
- •Москва Издательство маи
- •Глава 1. Введение
- •1.1. Основные понятия о первичных преобразователях сигналов
- •1.2. Характеристики первичных преобразователей сигналов
- •1.3. Основные структурные схемы датчиков
- •1.4. Классификация датчиков
- •1.5. Мостовые схемы включения датчиков
- •Глава 2. Резистивные датчики
- •2.1 Датчики механического перемещения
- •2.1.1 Эквивалентная электрическая схема
- •2.1.2 Нелинейные сопротивления
- •2.2 Резистивные датчики перемещения светового луча
- •2.3 Терморезисторы
- •2.3.1 Передаточная функция терморезисторов
- •2.3.2 Параметры терморезистора
- •2.3.3 Вольтамперная характеристика
- •2.3.4 Параметры терморезисторов
- •2.3.5 Терморезисторы с дополнительным нагревом
- •2.3.6 Позисторы
- •2.4 Варистор
- •2.5 Фоторезисторы
- •2.6 Тензорезисторы
- •Глава 3. Емкостные датчики
- •3.1 Принцип действия
- •3.2 Чувствительность емкостных датчиков
- •3.3 Ограничения для емкостных датчиков
- •3.4 Емкостные датчики малых перемещений
- •3.5 Емкостные датчики с изменением диэлектрических свойств
- •3.6 Электрические схемы емкостных датчиков
- •3.6.2 Дифференциальные схемы емкостных датчиков
- •3.7 Ошибки емкостных датчиков
- •3.8 Примеры приложений
- •Глава 4. Индуктивные датчики
- •4.1 Индуктивные датчики с переменным воздушным зазором
- •4.1.1 Принцип действия
- •4.1.2 Функция преобразования
- •4.1.3 Чувствительность
- •4.2 Дифференциальные индуктивные датчики перемещения
- •4.2.1 Принцип действия
- •4.2.2 Передаточная функция дифференциального датчика
- •4.3.3 Чувствительность дифференциального датчика
- •Индуктивный датчик угла
- •Глава 5. Тензопреобразователи
- •5.1 Принцип действия
- •5.2 Чувствительность тензопреобразователя
- •5.3 Схема включения преобразователя в электрическую цепь
- •5.4 Погрешности тензодатчиков
- •5.4.1 Температурная погрешность
- •5.4.2 Поперечная чувствительность
- •5.5 Применение тензодатчиков
- •Глава 6. Пьезоэлектрические датчики
- •6.1 Принцип действия
- •6.2 Пьезоэлектрические материалы
- •6.2.1 Монокристаллический кварцевый пьезоэлемент
- •6.2.2 Пьезокерамика
- •6.3 Функция преобразования
- •6.4 Электрические схемы
- •6.7.2 Пьезокерамические элементы
- •Глава 7. Пьезорезонансные тензодатчики
- •7.1 Частотные свойства пьезоэлемента
- •7.2 Механическая добротность
- •Резонансная частота кварцевых резонаторов
- •7.4 Тензочувствительность пьезорезонаторов
- •Генераторы с пьезорезонансной стабилизацией частоты
- •7.6 Типы пьезорезонансных датчиков
- •Глава 8. Вибрационные гиродатчики
- •8.1 Принцип действия
- •8.2 Многокомпонентные гироскопы
- •8.3 Монолитный гироскоп
- •Глава 9. Другие типы датчиков
- •9.1 Датчики изменения магнитного потока
- •9.2 Магнитостикционные датчики
- •9.2.1 Принцип действия
- •9.3 Термоэлектрический датчик
- •Список используемых источников
- •Оглавление
- •Глава 1. Введение………………………………………………………...3
- •Глава 2. Резистивные датчики……………………………………15
- •Глава 3. Емкостные датчики……………………………………..30
- •Список используемых источников………………………………87
Глава 6. Пьезоэлектрические датчики
На внешнее воздействие в виде механического напряжения и деформации тензометрические датчики отвечают изменением электрического сопротивления. Электронными схемами сопротивление преобразуется в электрическое напряжение или ток.
Пьезоэлектрические датчики так же реагируют на механическое напряжение и деформацию, но выходным сигналом у них является непосредственно электрическое напряжение.
6.1 Принцип действия
Пьезоэлектрические датчики производят электрический заряд, когда на них сила действует F. Они изготавливаются из кристаллов диэлектрических материалов, Кристаллическая решётка этих кристаллов не имеет центра симметрии (рис. 6.1 а). В отсутствии внешних сил, материалы электрически нейтральны, т.к. разноимённые заряды уравновешены.
у
х
Fу
Fх
Рис. 6.1
Когда к кристаллической решетке прикладывается внешняя сила Fу (рис. 6.1 б), решётка деформируется, и на гранях, параллельных вектору силы, возникает заряд (поперечный пьезоэффект). Под действием силы Fх (рис. 6.1 в), кристаллическая решётка тоже деформируется, и на гранях, нормальных к вектору силы, также создаётся заряд (продольный пьезоэффект).
6.2 Пьезоэлектрические материалы
Типичные пьезоэлектрические материалы существуют в виде монокристаллов. Кроме того, пьезоэлектрическими свойствами обладают сегнетоэлектрики, существующие в поликристаллической форме.
6.2.1 Монокристаллический кварцевый пьезоэлемент
Кристаллы кварца обладают ярко выраженным пьезоэлектрическим эффектом. На рис. 6.2 приведена гексагональная кристаллическая структура кварца.
Рис. 6.2
Для изготовления пьезоэлементов из кристаллов вырезают прямоугольные пластинки, с гранями, ориентированными нормально к осям X и Y. Сила Fx вызывает продольный пьезоэффкт и на гранях создаётся заряд
qпр=d11·Fx , (6.1)
где d11 - пьезоэлектрический модуль. Величина заряда при продольном пьезоэффекте не зависит от размеров пластинки.
Сила Fу вызывает поперечный пьезоэффкт, создающий заряд
qпоп=d12·Fy·(с /а), (6.2)
величина которого зависит от действующей силы и от геометрических параметров пластинки. Пьезоэлектрические модули кварца равны:
d11 = d12 =2,31·10-12 Кл/Н.
Заметим, что сила Fz пьезоэлектрического эффекта не вызывает. Ось X называют электрической, ось Y –механической, а ось Z- оптической.
6.2.2 Пьезокерамика
Пьезоэлектрическими свойствами обладают не только монокристаллы, но и поликристаллические сегнетоэлектрики, представляющий собой химическое соединение или твердый раствор (порошок) зерен (кристаллитов). Такие вещества называют пьезокерамикой.
В качестве примера пьезоэлектрической керамики можно назвать бария титан, BaTiO3. Его поликристаллическая структура дает такой же пьезоэлектрический эффект, как в кристаллическом кварце. Величина пьезоэлектрического эффекта характеризуется пьезоэлектрическим модулем
d31 = (4,25 … 8,35) · 10-11 Кл/Н.
6.3 Функция преобразования
Для получения функции преобразования пьезоэлектрических датчиков рассмотрим рис. 6.3.
Рис. 6.3
Пьезоэлектрическая пластинка имеет толщину d. Поверхности пластинки, нормальные к электрической оси Х, имеют площади А. На эти поверхности нанесены проводящие электроды. Эти электроды, разделённые пьезоэлектрическим диэлектриком, образуют плоский конденсатор ёмкостью
C =ε ε0A/d. (6.3)
Силовое воздействие F на пьезоэлектрическую пластинку создаёт заряд на поверхностях пластинки и между электродами возникает напряжение
Uвых = f (F). (6.4)
Напряжение на плоском конденсаторе определяется зарядом q на его пластинах:
. (6.5)
Подставляя (6.1) в (6.5), с учётом (6.3) получим
. (6.6)
Если сила F изменяется по синусоидальному закону
F = Fm sin (ωt), (6.7)
то напряжение на выходе также изменяется по синусоидальному закону
(6.8)
Примечание:
Пьезоэлектрический датчик генерирует напряжение в несколько вольт. Но из-за емкостного характера внутреннего сопротивления низкочастотное напряжение измерить трудно. По этой причине пьезоэлетрические датчики применяют только при переменных силовых воздействиях.