Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
130
Добавлен:
26.05.2014
Размер:
424.96 Кб
Скачать

Способы включения по сигналу усилительных приборов

Современная схемотехника, в том числе микросхемотехника, предъявляет столь высокие требования к параметрам УЭ, что обеспечить их с помощью одного элемента не удается. Поэтому во входных и выходных каскадах апериодических уси­лителей, а также в резонансных каскадах усилителей находят применение усилительные приборы (УП), представляющие собой составные транзисторы. Обычно это два, реже три транзистора, непосредственно соеди­ненные между собой и имеющие три эквивалентных вывода. Для анализа их удобно представлять в виде единого УЭ, имеющего базу, эмиттер и коллектор. Наиболее распространенными состав­ными транзисторами являются составной эмиттерный повторитель, разновидность схемы Дарлингтона, каскодная схема ОЭ—ОБ и каскодная схема ОК—ОБ.

а)

б)

Рис.2.21.Схема Дарлингтона

На рис. 2.21, а) приведена принципиальная схема составного эмиттерного по­вторителя. Транзисторы VT1 и VT2 включены каждый по схеме с ОК. Обычно, таким образом, транзисторы включают для увеличения коэффициента усиления по току всего усилителя, но при этом во входных каскадах стремятся к увели­чению входного сопротивления УЭ, а в выходных каскадах – к уменьшению вы­ходного сопротивления.

Из рис. 2.21, а) видно, что входная цепь VT2 включена в эмиттерную цепь VT1 – в цепь ООС. Эквивалентный коэффициент усиления по току составно­го транзистора равен h21э. В отсутствие резистора R во входной цепи VT2 транзисторы VT1 и VT2 ра­ботают с сильно различающимися постоянными токами. Если VT2 имеет номинальный ток эмиттера, то VT1 может иметь столь малый ток эмиттера, что это приведет к уменьшению h21э составного транзистора. Включение рези­стора R, благодаря которому увеличивается начальный ток эмиттера, приводит к уве­личению h21э, выравниванию режимов работы VT1 и VT2 по постоянному току, но несколько уменьшает коэффициент усиления по току составного транзистора.

В составном транзисторе, схема которого приведена на рис. 2.21, б), исполь­зуются VT1 и VT2 различного типа проводимости. Схема на рис. 2.21, б) удобна в двухтактных оконечных каскадах, когда выходные транзисторы имеют одина­ковый тип проводимости (нет подходящей по мощности комплементарной пары). В целом по своим свойствам схема на рис. 2.21, б) аналогична схеме, приведенной на рис. 2.21, а), однако коллектором эквивалентного транзистора в первом случае является эмиттер VT2, а тип проводимости эквивалентного транзистора совпа­дает с типом проводимости VT1. Без резистора R эквивалентный коэффициент усиления по току h21э.

Резистор R предназначен для тех же целей, что и в схеме на рис. 2.21, а). При наличии резистора R в схеме на рис. 2.21, б).

Схема, представленная на рис. 2.51, б), требует меньшего входного напряжения, чем схема на рис. 2.21, а).

Особое место среди составных транзисторов занимают каскодные схемы – рис. 2.22.

а)

б)

Рис.2.22 – Каскодные схемы

На рис. 2.22, а) транзистор VT1 включен по схеме с ОЭ, a VT2 – по схеме ОБ. Нагрузкой VT1 является очень малое входное сопротивление VT2, поэтому коэффициент усиления по напряжению VT1 близок к 1, однако коэффициент усиления по току равен h21э. В результате сильно снижается влияние емкости коллекторного перехода СК на входные показатели эквивалентного транзистора (за счет внутренней ОС). В свою очередь VT2 имеет коэффициент усиления по току h21б  1, но обеспечивает коэффи­циент усиления по напряжению такой же, как и обычная схема с ОЭ. Вместе с тем и емкость СК2 очень слабо влияет на входное напряжение VT2 в силу особенностей его включения — база соеди­нена с общим проводом. Таким образом, каскодная схема обес­печивает коэффициенты усиления по напряжению, току и мощно­сти такие же, как и схема с ОЭ, но входная и выходная цепи уси­лителя связаны намного слабее, чем в схеме с ОЭ. Это значи­тельно повышает устойчивость работы резонансных усилителей. Улучшаются и частотные свойства апериодического усилительного каскада, так как входная емкость каскодной схемы практически становится равной статической входной емкости транзистора в схеме с ОЭ.

Близка по своим свойствам к схеме на рис. 2.22, а) и каскодная схема, при­веденная на рис. 2.22, б), где VT1 включен по схеме с OK, a VT2 – по схеме ОБ. Эта схема обеспечивает коэффициенты усиления по напряжению, току и мощно­сти такие же, как и схема с ОЭ. Входная цепь также связана намного слабее с выходной цепью, чем в схеме с ОЭ. При этом входная емкость схемы на рис. 2.22, б) меньше, чем на рис. 2.22, а). Поэтому в резонансных усилителях схема, приведенная на рис. 2.22, б), может обеспечить больший пре­дельный коэффициент усиления по напряжению, чем схема на рис. 2.22, а).

Соседние файлы в папке Глава5а