3. Зависимость режима генератора от напряжения смещения

Считаем все напряжения питания неизменными за исключением напряжений смещения в ламповом генераторе ив транзисторном генераторе.

Рассмотрим эту зависимость применительно к ламповому ГВВ. Для транзисторного генератора она будет аналогичной. Отличие может быть только при относительно большом значении амплитуды напряжения возбуждения , при котором невозможно подать на базу напряжение смещения до полного запирания транзистора во избежание пробоя перехода эмиттер-база.

Для упрощения рассуждений, что не снижает общности результатов, как и в предыдущем рассмотрении, полагаем D = 0. При этом динамические характеристики анодного тока совпадают со статическими в основной области семейства ВАХ в анодно-сеточной системе координат.

Как видно из рис.8.11, при больших отрицательных значениях напряжения смещения , пока, анодного тока нет. Как только амплитуда напряжения возбужденияокажется больше величины, появляется анодный ток, причём, с уменьшением отрицательного напряжения смещения растёт амплитуда импульсов тока и увеличивается нижний угол отсечки анодного тока. При этом в основной области семейства статических ВАХ анодного тока:

Так как =const, то зависимость режима ГВВ от напряжения смещения в основной области вплоть до критического режима отображается зависимостямии. Как уже отмечалось, в пределахэти зависимости почти линейны. Приони имеют выгиб вниз, а при– выгиб вверх.

Зависимости иотпоказаны на рис.8.12. Они выходят из точки, соответствующей напряжению смещения, при котором происходит прекращение анодного тока при наличии сигнала возбуждения амплитудой. Как следует из рис.8.11,

.

При напряжении при имеющейся амплитуде возбуждающего сигналадостигается критический режим работы генератора. При дальнейшем уменьшении отрицательного напряжения смещения, то есть при движении в сторону положительных значений смещения, режим генератора становится перенапряжённым и токи,уменьшаются из-за появления и углубления провала на вершине импульсов анодного тока.

При изменении величины зависимости,отбудут смещаться влево (при увеличении) и несколько будет изменяться их характер. Если критический режим наступает при, то в верхней части восходящих участков кривых, отображающих рассматриваемые зависимости, будет наблюдаться выгиб вверх; если критический режим наступает при, то восходящая часть рассматриваемых кривых будет линейной вплоть до критического режима (пунктирная вертикальная линия на рис.8.12). Эта характерная особенность кривых, в частности, зависимости, используется в генераторах при осуществлении амплитудной модуляции на управляющую сетку изменением напряжения смещения (модуляция смещением или сеточная модуляция). Зависимости,в генераторах с модуляцией смещением называются статическими модуляционными характеристиками. Аналогичный вид и такое же название носят зависимостив транзисторных ГВВ с модуляцией смещением (базовой модуляцией).

Имея зависимости ,, легко построить зависимости, определяемые соотношениями (8.1).

Характер рассмотренных зависимостей сохраняется и при D ≠ 0, что будет подробно проанализировано при изучении модуляции смещением в ламповых и транзисторных ГВВ.⁵ Рассчитать эти зависимости можно графоаналитическим методом, либо с использованием соответствующих выражений лекции 7.

На рис.8.12 показаны также зависимостиот, которые имеют тенденцию к росту с уменьшением величины отрицательного смещения и увеличением положительного смещения. Начало зависимостейотсмещено относительно начала зависимостей,отна величину, то есть точно на столько, насколько смещены статические ВАХ анодного и сеточного токов относительно друг друга по напряжению. Что касается зависимостейоттранзисторного генератора, то они, имея такой же характер, какотв ламповом ГВВ, в отличие от последних начинаются из той же точки на оси, что и зависимости коллекторного токаот. Указанные зависимости для транзисторного генератора представлены на рис.8.13.