Приклад побудови модуля озп
На рис. 5 наведена структурна схема модуля ОЗП ємністю 64 Кбайт для роботи з КДП у режимі 16К нормального зчитування з зовнішнім генератором і внутрішньою регенерацією [1]. Адреси комірок модуля ОЗП займають простір від 80000 до 8FFFF. Модуль пам'яті включає у своєму складі 32 інтегральні схеми DRAM типу К565РУ6, які розташовані у чотирьох банків по 8 мікросхем у кожнім. Адресація до комірок пам'яті кожного банку здійснюється сигналами А13-А0 шини адреси. Ініціалізацію роботи модуля здійснює сигнал на вході PCS#, якій формується шляхом дешифрації цих розрядів за допомогою логічних елементів АБО-НІ, І-НІ. На рис. 6 наведено розподіл розрядів шини адреси коли виконується адресація до модуля пам'яті зі сторони ЦП.
Цикл регенерації пам'яті КДП виконується автономно. У випадку запитів циклів пам'яті з боку процесора КДП формує відповідні сигнали керування RAS#, CAS# і WE# модулем ОЗП в циклі зчитування, виставляючи дані на входи буфера RG і фіксує їх сигналом ХАСК#. Вихідні шини відкриваються на час дії сигналу RD. У циклі запису дані з мікропроцесора надходять безпосередньо на входи D1 елементів пам'яті і фіксуються сигналом WE#.
Рис. 6. Розподіл адресного простору модуля ОЗП
зміст звіту
Словесний опис роботи заданої мікросхеми пам'яті, експлуатаційні параметри, функціональне позначення, призначення вхідних і вихідних сигналів.
Функціональна електрична схема розробленого модуля динамічної пам'яті зі схемою регенерації інформації (адресація з точністю до байту).
Короткий опис роботи модуля в режимах запису, зчитування і регенерації інформації.
Часові діаграми роботи модуля ОЗП в режимах запису, зчитування і регенерації інформації.
Список використаних літературних джерел.
Контрольні питання
Чим і яким чином здійснюється формування сигналу XACK# ?
Поясніть виконання одного циклу зовнішньої регенирації DRAM з використанням контролера К1810ВТ03.
Наведіть часову діаграму випереджувального зчитування інформації з мікросхеми DRAM .
Рекомендована література
Микропроцессорный комплект К1810: Структура, программирование, применение: Справочная книга / Ю.М.Казаринов, В.Н.Номоканов, Г.С.Подклетнов, В.Ф.Филипов; Под. ред. Ю.М.Казаринова.-М.:Высш. школа,1990.-269с.
Полупроводниковые БИС запоминающих устройств. Справочник / В.В.Баранов, Н.В.Бекин, А.Ю.Гордонов и др.; Под. ред. А.Ю.Гордонова и Ю.Н.Дьякова.-М.: Радио и связь.-1987.-360с.
Интегральные микросхемы. Справочник / Б.В.Тарабрин, Л.Ф.Лунин, Ю.Н.Смирнов и др.; Под. ред. Б.В.Тарабрина.-М.: Энергоатомиздат, 1985.-528с.
Методичні вказівки
Методичні вказівки до лабораторного практикуму з курсу “Проектування запам’ятовуючих пристроїв” для студентів спеціальностей “Комп’ютерні системи і мережі” і “Системне програмування” денної і заочної форм навчання. – Донецьк: ДНТУ, 2008. – 82 с.
Рис. 5. Структурна схема модуля ОЗП в режимі 16К