор Е12-1 (ИИЕВ-1). Здесь, как и в приборе Е7-9, реализован метод биений. Принцип работы приборов состоит в следующем. Прибор содержит два генератора (частоты около 700 кГц).
Генератор Г1 имеет постоянную частоту колебаний. В колебательном контуре, определяющем частоту колебаний генератора Г2, имеется градуированный переменный конденсатор С. К этому же контуру подсоединяется измеряемая емкость Сx.
Когда Сx отключена, Г1 и Г2 имеют одинаковую частоту, о чем свидетельствует индикатор разбаланса ИР. При этом С = С1. Если же подключить Сx, то частота Г2 уменьшится и при смешивании частот Г1 и Г2 возникнут биения, частота которых равна разности частот Г1 и Г2. Эти биения выделяются, усиливаются и регистрируются ИР. Изменяя С до С2 можно снова уравнять частоты Г1 и Г2.
Конденсатор С при этом может быть (а оно так и есть) проградуирован в величинах Сx.
Метод биений позволяет весьма точно определять положение резонанса, что, в свою очередь, позволяет точно определить емкость даже очень маленькой величины. Измерения с помощью Е12-1 могут производиться в диапазоне частот 0,3 – 0,7 МГц. При этом емкость может быть определена в пределах от 1 до 5000 пФ.