4. Контрольные вопросы
1.
Решение уравнения Шредингера в случае
потенциального барьера конечной высоты
и ширины.
2. Коэффициент
прохождения потенциального барьера.
3. Строение
энергетических зон в вырожденных
полупроводниках.
4. Энергия
(уровень) Ферми и плотность заполнения
электронами уровней энергетической
зоны.
5.
ВАХ туннельного диода и ее объяснение
с точки зрения изменения строения
энергетической зоны при приложении
напряжения к p-n-переходу.
Библиографический список
1.
Епифанов Г.И. Физические основы
микроэлектроники. М.: Советское радио,
1971. 376 с.
2. Епифанов Г.И.
Физика твердого тела. М.: Высшая школа,
1977. 288 с.
3. Дулин В.Н.
Электронные приборы. М.: Энергия, 1977. 424
с.
4.
Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика
полупроводников. М.: Наука, 1990. 688 с.
