- •Оптоелектроніка
- •10. В. Аркуша, д-р фіз.-мат. Наук., проф. Кафедри фізичної та напівпровідникової електроніки хну ім. В. Н. Каразіна;
- •3. Приймачі випромінювання
- •5. Елементи інтегральної оптики
- •Перелік скорочень
- •Види й параметри оптичного випромінювання
- •Випромінювачі та їх характеристики
- •Історичні відомості
- •Принцип дії
- •Використання гетероструктур
- •Побудова світлодіодів
- •Характеристики свд
- •Особливості роботи напівпровідникових лазерів
- •Основні типи сучасних напівпровідникових лазерів
- •Відмінності напівпровідникових лазерів
- •Експлуатаційні проблеми напівпровідникових лазерів та шляхи їх подолання
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Види керування
- •Електрооптичні модулятори
- •Електрооптичні ефекти
- •Побудова і параметри електрооптичного модулятора
- •Магнітооптичні модулятори
- •Акустооптичні пристрої
- •Використання ефекту Франца — Келдиша та термооптичних явищ
- •Керування просторовими характеристиками світлового променя
- •Керовані транспаранти
- •Загальні відомості
- •Транспаранти з керуванням електронним пучком
- •Акустооптичні пристрої
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Взаємодія випромінювання з речовиною
- •Принцип дії фотоприймачів
- •Фотопровідність
- •Класифікація й характеристики фотоприймачів
- •Фоторезистори
- •3.4. Фотодіоди
- •Принцип дії фотодіодів, характеристики, параметри
- •3.4.2. Різновиди фотодіодів. Конструкції
- •Фототранзистори, фототиристори
- •Багатоелементні фотоприймачі
- •Технологія фотоприймачів
- •Застосування фотоприймачів. Оптичний прийомний модуль
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Загальні відомості про індикаторні прилади
- •Особливості людського зору
- •Фізичні ефекти, використовувані в індикаторах
- •Класифікація індикаторів
- •Газорозрядні індикатори
- •Вакуумні індикатори
- •Люмінесцентні та розжарювальні індикатори
- •Автоемісійні дисплеї
- •Електролюмінесцентні й напівпровідникові індикатори
- •Електролюмінесцентні індикатори
- •— Скляна підкладка;
- •— Прозорий електрод;
- •Напівпровідникові індикатори
- •Органічні й полімерні дисплеї
- •Рідкокристалічні індикатори
- •Спеціалізовані індикатори
- •Електрохромиі індикатори
- •Електрохімічні індикатори
- •Сегнетоелектричні індикатори
- •Хемілюмінесцентні індикатори
- •Перспективи й напрямки розвитку індикаторів
- •Контрольні запитання
- •10. Як працюють тонкоплівкові електролюмінесцентні індикатори?
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Розв’язання
- •Пасивні елементи
- •Активні елементи
- •Рие. 5.8. Акустооптичний керуючий пристрій: 1 — п’єзокристал;
- •— Хвилевід; 5 — підкладка
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •6.1. Оптрони
- •Елементарний оптрон
- •Різновиди оптронів. Оптоелектронні імс
- •Конструктивне виконання оптронів
- •Оптоелектронні перетворювачі світла й зображень
- •Логічні елементи на основі оптронів
- •Системи зберігання й обробки інформації
- •Оптичні запам’ятовувальні пристрої. Методи запису інформації
- •Голографічні запам’ятовувальні пристрої
- •Оптичні системи обробки інформації
- •Світловод — основний елемент оптичної системи передачі інформації
- •Ряс. 6.20. Метод подвійного тигля
- •Оптичні системи зв’язку. Класифікація. Схеми. Особливості
- •Склад й елемента системи зв’язку
- •З’єднання волоконних світловодів
- •6.3.5. Джерела випромінювання та фотоприймачі
- •Датчики й інтерферометри
- •Системи реєстрації іонізуючих випромінювань
- •Загальні вимоги
- •Мі, цгце’
- •Конструкції детекторів
- •Застосування детекторів іонізуючого випромінювання
- •Детектори з поверхнево-інтегрованими фоточутливими структурами
- •Контрольні запитання
- •Приклади аудиторних і домашніх завдань
- •Перелік посилань
Різновиди оптронів. Оптоелектронні імс
Основні схемотехнічні можливості оптронів визначаються головним чином характеристиками фотоприймача. За цією ознакою визначають такі різновиди оптронів (рис. 6.6): транзисторні, діодні, резисторні, тиристорні, зі складеним транзистором.
Транзисторні оптрони (рис. 6.6, а) характеризуються схемотехнічною гнучкістю, мають високе значення коефіцієнта передачі по струму, але відносно невисоку швидкодію (твмик = 2...5 мкс).
Діодні оптрони (рис. 6.6, б), виготовлені в основному з використанням р-г-7г-фотоприймачів, відрізняються найбільшою швидкодією (до 10~8 с). Однак тут коефіцієнт передачі по струму становить одиниці відсотків. Важлива особливість діодних оптронів полягає в здатності працювати у фотовентильному режимі без зовнішньої напруги на фотоприймачі. При цьому оптрон виконує функції керованого ізольованого джерела живлення.
Резисторні
оптрони (рис. 6.6,
в)
характеризуються лінійністю й
симетричністю вихідної вольтамперної
характеристики, відсутністю внутрішніх
ЕРС, високою кратністю відношення
і?т/і?ф,
(від 10 і
до 107).
Тому, незважаючи на значну інерційність
(10_1...10~2
с), резисторні оптрони зберігають важливе
самостійне значення.
Рис. 6.6. Різновиди оптронів: а — транзисторні; б — діодні; в — резисторні; г — тиристорні; д — зі складеними транзисторами
Тиристорні оптрони (рис. б.б, г) придатні для комутації потужнострумових ланцюгів радіоелектронного (£/ком = 500...600 В, ^ком = А) й електротехнічного (С/ком = 100...1300 В,
^ком = 0...320 А) призначень. При більших потужностях навантаження тиристорні оптрони по входу сполучають з ІМС, а по виходу — з кінцевим перемикачем (КЗ-ВТ чи МОвГЕТ).
Оптрони зі складеними транзисторами (рис. 6.6, д) відрізняються більшими коефіцієнтами передачі струму.
За функціональною ознакою розрізняють такі види оптронів: інформаційні, керуючі, лінійні, енергетичні. Ця термінологія поширюється й на оптронні інтегральні мікросхеми.
Інформаційні оптрони — прилади, призначені для високошвид- кісної передачі цифрової інформації з гальванічно розв’язаного ланцюга. Ця група знаходить масове застосування й містить у собі діодні й транзисторні оптрони й перемикальні оптоелектронні інтегральні мікросхеми (ОЕІМС).
Керуючі оптрони призначені для безконтактного керування потужнострумовими високовольтними ланцюгами. Типовими представниками цієї групи є тиристорні й транзисторні оптрони, опто- реле й почасти резисторні оптрони.
Лінійні оптрони застосовуються для неспотвореної передачі аналогових сигналів по гальванічно розв’язаному ланцюгу. Це діодні й резисторні оптрони» у деяких випадках транзисторні.
Енергетичні оптрони являють собою діодні оптрони, що виступають у якості ізольованих вторинних джерел живлення.
ОЕІМС являють собою гібридні та монолітні інтегральні мікросхеми, що містять випромінювачі, фотоприймачі, волоконні або інтегральні світловода, погоджуючи компоненти. До складу ОЕІМС можуть входити різноманітні електронні компоненти та вузли. Конструктивно ОЕІМС оформляються в уніфікованих корпусах мікросхем.
Виділяються три основні групи ОЕІМС: перемикального, лінійного, релейного типу (очтореле).
У перемикальної ОЕІМС діодний оптрон навантажений на один з вентилів базового кристала ТТЛ ІМС, з якої виключено багато- емітерний транзистор і збільшено опір навантажувального резистора в базовому ланцюгу вхідного транзистора.
У схемах оптоелектронних лінійних ключів оптрони виконують функції імпульсних трансформаторів
У схемах оптореле передбачаються два вхідні ланцюги: вмикання й вимикання.
Визначальна тенденція в розвитку ОЕІМС — використання пленарних фотокремнієвих структур і багатоелементних фотоприймачів. Значний інтерес являє багатовходовий оптрон з ПЗЗ-фото- приймачем.
Оптрони й оптичні ІМС знаходять застосування в таких приладах:
Силові й комутаційні оптоелектронні прилади:
твердотілі оптоелектронні реле (постійний і змінний струм);
® вхідні й вихідні модулі пристроїв зв’язку з об’єктом;
тиристорні, МОН- і ІОВТ-силові модулі з вбудованими драйверами.
Інформаційні оптоелектронні прилади.
