Выбор технологического процесса изготовления гимс
Основными методами нанесения тонких пленок в технологии ГИМС являются: термическое вакуумное напыление, ионно-плазменное распыление и электрохимическое осаждение. Учитывая, что резистивные материалы являются сплавами, для их нанесения будем использовать ионно-плазменное распыление. Для того, чтобы не увеличивать номенклатуру используемого оборудования, остальные пленки будем наносить этим же методом.
Метод ионно-плазменного распыления
При ионно-плазменном распылении бомбардируется мишень. Между катодом и анодом создаётся дуговой разряд. Электроны при соударении вызывают ионизацию газа. На мишень подаётся отрицательный потенциал, сама мишень сделана из материала будущей плёнки. Положительные ионы, бомбардирующие мишень выбивают электроны, и они устремляются к подложке. На подложке формируется плёнка материала.
|
|
|
Достоинства:
так как распыление производится при низком давлении, то длина свободного пробега достаточно велика и позволяет распыляемому веществу запасти большую энергию, что улучшает адгезию с подложкой;
мало число столкновений с остаточным газом, что существенно снижает степень загрязнения пленки;
из-за того, что разряд автономный, имеется возможность сократить расстояние между мишенью и подложкой;
состав пленки мало отличается от исходного вещества;
есть возможность напылять тугоплавкие материалы;
малая инерционность;
большая равномерность напыляемой пленки.
Недостатки:
катод имеет малый срок службы.
Схема последовательности нанесения слоев на подложку:
Заключение
В ходе курсового проектирования были выбраны: технология получения тонких пленок, тонкопленочных элементов, материал подложки, тонкопленочных резисторов, конденсаторов, проводников и контактных площадок, защиты, метод получения конфигурации, навесные компоненты, корпус.
Была разработана схема соединений, проведен расчет пленочных резисторов, конденсаторов, площади подложки, разработана и вычерчена топология.
Список литературы
Дронов Ю.В., Звягин В.Б., Мушинский А.А., Семенов Ю.Г. — Интегральные устройства радиоэлектроники: Учеб. пособие; ГОУВПО МИРЭА (ТУ). — М., 2006. — 92 с.
Х.-И. Ханке, Х. Фабиан. Технология производства радиоэлектронной аппаратуры. – М.: Энергия, 1980.
Э.Т. Романычева, А.К. Иванова, А.С. Куликов, Н.Г. Миронова, А.В. Антипов. Разработка и оформление конструкторской документации РЭА: Справочник. – М.: Радио и связь, 1989.
ГОСТ 17467-88. Микросхемы интегральные. Основные размеры. – М.: Издательство стандартов, 1989.
Маломощные транзисторы и их зарубежные аналоги. Справочник. т.1 — М.: «КУбК-а», 1997. — 688 с.: ил.
МИРЭА.ВРТ.05.001ПЗ
N
документа
Изм. Лист Подпись Дата Лист