
- •Анализ исходных данных
- •Расчет конструкций тонкопленочных резисторов
- •Расчет конструкций пленочных конденсаторов
- •Расчет конструкций толстопленочных резисторов
- •Расчет конструкций толстопленочных конденсаторов
- •Навесные компоненты гимс
- •Выбор подложки и корпуса
- •Выбор технологического процесса изготовления гимс
- •Заключение
- •Список литературы
Расчет конструкций пленочных конденсаторов
Расчет проводим для конденсатора С2.
Выбор материала диэлектрика
По рабочему напряжению выберем материал диэлектрика по таблице [Л.3 стр.12] – «Стекло электровакуумное С41-1» с характеристиками:
материал обкладки – алюминий А99;
удельное поверхностное сопротивление обкладок, Ом/–0,2;
удельная емкость C0,пФ/мм2–300;
рабочее напряжение Uр,В–6,3÷10;
диэлектрическая проницаемость (наf=1кГц) –5,2;
тангенс угла диэлектрических потерь tg103(наf=1кГц) –2÷3;
электрическая прочность Eпр,МВ/см–3÷4;
рабочая частота, МГц–не более300;
ТКЕ104,град-1(приТ= –60125 С) –1,51,8.
Определение минимальной толщины диэлектрика
Минимальная толщина диэлектрика вычисляется по формуле:
где:
Кз– коэффициент запаса электрической прочности, составляющий для пленочных конденсаторов2-3;
Епр– электрическая прочность материала диэлектрика.
Определение максимально допустимой относительной погрешности активной площади конденсатора
Максимально допустимую относительную погрешность активной площади конденсатора находят из условия:
тогда:
где:
γС– относительная погрешность конденсатора, обусловленная технологическими и конструктивными факторами (задана);
γС0– относительная погрешность удельной емкости, зависимая от воспроизводимости свойств и толщины диэлектрической пленки (задана);
γСt– относительная температурная погрешность;
γСст– относительная погрешность старения пленок конденсатора (задана).
Относительная температурная погрешность определяется:
где:
С– ТКЕ материала диэлектрика.
Определение удельной емкости конденсатора
Значение удельной емкости выберем как наименьшее из трех величин:
где:
C0v– максимальное значение удельной емкости конденсатора:
C0точ– значение удельной емкости конденсатора из условия обеспечения требуемой точности (в случае Кф= 1):
C0s– значение удельной емкости конденсатора из условия обеспечения минимальной площади, занимаемой конденсатором (где минимально допустимый размер обкладок конденсатораSравен0,01см2):
В результате получим:
Определение активной площади пленочного конденсатора
Активную площадь пленочного конденсатора (площадь верхней обкладки) находим по формуле:
где:
|
при
при
|
отсюда:
Используя полученные значения, рассчитаем площадь верхней обкладки:
Определение размеров верхней обкладки конденсатора
Размеры верхней обкладки конденсатора вычисляются:
Т.к. Кф = 1, то:
Вычисление размеров нижних обкладок конденсатора
Размеры верхней обкладки конденсатора вычисляются:
где:
g– величина перекрытия нижней и верхней обкладок конденсатора, определяемая технологическими ограничениями (g = 200мкм).
Т.к. L = B, аС/С0 ≤ 0,05см2(используется конструкция в виде двух пересекающихся полосок одинаковой ширины, разделенных диэлектриком), то:
Вычисление размеров диэлектрика конденсатора
Размеры диэлектрика конденсатора вычисляются:
где:
f– величина перекрытия нижней обкладки и диэлектрика, определяемая технологическими ограничениями (f = 100мкм).
Т.к. Lн = Bн, то:
Определение площади, занимаемой пленочным конденсатором на подложке
Площадь, занимаемая пленочным конденсатором на подложке определяется:
Проведение поверочного расчета
Используя полученные данные рассчитаем относительную погрешность конденсатора, напряженность электрического поля в диэлектрике и сравним полученные значения с заданными.
Т.к. значения γ`CиEрабменьше исходных, то расчет конструкции конденсатора проведен правильно.