
- •Анализ задания
- •Расчет конструкций тонкопленочных резисторов
- •Расчет конструкций тонкопленочных конденсаторов
- •Расчет конструкций толстопленочных резисторов
- •Расчет конструкций толстопленочных конденсаторов
- •Навесные компоненты гимс
- •Выбор подложки и корпуса
- •Выбор технологического процесса изготовления гимс
- •Заключение
- •Список литературы
Расчет конструкций тонкопленочных резисторов
Порядок проведения расчета.
Т. к. резисторы имеют большой разброс по номиналу, отличающийся более чем в 50 раз (Rmax/Rmin= 75000/82= 914,63), то необходимо произвести разбиение на группы.
Разбиение резисторов на группы по номиналам, вычисление коэффициентов форм для каждого из 15 резисторов производились на персональном компьютере с помощью электронной таблицы формата OpenDocument, созданной в среде приложения «CalcOpenOffice.org 2.3.0 Professional». Расчет линейных размеров каждого из 13 резисторов (кромеR1иR4), проверка этих размеров на точность и тепловой режим также производились путем введения в ячейки таблицы математических и логических формул, в соответствии с принятым (изучаемым) алгоритмом расчета, подробно изложенном в [1, с.46–50]. Поэтому некоторые промежуточные результаты вычислений не показаны.
В прил.1приведена таблица значений (без формул), распечатанная из оригинального файла формата <*.odt>.
Расчеты размеров резистора типа "меандр" (R1) и подстраиваемого резистора (R4) целесообразно провести отдельно.
Выбор резистивного материала
К рассчитанному для каждой группы значению оптимального (по занимаемой площади) удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки ρ0(прил. 1) подбирается материал изтабл. 2.3.[1, с.10] со значениемρS, близким кρ0.
Таблица 3.
Электрофизические характеристики материалов, используемых при изготовлении тонкопленочных резисторов.
параметр |
группа | |
I |
II | |
удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки (рассчитанное), ρ0, Ом/кв |
281 |
12901 |
удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки (выбранное), ρS, Ом/кв (из табл.2.3, с.10) |
280 |
5000 |
материал |
МЛТ-3м |
Кермет К-50С |
ТКС (х104 град-1) |
2,4 |
-4 |
материал контактных площадок |
медь с подслоем ванадия (луженая) |
золото с подслоем хрома (нихрома) |
γRк , % (подсл. б/подсл.) |
0 |
0 |
допустимая удельная мощность рассеяния P0 , Вт/см2 |
2 |
2 |
Данные из табл. 3вносятся в соответствующие ячейки электронной таблицы формата <*.odt>, при помощи которой происходят дальнейшие вычисления: расчет линейных размеров каждого из 13 резисторов (кромеR1иR4), проверка этих размеров на точность и тепловой режим.
Расчет геометрических параметров резистора типа "меандр"
Расчет геометрических параметров резистора типа "меандр"(R1) при известной ширине резистивной пленки (b = 800 мкм) сводится к определению расстояния между резистивными полоскамиaи числа звеньев меандраp. У резистора с 10Kф50 прямоугольной формы с перемычками (Рис.1 а) суммарная длина резистивных полосок должна равняться расчетной длинеlрасч = b·Kф, для резистора типа "меандр" это произведение дает длину средней линии меандраlср = b·Kф .Значение можно взять из таблицы (прил.1):
lср = lрасч = 12000 мкм.
Тогда
коэффициент формы резистора можно
определить из выражения,
где –bширина контура
резистора;p– число
звеньев меандра, равное отношению длины
контура резистораLк шагуt, принимаемого
за длину одного звена.
Резистор будет занимать минимальную площадь, когда он вписывается в квадрат, т.е. B = L. Из этого условия определяется оптимальное число звеньев меандра:
Т.к. Kф= 15 > 10 иa = b, то, при округлении до ближайшего целого, получается:
звена.
мкм;
мкм.
Условие
выполняется.
В изгибах резистивной пленки нарушается равномерность распределения электрического поля, что приводит к изменению сопротивления пленочного проводника. Для оценки влияния этого явления резистор разбивают на ряд последовательно включенных сопротивлений прямолинейных участков и сопротивлений изгибов.
Тогда полное сопротивление резистора определяется из выражения:
,
где
— сопротивление изгиба:
— для каждого Г-образного изгиба
Ом;
— для
каждого П-образного изгиба
Ом;
— количество, соответственно, Г- или
П-образных изгибов;
— длина каждого прямолинейного участка
на средней линии (мкм);
— количество участков.
Ом.
Из рис.1авидно, что суммарная электрическая длина прямолинейных участков резистора равна 1600 мкм, а для обеспечения заданного номинала резистора суммарная длина прямолинейных участков должна быть:
мкм.
Т.о., необходимо увеличить суммарную длину прямолинейных участков на 3560 – 1600 = 1960 мкм. Округляя до меньшего кратного 50 мкм, получаем 1950 мкм. Длина каждого из 3-х звеньев увеличивается на 1950 ÷ 3 = 650 мкм.
Это приводит к изменению габаритных размеров резистора (Рис.1 б).
Рис.3. Резистор R1, выполненный в форме «меандра».
Проверка R1на соответствие заданному номиналу (75000 Ом ±10%):
Ом
— проверка выполнена.
Площадь, занимаемая резистором R1, равна
мкм2= 18,4 мм2.
Расчет геометрических размеров резистора повышенной точности.
Расчет геометрических размеров резистора повышенной точности(R4) сводится к определению ширины резистивной пленки, при которой обеспечивается необходимая мощность рассеяния, числа секций участка подгонки, длины основного участка пленочного резистора и длины и ширины одной секции подгонки.
Суммарная технологическая погрешность изготовления резистора:
где
для подстраиваемогорезистора
вычисляется по формуле:
Расчетное значение сопротивления нерегулируемой части резистора:
Ом,
где = 2% = 0,02 — относительная погрешность изготовления резистора.
Длина нерегулируемой части:
мкм.
Полученное значение округляется до меньшего целого, кратного 50 мкм:
Окончательное значение сопротивления нерегулируемой части резистора:
Ом.
Проверка:
Для
полученного значения должно выполняться
условие
:
Ом,
Ом,
— проверка выполнена.
Изменение сопротивления, вносимое всеми подстроечными секциями:
Ом.
Расчетное значение шага подстройки:
Ом.
Длина подстроечной секции:
мкм.
Т.к. полученное значение lс.д.расчтехнологически не реализуемо, то длине секции придается технологически выполнимое значение:
мкм.
Окончательное значение ширины подстроечной секции:
Сопротивление подстроечной секции:
Ом
Проверка:
Для
полученного значения должно выполняться
условие
:
— проверка выполнена.
Количество подстроечных секций:
Полученное значение округляется до большего целого:
n= 13.
Суммарная длина резистора со всеми подключенными секциями:
где bтехн– минимальная технологически реализуемая ширина проводника (100мкм).
мкм.
Полная длина резистора:
где e– минимальная величина перекрытия (100мкм);
мкм.
Т.о.,
площадь, занимаемая подстраиваемым
резистором будет равна (при
):