- •Оптоелектроніка
- •10. В. Аркуша, д-р фіз.-мат. Наук., проф. Кафедри фізичної та напівпровідникової електроніки хну ім. В. Н. Каразіна;
- •3. Приймачі випромінювання
- •5. Елементи інтегральної оптики
- •Перелік скорочень
- •Види й параметри оптичного випромінювання
- •Випромінювачі та їх характеристики
- •Історичні відомості
- •Принцип дії
- •Використання гетероструктур
- •Побудова світлодіодів
- •Характеристики свд
- •Особливості роботи напівпровідникових лазерів
- •Основні типи сучасних напівпровідникових лазерів
- •Відмінності напівпровідникових лазерів
- •Експлуатаційні проблеми напівпровідникових лазерів та шляхи їх подолання
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Види керування
- •Електрооптичні модулятори
- •Електрооптичні ефекти
- •Побудова і параметри електрооптичного модулятора
- •Магнітооптичні модулятори
- •Акустооптичні пристрої
- •Використання ефекту Франца — Келдиша та термооптичних явищ
- •Керування просторовими характеристиками світлового променя
- •Керовані транспаранти
- •Загальні відомості
- •Транспаранти з керуванням електронним пучком
- •Акустооптичні пристрої
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Взаємодія випромінювання з речовиною
- •Принцип дії фотоприймачів
- •Фотопровідність
- •Класифікація й характеристики фотоприймачів
- •Фоторезистори
- •3.4. Фотодіоди
- •Принцип дії фотодіодів, характеристики, параметри
- •3.4.2. Різновиди фотодіодів. Конструкції
- •Фототранзистори, фототиристори
- •Багатоелементні фотоприймачі
- •Технологія фотоприймачів
- •Застосування фотоприймачів. Оптичний прийомний модуль
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Загальні відомості про індикаторні прилади
- •Особливості людського зору
- •Фізичні ефекти, використовувані в індикаторах
- •Класифікація індикаторів
- •Газорозрядні індикатори
- •Вакуумні індикатори
- •Люмінесцентні та розжарювальні індикатори
- •Автоемісійні дисплеї
- •Електролюмінесцентні й напівпровідникові індикатори
- •Електролюмінесцентні індикатори
- •— Скляна підкладка;
- •— Прозорий електрод;
- •Напівпровідникові індикатори
- •Органічні й полімерні дисплеї
- •Рідкокристалічні індикатори
- •Спеціалізовані індикатори
- •Електрохромиі індикатори
- •Електрохімічні індикатори
- •Сегнетоелектричні індикатори
- •Хемілюмінесцентні індикатори
- •Перспективи й напрямки розвитку індикаторів
- •Контрольні запитання
- •10. Як працюють тонкоплівкові електролюмінесцентні індикатори?
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Розв’язання
- •Пасивні елементи
- •Активні елементи
- •Рие. 5.8. Акустооптичний керуючий пристрій: 1 — п’єзокристал;
- •— Хвилевід; 5 — підкладка
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •6.1. Оптрони
- •Елементарний оптрон
- •Різновиди оптронів. Оптоелектронні імс
- •Конструктивне виконання оптронів
- •Оптоелектронні перетворювачі світла й зображень
- •Логічні елементи на основі оптронів
- •Системи зберігання й обробки інформації
- •Оптичні запам’ятовувальні пристрої. Методи запису інформації
- •Голографічні запам’ятовувальні пристрої
- •Оптичні системи обробки інформації
- •Світловод — основний елемент оптичної системи передачі інформації
- •Ряс. 6.20. Метод подвійного тигля
- •Оптичні системи зв’язку. Класифікація. Схеми. Особливості
- •Склад й елемента системи зв’язку
- •З’єднання волоконних світловодів
- •6.3.5. Джерела випромінювання та фотоприймачі
- •Датчики й інтерферометри
- •Системи реєстрації іонізуючих випромінювань
- •Загальні вимоги
- •Мі, цгце’
- •Конструкції детекторів
- •Застосування детекторів іонізуючого випромінювання
- •Детектори з поверхнево-інтегрованими фоточутливими структурами
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Перелік посилань
Системи реєстрації іонізуючих випромінювань
Загальні вимоги
Системи реєстрації рентгенівського й гамма-випромінювання широко застосовуються в медицині, промисловості (діагностика мета- локонструкцій), для просвічування вантажів на митниці, у наукових дослідженнях, моніторингу навколишнього середовища.
Вивчення характеристик іонізуючих випромінювань за допомогою кристалічних сцинтиляторів є одним з найбільш ранніх методів, що набув особливо широкого застосування після створення
в 1934 р. фотоелектронних помножувачів. Детектори типу «сцинтилятор — фотоелектронний помножувач» (СЦ-ФЕП) мають високу ефективність реєстрації практично всіх видів іонізуючих випромінювань (яка лімітується, в основному, об’ємом СЦ і енергією випромінювання), великою конверсійною ефективністю системи «сцинтилятор — фотокатод» (більше 0,01), енергетичною і часовою роздільною здатністю (меншою 10 % і 10 5—10 8свідповідно) [20, 24, 25]. Це забезпечило їх широке використання в дозиметрії, дефектоскопії, спектрометрії, радіометрії її інших областях радіаційного приладобудування. У той же час детекторам СЦ-ФЕП властивий ряд недоліків, обумовлених, в основному, такими властивостями ФЕП, як сильна залежність вихідного сигналу від зміни величини середнього струму («стомлюваність»), чутливість до впливу магнітних полів (включаючи земне) і зміні температури, порівняно невеликої (102—103) ділянки лінійності динамічного діапазону, необхідність високої стабільності високовольтного живлення та ін. [24, 25].. Крім того, у деяких галузях радіаційного приладобудування, таких як матрична інтроскопія, томографія, індивідуальна дозиметрія, обмежувальним фактором використання детекторів СЦ-ФЕП є їх відносно великі габарити, що перешкоджають створенню інтроскопічних систем з високою просторовою роздільною здатністю. Перспективним для створення малогабаритних і багатоканальних пристроїв є застосування в них напівпровідникових детекторів (НПД), які через однократність перетворення енергії випромінювання мають близьку до одиниці конверсійну ефективність, меншу за долю відсотка енергетичну роздільну здатність і високу швидкодію. Однак їх широке використання обмежується складністю експлуатації (НПД на основі Се(Ьі) 8і(Ьі) вимагають глибокого охолодження), низькою ефективністю реєстрації (НПД на основі поверхово-бар’єрних, дифузійних, імплантаційних структур) через малий робочий об’єм, низькою відтворюваиістю вихідних параметрів (НПД на основі кристалів типу СсІТе) [20].
Альтернативою детекторам СЦ-ФЕП й НПД для розв’язання ряду завдань радіаційної техніки є використання систем типу «сцинтилятор — фотодіод» (СЦ-ФД). Детектори СЦ-ФД мають практично всі переваги детекторів СЦ-ФЕП, у тому числі (при застосуванні як фотоприймача лавинного ФД) реалізацією в датчику випромінювань ефекту внутрішнього підсилення. Як і у випадку НПД, СЦ-ФД мають широкі можливості мініатюризації прий- мально-детектуючого тракту і перевершують детектори СЦ-ФЕП за деякими експлуатаційними характеристиками (низька напруга живлення, невелика споживана потужність, мала чутливість вихідних параметрів до механічних, термічних і магнітних впливів, більший на 2—3 порядки динамічний діапазон лінійності онто- електроиних характеристик). Крім того, ефективність перетворення енергії випромінювання детекторами СЦ-ФД приблизно на порядок вища, ніж у детекторах СЦ-ФЕП. Це виявляється при порівнянні числа пари носіїв заряду на виході ФД із числом електронів що потрапляють на перший динод ФЕП за рівних умов опромінення й світлозбирання в обох детекторах:
Мд Ч,/ - Пу
