7. Выбор технологического процесса изготовления гимс

Основными методами нанесения тонких пленок в технологии ГИМС являются: термическое вакуумное напыление, ионно-плазменное распыление и электрохимическое осаждение. Учитывая, что резистивные материалы являются сплавами, для их нанесения будем использовать ионно-плазменное распыление. Для того, чтобы не увеличивать номенклатуру используемого оборудования, остальные пленки будем наносить этим же методом.

Метод ионно-плазменного распыления

При ионно-плазменном распылении бомбардируется мишень. Между катодом и анодом создаётся дуговой разряд. Электроны при соударении вызывают ионизацию газа. На мишень подаётся отрицательный потенциал, сама мишень сделана из материала будущей плёнки. Положительные ионы, бомбардирующие мишень выбивают электроны, и они устремляются к подложке. На подложке формируется плёнка материала.

Достоинства:

• так как распыление производится при низком давлении, то длина свободного пробега достаточно велика и позволяет распыляемому веществу запасти большую энергию, что улучшает адгезию с подложкой;

• мало число столкновений с остаточным газом, что существенно снижает степень загрязнения пленки;

• из-за того, что разряд автономный, имеется возможность сократить расстояние между мишенью и подложкой;

• состав пленки мало отличается от исходного вещества;

• есть возможность напылять тугоплавкие материалы;

• малая инерционность;

• большая равномерность напыляемой пленки.

Недостатки:

• катод имеет малый срок службы.

Схема последовательности нанесения слоев на подложку:

Заключение

В ходе курсового проектирования были выбраны: технология получения тонких пленок, тонкопленочных элементов, материал подложки, тонкопленочных резисторов, конденсаторов, проводников и контактных площадок, защиты, метод получения конфигурации, навесные компоненты, корпус.

Была разработана схема соединений, проведен расчет пленочных резисторов, конденсаторов, площади подложки, разработана и вычерчена топология.

Список литературы

1. Х.-И. Ханке, Х. Фабиан. Технология производства радиоэлектронной аппаратуры. – М.: Энергия, 1980.

2. Э.Т. Романычева, А.К. Иванова, А.С. Куликов, Н.Г. Миронова, А.В. Антипов. Разработка и оформление конструкторской документации РЭА: Справочник. – М.: Радио и связь, 1989.

3. Ю.В. Дронов, В.Б. Звягин, А.А. Мушинский, Ю.Г. Семенов. Интегральные устройства радиоэлектроники: Учебное пособие по выполнению курсового проекта, МИРЭА. – М., 2006.

4. Интегральные устройства радиоэлектроники: Конспект лекций за 2007 – 2008 учебный год.

5. ГОСТ 17467-88. Микросхемы интегральные. Основные размеры. – М.: Издательство стандартов, 1989.

МИРЭА.ВРТ.07.001ПЗ

N документа

Изм.

Лист

Подпись

Дата

Лист

43