
- •Москва Издательство маи
- •Глава 1. Введение
- •1.1. Основные понятия о первичных преобразователях сигналов
- •1.2. Характеристики первичных преобразователей сигналов
- •1.3. Основные структурные схемы датчиков
- •1.4. Классификация датчиков
- •1.5. Мостовые схемы включения датчиков
- •Глава 2. Резистивные датчики
- •2.1 Датчики механического перемещения
- •2.1.1 Эквивалентная электрическая схема
- •2.1.2 Нелинейные сопротивления
- •2.2 Резистивные датчики перемещения светового луча
- •2.3 Терморезисторы
- •2.3.1 Передаточная функция терморезисторов
- •2.3.2 Параметры терморезистора
- •2.3.3 Вольтамперная характеристика
- •2.3.4 Параметры терморезисторов
- •2.3.5 Терморезисторы с дополнительным нагревом
- •2.3.6 Позисторы
- •2.4 Варистор
- •2.5 Фоторезисторы
- •2.6 Тензорезисторы
- •Глава 3. Емкостные датчики
- •3.1 Принцип действия
- •3.2 Чувствительность емкостных датчиков
- •3.3 Ограничения для емкостных датчиков
- •3.4 Емкостные датчики малых перемещений
- •3.5 Емкостные датчики с изменением диэлектрических свойств
- •3.6 Электрические схемы емкостных датчиков
- •3.6.2 Дифференциальные схемы емкостных датчиков
- •3.7 Ошибки емкостных датчиков
- •3.8 Примеры приложений
- •Глава 4. Индуктивные датчики
- •4.1 Индуктивные датчики с переменным воздушным зазором
- •4.1.1 Принцип действия
- •4.1.2 Функция преобразования
- •4.1.3 Чувствительность
- •4.2 Дифференциальные индуктивные датчики перемещения
- •4.2.1 Принцип действия
- •4.2.2 Передаточная функция дифференциального датчика
- •4.3.3 Чувствительность дифференциального датчика
- •Индуктивный датчик угла
- •Глава 5. Тензопреобразователи
- •5.1 Принцип действия
- •5.2 Чувствительность тензопреобразователя
- •5.3 Схема включения преобразователя в электрическую цепь
- •5.4 Погрешности тензодатчиков
- •5.4.1 Температурная погрешность
- •5.4.2 Поперечная чувствительность
- •5.5 Применение тензодатчиков
- •Глава 6. Пьезоэлектрические датчики
- •6.1 Принцип действия
- •6.2 Пьезоэлектрические материалы
- •6.2.1 Монокристаллический кварцевый пьезоэлемент
- •6.2.2 Пьезокерамика
- •6.3 Функция преобразования
- •6.4 Электрические схемы
- •6.7.2 Пьезокерамические элементы
- •Глава 7. Пьезорезонансные тензодатчики
- •7.1 Частотные свойства пьезоэлемента
- •7.2 Механическая добротность
- •Резонансная частота кварцевых резонаторов
- •7.4 Тензочувствительность пьезорезонаторов
- •Генераторы с пьезорезонансной стабилизацией частоты
- •7.6 Типы пьезорезонансных датчиков
- •Глава 8. Вибрационные гиродатчики
- •8.1 Принцип действия
- •8.2 Многокомпонентные гироскопы
- •8.3 Монолитный гироскоп
- •Глава 9. Другие типы датчиков
- •9.1 Датчики изменения магнитного потока
- •9.2 Магнитостикционные датчики
- •9.2.1 Принцип действия
- •9.3 Термоэлектрический датчик
- •Список используемых источников
- •Оглавление
- •Глава 1. Введение………………………………………………………...3
- •Глава 2. Резистивные датчики……………………………………15
- •Глава 3. Емкостные датчики……………………………………..30
- •Список используемых источников………………………………87
3.7 Ошибки емкостных датчиков
Ошибки могут емкостных датчиков могут возникать из-за
• появления паразитных емкостей;
• влияния температуры на d и ;
• неидеальности формы электродов.
Учёт ошибок особенно важен при измерении малых перемещений (рис. 3.16).
Рис. 3.16
Непараллельность пластин приводит к тому, что эквивалентная схема представляется двумя параллельными конденсаторами, ёмкости которых отклоняются от идеального случая. Отклонение реальной ёмкости от идеальной оценивается величиной
Погрешность реальных емкостных датчиков составляет около 0,01%.
3.8 Примеры приложений
В этой главе указывалось, что емкостные датчики обычно применяются в тех случаях, когда входной сигнал приводит к механическому перемещению или изменяет диэлектрические и геометрические параметры измерительных конденсаторов:
измерение механического перемещения, акселекрометры;
измерение малых расстояний, профилометры. Измерение в пределах 200 микрон проводится с точностью до 0,01% ≈ 20 нм
измерение уровня жидкости или сыпучих тел (рис. 3.17).
Рис. 3.17
Глава 4. Индуктивные датчики
Изменяемым параметром в индуктивных датчиках является индуктивность дросселя. Входное воздействие на индуктивный датчик преобразуется в относительное перемещение элементов магнитной цепи. При этом индуктивность дросселя изменяется за счёт
а) изменения толщины воздушного зазора в магнитной цепи
б) изменения активных потерь за счёт вихревых токов
с) изменение положения магнитного стержня.
4.1 Индуктивные датчики с переменным воздушным зазором
4.1.1 Принцип действия
На рис. 4.1 приведена конструктивная схема индуктивного датчика с переменным зазором.
Рис. 4.1
Магнитное сопротивление цепи определяет величину индуктивности дросселя. При этом толщина воздушного зазора вносит основной вклад в магнитное сопротивление. Изменение толщины зазора изменяет магнитное сопротивление и индуктивность дросселя.
4.1.2 Функция преобразования
Индуктивность L дросселя определяется формулой:
, (4.1)
где W - число витков катушки; - магнитный поток; I –ток в катушке.
Величину I выразим, воспользовавшись законом полного тока:
, (4.2)
где Н –напряжённость магнитного поля; l –средняя длина магнитной силовой линии.
С учётом (4.2) из (4.1) получим:
, (4.3)
где RM=H·l/Φ –магнитное сопротивление цепи.
Магнитное сопротивлением цепи включает сопротивление магнитопровода из электротехнической стали и сопротивление воздушного зазора:
, (4.4)
где μст и μ0 –относительная магнитная проницаемость стали и магнитная постоянная соответственно; Aст и Aвозд -площади поперечного сечения стального магнитопровода и воздушного зазора.
Если толщина воздушного зазора мала по отношению к площади поперечного сечения, то можно считать, что Aст=Aвозд= A. Соответственно, подставляя (4.4) в (4.3) получим:
. (4.5)
Комплексное индуктивное сопротивление катушки представим в виде:
. (4.6)
Если отношение lст/ст<<2δ, то передаточную функцию индуктивного датчика можно представить в виде:
, (4.7)
где
На рис. 4.2 приведён график модуля передаточной функции. Видно, что передаточная функция нелинейна. Получить линейную характеристику можно, если использовать мостовую схему включения дифференциальных датчиков.
Рис. 4.2