6

ВОПРОСЫ К ГОСУДАРСТВЕННОМУ ЭКЗАМЕНУ

ПО СПЕЦИАЛЬНОСТИ 210202

Основы проектирования электронных средств

1. Конструирование печатных плат.

2. Конструирование блоков.

3. Электрическая защита блоков.

4. Защита блоков от механических нагрузок.

5. Расчет платы на вибропрочность.

6. Обеспечение теплового режима блока.

7. Элементы несущих конструкций, креплений и фиксаций.

8. Этапы проектирования ЭВС

9. Расчет блоков на надежность.

10. Способы и методы сборки блоков и узлов ЭВС

Методы и устройства испытаний ЭВС

11. Температурные воздействия на ЭВС. Испытания на теплоустойчивость и холодоустойчивость.

12. Воздействие влаги, росы и тумана. Испытания на влагоустойчивость, брызгозащищенность и водозащищенность.

13. Радиационные излучения и их влияние на ЭВС. Радиационные испытания.

14. Вибрационные нагрузки. Испытания на вибрационные нагрузки.

15. Ударные нагрузки. Испытания на ударные нагрузки.

Технология изготовления печатных плат

16. Гальванохимический метод изготовления печатных плат.

17. Изготовление многослойных печатных плат.

18. Аддитивный метод изготовления печатных плат.

19. Комбинированный позитивный метод изготовления печатных плат.

20. Изготовление печатных переключателей и печатных разъемов.

21. Механическая обработка печатных плат.

22. Получение рисунка печатного монтажа.

23. Паяные методы монтажа. Ремонт печатных узлов.

24. Непаяные методы монтажа.

25. Дефекты печатных плат. Контроль печатных узлов.

Управление качеством электронных средств

26. Электронные средства: понятие, назначение и классификация. Техническое качество электронных средств: определение и показатели. Структуры электронных средств, математическая модель структурной схемы.

27. Математическая формулировка задачи оптимального проектирования. Методы оптимального проектирования: классификация, общие достоинства и недостатки групп методов.

28. Целевая функция качества электронных средств. Правила составления целевой функции. Формы целевых функций.

29. Оптимизация качества электронных средств на основе моделирования. Виды моделей.

30. Надежность и качество функционирования электронных средств. Понятие и классификация отказов.

31. Показатели надежности невосстанавливаемых элементов и систем.

32. Основные законы надежности.

33. Факторы, влияющие на надежность электронных средств. Общие принципы обеспечения надежности электронных средств.

34. Резервирование в электронных средствах. Виды резервирования.

35. Прогнозирование работоспособности электронных средств. Классификация методов прогнозирования. Показатели качества прогнозирования.

Электрорадиоэлементы и передача данных в компьютерных системах

36. Резисторы.

37. Конденсаторы.

38. Элементы оптоэлектроники.

39. Контактные явления в ЭВС. Виды контактов.

Физические основы микроэлектроники

40. Гипотеза де-Бройля. Свойства микрочастиц. Соотношение неопределённостей. Условие нормировки. Туннельный эффект. Гармонический осциллятор.

41. Зонный характер энергетического спектра. Зоны Бриллюэна. Приведённые зоны.

42. Дефекты кристаллической структуры.

43. Динамика кристаллической решетки. Акустические и оптические колебания. Фононы.

44. Сверхпроводимость. Эффекты Ганна и Холла.

45. Бозоны и фермионы. Функции распределения частиц по состояниям для различных квантовых статистик.

46. Уровни Ферми в полупроводниках. Статистики Максвелла-Больцмана, Ферми-Дирака, Бозе-Эйнштейна. Сравнение статистик.

47. Электропроводность металлов, полупроводников и диэлектриков. Уравнение Эйнштейна.

48. Контакт двух металлов. Контакт полупроводника и металла. Контактная разница потенциалов. Термоэлектронная эмиссия.

49. Поверхностные эффекты в полупроводниках. Влияние состояния поверхности на параметры полупроводниковых приборов.

50. Жидкие кристаллы: классификация жидких кристаллов. Применение жидких кристаллов в микроэлектронике.

Проектирование имс и микропроцессоров. Технология эвс

51. Кристаллография монокристаллов кремния. Строение элементарной ячейки. Главные кристаллографические плоскости и направления в монокристалле кремния. Анизотропия кристалла. Индексы Миллера.

52. Основные процессы изготовления кремниевых пластин. Структура нарушенного слоя, обусловленная механической обработкой монокристалла.

53. Характеристика основных методов получения пленок диоксида кремния в производстве полупроводниковых ИМС; влияние методов на их электрофизические параметры.

54. Краткая характеристика основных методов получения рисунка элементов интегральных схем.

55. Основные операции фотолитографии при изготовлении полупроводниковых ИМС.

56. Электроннолучевая литография – основной метод получения рисунка СБИС. Сущность метода и схема установки для электроннолучевой литографии.

57. Методы диффузии в технологии ПИМС. Формирование p-n-переходов методом диффузии из бесконечного и ограниченного источников.

58. Ионная имплантация примесей в кремний. Сущность метода. Достоинства и недостатки.

59. Основные методы изоляции элементов в ПИМС. Сравнение методов.

60. Конструкции и принцип работы МОП транзисторов. Особенности конструирования и изготовления ИС на МОП транзисторах.

61. Классификация интегральных микросхем.

62. Конструкции и расчет основных элементов гибридных интегральных микросхем (резисторы, конденсаторы).

63. Компоненты ГИС.

64. Проектирование топологии ГИС и полупроводниковых ИМС.

65. Методы получения тонких пленок. Сравнение методов.

66. Технология изготовления толстопленочных ГИС. Топология.

67. Основные операции сборки и монтажа в технологии ИМС. Методы микроконтактирования.

68. Герметизация ИМС. Бескорпусная и корпусная герметизация. Виды и классификация корпусов.

69. Методы получения вакуума в технологии ИМС. Вакуумные установки.