- •5.9 Малошумящие усилители свч
- •5.9.1 Общие сведения о малошумящих усилителях
- •5.10 Транзисторные усилители свч Схемы усилителей
- •Расчет транзисторных усилителей свч
- •5.11 Параметрические полупроводниковые усилители Параметрические диоды
- •Рабочие режимы параметрических диодов в ппу
- •5.6 ПараметрическиЕ усилителИ
- •Виды схем параметрических усилителей
- •Одноконтурный ппу
- •Конструкции ппу
- •Контрольные вопросы
Конструкции ппу
ППУ выполняются в волноводном, коаксиально-волноводном, полосковом или микрополосковом вариантах.
Простые в конструктивном отношении – одноконтурные усилители. В волноводном варианте такой усилитель представляет собой два волновода (1-й – на частоту сигнала и 2-й — на частоту накачки fН) с общим отверстием связи, в которое помещен параметрический диод 3 – рис. 6.15.
Настройка в резонанс и согласование активных сопротивлений производится с помощью реактивных винтов, расположенных в волноводе сигнала 4 и накачки 5.
Рис. 6.15 – Конструкция волноводного варианта одноконтурного ППУ
Фильтр низкой частоты 6 предотвращает попадание мощности накачки в волновод сигнала. Настройка контура накачки не влияет на контур сигнала, поскольку волновод накачки запредельный для частоты сигнала. Постоянное напряжение смещения U0 попадает на диод через дроссельный фильтр.
Рис. 6.16. Конструкция волноводно-коаксиального варианта двухконтурного ППУ |
Рис. 6.17. Топология микрополоскового двухконтурного ППУ с последовательным включением диода в линию |
Рис. 6.18. Вольтамперная характеристика ТД; Iп — пиковый ток |
В коаксиально-волноводном варианте используются коаксиальный вход и коаксиальный выход усилителя – рис.6.16. В диапазоне частот порядка 5 ГГц контур настраивается коаксиальным шлейфом 1, включенным за диодом 2. Фильтр нижних частот 3 включен за шлейфом, поэтому перестройка шлейфа не влияет на параметры холостого контура (настроенного на разностную частоту) и фильтра накачки 4. Контур холостой частоты ограничен в коаксиале радиальной ловушкой 5 и фильтром низких частот, а в волноводе — полосовым фильтром 4. Настройка контура осуществляется поршнем 6. Мощность накачки поступает по волноводу, запредельному для частоты сигнала. Контур накачки ограничивается коаксиальным радиальным фильтром 7 и фильтром нижних частот.
На рис. 6.17 показана топологическая схема микрополоскового двухконтурного ППУ с последовательным включением диода в линию. Конденсатор 1 служит для разрыва линии по постоянному току (для цепи смещения U0) и короткого замыкания для токов СВЧ. Полуволновый трансформатор 2 служит для подбора связи диода 6 с источником сигнала, т. е. для обеспечения «холодного» КСВ, необходимого для получения заданного усиления. При последовательном включении в микрополосковую линию (МПЛ) один из его выводов соединяют с заземленной пластиной короткозамкнутым шлейфом 7, чтобы замкнуть цепь напряжения смещения. Для развязки цепи сигнала от цепи смещения служат низкоомный и высокоомный отрезки МПЛ 3. Реактивный шлейф 4 служит для согласования входного импеданса цепи накачки с подводящей МПЛ.
Контрольные вопросы
Как определить вид ОС по структурной схеме усилителя?
Как определить вид ОС по принципиальной схеме усилителя?
3. Почему при ОС по напряжению в усилителе UВЫХОС = UВЫХ?
4. Почему при параллельной ОС в усилителе UВХОС = UВХ?
5. Будет ли ООС уменьшать напряжение помех по отношению к сигналу, если помехи поступают на вход усилителя через источник сигнала или элементы входной цепи усилителя?
6. Какие виды ОС увеличивают нелинейные искажения и собственные помехи усилителя?
7. При каких видах ОС входное сопротивление усилителя с ОС зависит от сопротивления нагрузки RН усилителя?
8. Какого вида ОС не меняет площадь усиления каскада?
9. При каких условиях в усилителе с ООС в области СЧ может возникнуть самовозбуждение?