Способы включения по сигналу усилительных приборов
Современная схемотехника, в том числе микросхемотехника, предъявляет столь высокие требования к параметрам УЭ, что обеспечить их с помощью одного элемента не удается. Поэтому во входных и выходных каскадах апериодических усилителей, а также в резонансных каскадах усилителей находят применение усилительные приборы (УП), представляющие собой составные транзисторы. Обычно это два, реже три транзистора, непосредственно соединенные между собой и имеющие три эквивалентных вывода. Для анализа их удобно представлять в виде единого УЭ, имеющего базу, эмиттер и коллектор. Наиболее распространенными составными транзисторами являются составной эмиттерный повторитель, разновидность схемы Дарлингтона, каскодная схема ОЭ—ОБ и каскодная схема ОК—ОБ.
а) |
б) |
Рис.2.21.Схема Дарлингтона
На рис. 2.21, а) приведена принципиальная схема составного эмиттерного повторителя. Транзисторы VT1 и VT2 включены каждый по схеме с ОК. Обычно, таким образом, транзисторы включают для увеличения коэффициента усиления по току всего усилителя, но при этом во входных каскадах стремятся к увеличению входного сопротивления УЭ, а в выходных каскадах – к уменьшению выходного сопротивления.
Из рис. 2.21, а) видно, что входная цепь VT2 включена в эмиттерную цепь VT1 – в цепь ООС. Эквивалентный коэффициент усиления по току составного транзистора равен h21э. В отсутствие резистора R во входной цепи VT2 транзисторы VT1 и VT2 работают с сильно различающимися постоянными токами. Если VT2 имеет номинальный ток эмиттера, то VT1 может иметь столь малый ток эмиттера, что это приведет к уменьшению h21э составного транзистора. Включение резистора R, благодаря которому увеличивается начальный ток эмиттера, приводит к увеличению h21э, выравниванию режимов работы VT1 и VT2 по постоянному току, но несколько уменьшает коэффициент усиления по току составного транзистора.
В составном транзисторе, схема которого приведена на рис. 2.21, б), используются VT1 и VT2 различного типа проводимости. Схема на рис. 2.21, б) удобна в двухтактных оконечных каскадах, когда выходные транзисторы имеют одинаковый тип проводимости (нет подходящей по мощности комплементарной пары). В целом по своим свойствам схема на рис. 2.21, б) аналогична схеме, приведенной на рис. 2.21, а), однако коллектором эквивалентного транзистора в первом случае является эмиттер VT2, а тип проводимости эквивалентного транзистора совпадает с типом проводимости VT1. Без резистора R эквивалентный коэффициент усиления по току h21э.
Резистор R предназначен для тех же целей, что и в схеме на рис. 2.21, а). При наличии резистора R в схеме на рис. 2.21, б).
Схема, представленная на рис. 2.51, б), требует меньшего входного напряжения, чем схема на рис. 2.21, а).
Особое место среди составных транзисторов занимают каскодные схемы – рис. 2.22.
а) |
б) |
Рис.2.22 – Каскодные схемы
На рис. 2.22, а) транзистор VT1 включен по схеме с ОЭ, a VT2 – по схеме ОБ. Нагрузкой VT1 является очень малое входное сопротивление VT2, поэтому коэффициент усиления по напряжению VT1 близок к 1, однако коэффициент усиления по току равен h21э. В результате сильно снижается влияние емкости коллекторного перехода СК на входные показатели эквивалентного транзистора (за счет внутренней ОС). В свою очередь VT2 имеет коэффициент усиления по току h21б 1, но обеспечивает коэффициент усиления по напряжению такой же, как и обычная схема с ОЭ. Вместе с тем и емкость СК2 очень слабо влияет на входное напряжение VT2 в силу особенностей его включения — база соединена с общим проводом. Таким образом, каскодная схема обеспечивает коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности такие же, как и схема с ОЭ, но входная и выходная цепи усилителя связаны намного слабее, чем в схеме с ОЭ. Это значительно повышает устойчивость работы резонансных усилителей. Улучшаются и частотные свойства апериодического усилительного каскада, так как входная емкость каскодной схемы практически становится равной статической входной емкости транзистора в схеме с ОЭ.
Близка по своим свойствам к схеме на рис. 2.22, а) и каскодная схема, приведенная на рис. 2.22, б), где VT1 включен по схеме с OK, a VT2 – по схеме ОБ. Эта схема обеспечивает коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности такие же, как и схема с ОЭ. Входная цепь также связана намного слабее с выходной цепью, чем в схеме с ОЭ. При этом входная емкость схемы на рис. 2.22, б) меньше, чем на рис. 2.22, а). Поэтому в резонансных усилителях схема, приведенная на рис. 2.22, б), может обеспечить больший предельный коэффициент усиления по напряжению, чем схема на рис. 2.22, а).