
- •Москва Издательство маи
- •Глава 1. Введение
- •1.1. Основные понятия о первичных преобразователях сигналов
- •1.2. Характеристики первичных преобразователей сигналов
- •1.3. Основные структурные схемы датчиков
- •1.4. Классификация датчиков
- •1.5. Мостовые схемы включения датчиков
- •Глава 2. Резистивные датчики
- •2.1 Датчики механического перемещения
- •2.1.1 Эквивалентная электрическая схема
- •2.1.2 Нелинейные сопротивления
- •2.2 Резистивные датчики перемещения светового луча
- •2.3 Терморезисторы
- •2.3.1 Передаточная функция терморезисторов
- •2.3.2 Параметры терморезистора
- •2.3.3 Вольтамперная характеристика
- •2.3.4 Параметры терморезисторов
- •2.3.5 Терморезисторы с дополнительным нагревом
- •2.3.6 Позисторы
- •2.4 Варистор
- •2.5 Фоторезисторы
- •2.6 Тензорезисторы
- •Глава 3. Емкостные датчики
- •3.1 Принцип действия
- •3.2 Чувствительность емкостных датчиков
- •3.3 Ограничения для емкостных датчиков
- •3.4 Емкостные датчики малых перемещений
- •3.5 Емкостные датчики с изменением диэлектрических свойств
- •3.6 Электрические схемы емкостных датчиков
- •3.6.2 Дифференциальные схемы емкостных датчиков
- •3.7 Ошибки емкостных датчиков
- •3.8 Примеры приложений
- •Глава 4. Индуктивные датчики
- •4.1 Индуктивные датчики с переменным воздушным зазором
- •4.1.1 Принцип действия
- •4.1.2 Функция преобразования
- •4.1.3 Чувствительность
- •4.2 Дифференциальные индуктивные датчики перемещения
- •4.2.1 Принцип действия
- •4.2.2 Передаточная функция дифференциального датчика
- •4.3.3 Чувствительность дифференциального датчика
- •Индуктивный датчик угла
- •Глава 5. Тензопреобразователи
- •5.1 Принцип действия
- •5.2 Чувствительность тензопреобразователя
- •5.3 Схема включения преобразователя в электрическую цепь
- •5.4 Погрешности тензодатчиков
- •5.4.1 Температурная погрешность
- •5.4.2 Поперечная чувствительность
- •5.5 Применение тензодатчиков
- •Глава 6. Пьезоэлектрические датчики
- •6.1 Принцип действия
- •6.2 Пьезоэлектрические материалы
- •6.2.1 Монокристаллический кварцевый пьезоэлемент
- •6.2.2 Пьезокерамика
- •6.3 Функция преобразования
- •6.4 Электрические схемы
- •6.7.2 Пьезокерамические элементы
- •Глава 7. Пьезорезонансные тензодатчики
- •7.1 Частотные свойства пьезоэлемента
- •7.2 Механическая добротность
- •Резонансная частота кварцевых резонаторов
- •7.4 Тензочувствительность пьезорезонаторов
- •Генераторы с пьезорезонансной стабилизацией частоты
- •7.6 Типы пьезорезонансных датчиков
- •Глава 8. Вибрационные гиродатчики
- •8.1 Принцип действия
- •8.2 Многокомпонентные гироскопы
- •8.3 Монолитный гироскоп
- •Глава 9. Другие типы датчиков
- •9.1 Датчики изменения магнитного потока
- •9.2 Магнитостикционные датчики
- •9.2.1 Принцип действия
- •9.3 Термоэлектрический датчик
- •Список используемых источников
- •Оглавление
- •Глава 1. Введение………………………………………………………...3
- •Глава 2. Резистивные датчики……………………………………15
- •Глава 3. Емкостные датчики……………………………………..30
- •Список используемых источников………………………………87
2.1.1 Эквивалентная электрическая схема
Обычно в технических системах информация представляется в виде электрического напряжения или тока. Для преобразования выходного сопротивления потенциометра Rx в электрическое напряжение Ux, потенциометр может быть включён в электрическую цепь (рис. 2.3).
Рис. 2.3
Выходное напряжение потенциометра Ux поступает на вход услительно-преобразовательных устройств. Входные цепи этих устройств являются нагрузкой потенциометра и представляются сопротивлением нагрузки RН. Величина сопротивления нагрузки влияет на функцию преобразования R=f(x).
А) Если RН >> R0, то потенциометр работает без нагрузки, и
(2.2)
В случае линейной зависимости между расстоянием х и сопротивлением Rx, мы можем записать:
(2.3)
Подставляя (2.3) в (2.2), получим:
(2.4)
Б) Если RН ≈ R0, то можно использовать теорему об эквивалентном генераторе и представить соответствующую схему замещения датчика (рис. 2.4).
Рис. 2.4
На рис.2.4 RЭ это выходное внутреннее сопротивление датчика, которое определяется, как сопротивление схемы относительно выходных клемм при закороченном источнике напряжения U:
. (2.5)
Выходное напряжение датчика
. (2.6)
где UЭ= -напряжение на выходе ненагруженного датчика (см. 2.2).
С учётом (2.5) получим
(2.7)
где
-относительный входной сигнал;
-коэффициент нагрузки.
По уравнению (2.7) на рис. 2.5 построено семейство характеристик
UХ’ от относительного входного сигнала β и коэффициента нагрузки α.
Рис. 2.5
Из рисунка видно, что при RН >> R0 функция преобразования представляется прямой линией. С ростом коэффициента нагрузки нелинейность характеристики возрастает.
Определим абсолютную погрешность нелинейности
.
Соответственно, относительная погрешность нелинейности определим как
.
В) При температуре T0 сопротивление потенциометра равно R0. Изменении температуры на T =T-T0 приводит к изменению сопротивления потенциометра:
, (2.8)
где γ –температурный коэффициент сопротивления. В соответствии с (2.7) относительный входной сигнал β от температуры не зависит, в то время, как коэффициент нагрузки определяется как
и величина относительной погрешности с учётом изменения температуры
,
где
α –коэффициент нагрузки при
номинальной температуре Т0;
T =(T-T0)
- отклонение температуры от
номинального значения.
2.1.2 Нелинейные сопротивления
Аналитическая зависимость между сопротивлением резистивного элемента, при постоянном внешнем воздействии, и напряжением на нём представляется линейным или нелинейным уравнением. Пример нелинейной вольтамперной характеристики дан на рис. 2.6.
Рис. 2.6
Для количественной оценки нелинейности вольтамперной характеристики определяют
статическое сопротивление: R=Uo/Io;
динамическое сопротивление r = dU/dI.
Если зависимость между внешним воздействием φвх и сопротивлением R выражается передаточной функция
R=f(φвх), то количественная оценка этого влияния определяется чувствительностью
S=dR/dφвх ≈ ∆R/∆φвх.
Резистивные элементы датчиков обычно изготавливают из металлических сплавов или полупроводников. Начальные концентрации донорной примеси (n-тип проводимости) и акцепторной примеси (p-тип проводимости) одинаковы, т.е. ni=pi. Плотность тока через полупроводник
j=δE, где δ=q(nμn+pμp) -проводимость материала; μn и μp –подвижность носителей заряда; Е –напряжённость электрического поля.
Величина тока через полупроводниковый резистор определяется как I = Aj, где А –площадь сечения резистора.
Резистивные свойства материала зависят от температуры, поэтому обычно необходимо учитывать допустимый диапазон изменения температуры резистора. На температуру влияет внешняя среда с учётом саморазогрева. Саморазогрев вызывается тепловой мощностью, выделяемой резистором и зависящей от электрических параметров его работы:
P=U2/R. Рассеиваемая мощность не должна превышать максимально допустимую, чтобы в резисторе не произошли необратимые изменения.