3. Автоматизация проектирования микросхем

4.1 На всех этапах проектирования широко используется ЭВМ. Экспериментальное моделирование заменяется машинным.

Наиболее эффективно выполняются этапы структурного анализа, электрического анализа, параметрической оптимизации.

Специалисты,- схемотехники выполняют этапы

• выбора или разработки элементной базы,

• синтеза структурной схемы, электрической схемы,

• сравнительной оценки и отбора синтезированных вариантов.

Разработчики производят качественные и приближенные количественные оценки параметров ИС.

4.2 Подробный анализ ИС и параметрическая оптимизация схем производятся с помощью ЭВМ. Для этого применяются соответствующие пакеты САПР.

4.3 При разработке сложнофункциональных БИС используются библиотеки функциональных элементов (БФЭ). В этом случае функциональная схема синтезируется из стандартного набора цифровых или аналоговых блоков, узлов и элементов (каскадов).

4.4 Каждый элемент БФЭ описывается

• электрической схемой,

• электрическими параметрами,

• и топологией.

Так формируется библиотека схемотехнических и топологических решений.

Электрическая схема разрабатывается на основе БФЭ.

Топология кристалла реализуется размещением и соединением готовых топологических фрагментов, имеющихся в БФЭ.

Трудоемкость проектирования значительно снижается.

Существует несколько вариантов проектирования БИС с использованием БФЭ.

18. Основные параметры оу

Интегральный ОУ имеет следующие основные параметры:

Коэффициент усиления напряжения K_U  – отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению входного напряжения

Частота единичного усиления f₁  значение частоты входного сигнала, при котором значение коэффициента усиления напряжения ОУ падает до единицы.

Скорость нарастания выходного напряжения V_Uвых – отношение изменения U_ВЫХ от 10 до 90% от своего номинального значения ко времени, за которое произошло это изменение.

Максимальное выходное напряжение U_{ВЫХ макс} – максимальное значение выходного напряжения, при котором искажения не превышают заданного значения

Напряжение смещения U_СМ  – значение напряжения, которое необходимо подать на вход ОУ, чтобы на выходе напряжение было равно 0

Входные токи I_ВХ  токи, протекающие через входные контакты ОУ

Разность входных токов ΔI_ВХ. Входные токи могут отличаться друг от друга на 10 ... 20%.

Дрейф напряжения смещения Δ U_СМ.

Дрейф разности входных токов Δ Δ I_ВХ.

1. Максимальное входное напряжение U_ВХ  напряжение, прикладываемое между входными выводами ОУ, превышение которого ведет к выходу параметров за установленные границы или к разрушению прибора___ Максимальное синфазное входное напряжение U_{ВХ СФ}  наибольшее значение напряжения прикладываемого одновременно к обоим входным выводам ОУ относительно нулевого потенциала, превышение которого нарушает работоспособность прибора.____ Коэффициент ослабления синфазного сигнала К_ОССФ  отношение коэффициента усиления напряжения, приложенного между входами ОУ, к коэффициенту усиления общего для обоих входов напряжения.____ Выходной ток I_ВЫХ  максимальное значение выходного тока ОУ, при котором гарантируется работоспособность прибора

19. К точностным параметрам относятся: дифференциальный коэффициент усиления по напряжению K_U, коэффициент ослабления синфазного сигнала КОСС, напряжение смещения нуля U_см, входной ток I_вх, разность входных токов по инвертирующему и неинвертирующему входам I_р, коэффициент влияния источников питания Kв.ип и коэффициенты температурных дрейфов перечисленных параметров. Действие точностных параметров проявляется в том, что при постоянных напряжениях на входах выходное напряжение ОУ отличается от расчетного, определяемого выражением (4). Для сопоставления погрешности приводят ко входу ОУ.