
- •1 Загальні відомості та класифікація перетворювачів
- •1.1 Основні поняття та визначення
- •1.2 Класифікація вимірювальних перетворювачів
- •Гальваномагнітні перетворювачі.
- •Електрохімічні перетворювачі.
- •2 Основні фізичні явища у вимірювальних перетворювачах
- •2.1 Ємнісний та п'єзоелектричні ефекти
- •2.2 Електромагнітний та електромеханічний ефекти
- •2.3 Іонізаційний ефект
- •2.4 Зміна опору у вимірювальних перетворювачах
- •2.5 Явище провідності в напівпровідниках
- •2.6 Фотоелектричний ефект
- •2.7 Ефект Холла
- •2.8 Ефект Зеебека
- •Контрольні запитання до 1 та 2 розділів
- •3 Технічні характеристики та структура вимірювальних перетворювачів
- •3.1 Загальна структура вимірювального перетворювача
- •3.3 Структурно – функціональна схема одно функціонального пвп прямого перетворення фізичної величини
- •3.4 Узгодження пвп фізичних величин з еом
- •Контрольні запитання до 3 розділу
- •4 Структурні схеми та чутливі елементи пвп фізичних величин
- •4.1 Чутливі перетворювальні мікроелектронні елементи резистивних пвп
- •4.2 Чутливі перетворювальні мікроелектронні елементи гальваномагнітних пвп
- •4.3 Чутливі перетворювальні елементи оптоелектронних пвп
- •4.4 Чутливі перетворювальні мікроелектронні елементи волоконно – оптичних пвп
- •4.5 Чутливі перетворювальні мікроелектронні елементи з вихідними сигналами у вигляді частоти імпульсів
- •4.6 Чутливі перетворювальні мікроелектронні елементи з цифровими вихідними сигналами
- •5 Вимірювальні кола
- •5.1 Вимірювальні кола генераторних перетворювачів
- •5.2 Вимірювальні кола параметричних перетворювачів
- •5.3 Вимірювальні кола у вигляді незрівноважених мостів
- •Основні властивості мостових незрівноважених кіл:
- •5.4 Вимірювальні кола у вигляді зрівноважених мостів
- •6 Зменшення похибок від впливу паразитних опорів і завад у вимірювальних колах
- •6.1 Вплив опору лінії втрат
- •6.2 Зменшення впливу опорів з’єднувальних проводів і контактів
- •6.3 Зменшення впливу струмів втрат
- •6.4 Термо-ерс і електрохімічна ерс у вимірювальних колах
- •6.5 Захист від впливу магнітних полів
- •6.6 Захист від впливу електричних полів
- •6.7 Завада загального виду
- •Контрольні запитання до 4, 5 та 6 розділів
- •7 Резистивні перетворювачі
- •7.1 Загальні властивості, область застосування резистивних перетворювачів
- •7.1.1 Чутливість резистивного перетворювача і вплив на неї зовнішніх факторів
- •7.2 Реостатні перетворювачі
- •7.3 Тензорезистори
- •7.3.1 Конструкції і технічні характеристики дискретних металічних і напівпровідникових тензорезисторів
- •7.3.2 Конструкції інтегральних напівпровідникових тензорезисторів
- •7.3.3 Область застосування тензорезисторів
- •Контрольні запитання до 7 розділів
- •8 Електростатичні перетворювачі
- •8.1 Принцип дії та область застосування
- •8.2 Зміна ємності під впливом зовнішніх умов
- •8.3 Конструкції ємнісних перетворювачів
- •8.4 Вимірювальні кола ємнісних перетворювачів
- •8.5 Електростатичні перетворювачі в вольтметрах
- •Контрольні запитання до 8 розділу
- •9 П'єзоелектричні перетворювачі
- •9.1 Фізичні основи та область застосування
- •9.2 П’єзоелектричні перетворювачі сили, тиску, прискорення
- •Контрольні запитання до 9 розділу
- •10 Електромагнітні перетворювачі
- •10.1 Принцип дії та область застосування електромагнітних перетворювачів
- •10.2 Двоконтурні електромагнітні перетворювачі
- •10.3 Вимірювальні трансформатори та індуктивні дільники напруги
- •Р исунок 10.4 – Схема Кельвіна–Варлея індукційних дільників наруги
- •10.4 Магнітоелектричні та магнітогідравлічні перетворювачі давачів зрівноваження
- •10.5 Індуктивні та трансформаторні (взаємоіндуктивні) перетворювачі
- •10.6 Магнітопружні та індукційні перетворювачі
- •10.6.1 Індукційні перетворювачі для вимірювання параметрів магнітного поля
- •10.6.2 Індукційні перетворювачі для вимірювання частоти обертання
- •10.6.3 Індукційні перетворювачі параметрів вібрації
- •Контрольні запитання до 10 розділу
- •11 Гальваномагнітні перетворювачі
- •11.1 Перетворювачі Холла
- •11.2 Магніторезистивні перетворювачі
- •11.3 Гальваномагніторекомбінаційні перетворювачі
- •Контрольні запитання до 11 розділу
- •12 Електрохімічні перетворювачі
- •12.1 Загальні теоретичні основи та область застосування
- •12.2 Електрохімічні резистивні перетворювачі
- •12.3 Гальванічні перетворювачі
- •12.4 Кулонометричні перетворювачі
- •12.5 Електрокінетичні перетворювачі
- •12.6 Полярографічні перетворювачі. Іоністори
- •Контрольні запитання до 12 розділу
- •13 Оптоелектричні перетворювачі
- •13.1 Область застосування оптоелектричних перетворювачів
- •13.2 Джерела і приймачі випромінювання
- •13.3 Основні структурні схеми оптоелектричних перетворювачів
- •Контрольні запитання до 13 розділу
- •Список використаної літератури
11 Гальваномагнітні перетворювачі
Гальваномагнітними називають ефекти, суть яких полягає в зміні фізичних властивостей провідників або напівпровідників при протіканні через них електричного струму і одночасної дії на них магнітного поля.
Суть ефекту Холла полягає у виникненні поперечної різниці потенціалів (ЕРС Холла) під дією електричного струму, що проходить через гальваномагнітний елемент та перпендикулярного до нього магнітного потоку. В даних умовах у гальваномагнітному елементі виникає ефект виникнення поперечної різниці температур. Внаслідок цього ефекту в гальваномагнітному елементі виникає поперечна термо – ЕРС.
11.1 Перетворювачі Холла
Представляють собою чотирьохполюсник, який виконаний у вигляді тонкої пластинки або плівки з напівпровідникового матеріалу (рисунок 11.1)
Рисунок 11.1– Перетворювач Холла
Електроди 1 і 2 розташовані по ширині поперечних граней, що забезпечує рівномірний розподіл вхідного струму по січенню перетворювача. Потенціальні (Холлові) електроди 3 і 4 розміщені в центральній частині поздовжніх граней.
В магнітному полі носії заряду під дією сил Лоренца F=eυB змінюють свою траєкторію, внаслідок чого на одній із бокових граней концентрація зарядів одного знаку збільшується, в той час коли на протилежній грані – зменшується. Виникає при цьому різниця потенціалів (ЕРС Холла), яка рівна :
,
(11.1)
де Rхл – постійна Холла, яка залежить від властивостей матеріалу перетворювача;
φ(Кгеом,θ) – функція, яка залежить від геометрії перетворювача і так званого кута Холла θ між векторами густини струму і напруженості і викликаючого його електричного поля, яке визначається рухомістю носіїв заряду і значенням магнітної індукції;
α – кут між векторами магнітної індукції і магнітною віссю перетворювача.
Особливо ефект Холла проявляється в германію (Ge), кремнію (Si) і напівпровідниках, які складаються з елементів III i V груп періодичної системи.
Кристалічні перетворювачі Холла виготовляються у вигляді тонких пластинок 0,01 ÷ 0,2 мм, які вирізають із монокристалу і шліфують.
Хорошими метрологічними характеристиками вирізняються плівкові перетворювачі Холла із тонких полікристалічних плівок InAs (арсенід) і InSb (антимонід індію).
Складові похибки перетворювачів Холла :
- похибка нуля (зумовлена температурним дрейфом залишкової напруги);
- похибка лінійності;
- похибка від власного магнітного поля перетворювача;
- похибка направленості (просторового розташування);
- температурна похибка.
Найбільш широке застосування отримали для вимірювання параметрів постійних, змінних та імпульсних магнітних полів і для визначення характеристик феромагнітних матеріалів.
11.2 Магніторезистивні перетворювачі
Магніторезистивний ефект проявляється в зміні електричного опору провідника під дією магнітного поля.
Магніторезистори являють собою гальваномагнітні перетворювачі, зміна опору яких обумовлена зміною рухомості носіїв заряду. Під дією магнітного поля траєкторія носіїв викривляється, в наслідок чого швидкість їх руху в напрямку електричного поля зменшується.
Рівняння магніторезистивного перетворювача :
RB = RB=0 [1+A|uB|m], (11.2)
де u – рухомість носіїв заряду;
RB=0 – опір перетворювача при В=0;
A – магніторезистивний коефіцієнт, який залежить від властивостей матеріалу і форми перетворювача;
m – показник степені, рівний 2 при uВ≤1, і рівний 1 при uВ≥1.
Як видно з рисунку 11.2,а, як у постійному, так і у змінному магнітному полі їх опір збільшується.
Магніторезистивний коефіцієнт А залежить від форми магніторезистора. Чим менше співвідношення довжини резистора до площі його січення, тим більший коефіцієнт А. В цьому відношенні ідеальна конструкція у вигляді диску Корбіно (рисунок 11.2,б), в якої один електрод закріплений в центрі, а інший у вигляді обідка на окружності. У нього немає граней, отже зменшується ефект Холла. Недоліком описаних вище конструкцій є малий початковий опір. Для його збільшення магніторезистори виконуються у вигляді коротких напівпровідникових резисторів, які послідовно з'єднані провідними шарами (рисунок 11.2,в). Це дозволяє досягнути опору кілька кОм при збереженні коефіцієнта А.
Рисунок 11.2 – Магніторезистивний перетворювач
Магніторезистивні перетворювачі використовують при створенні теслометрів при роботі при низьких температурах і давачів вимірювання неелектричних величин, які можна легко перетворити у вимірювання магнітного поля.