
- •Н.А. Стрельников, 2006
- •Оглавление
- •Введение
- •1. Общие понятия и классификация
- •2. Элементы промышленной автоматики
- •2.1. Общие сведения
- •2.2. Характеристики управления элементов
- •2.3. Основные параметры элементов
- •2.3.1. Параметры элементов с непрерывной характеристикой управления
- •2.3.2. Параметры элементов с релейной характеристикой управления
- •3. Динамические свойства элементов
- •3.1. Виды стандартных входных сигналов (возмущений) и реакция элементов
- •3.2. Виды типовых элементов (звеньев)
- •4. Чувствительные элементы (преобразователи)
- •4.1. Основные характеристики преобразователей
- •4.2. Параметрические преобразователи
- •4.2.1. Резисторные преобразователи
- •Потенциометрические преобразователи (потенциометры)
- •Тензометрические преобразователи (тензорезисторы)
- •Терморезисторные преобразователи (терморезисторы)
- •Угольные преобразователи
- •Фотоэлектрические преобразователи (фоторезисторы)
- •4.2.2. Индуктивные преобразователи
- •4.2.3. Трансформаторные преобразователи
- •4.2.4. Емкостные преобразователи
- •4.3. Генераторные преобразователи
- •4.3.1. Термоэлектрические преобразователи (термопары)
- •4.3.2. Индукционные преобразователи
- •4.3.3. Пьезоэлектрический преобразователь
- •4.3.4. Вентильные фотоэлементы (фотодиоды)
- •4.4. Неэлектрические преобразователи
- •4.4.1. Преобразователи усилия и давления
- •4.4.2. Преобразователи скорости
- •4.4.3. Преобразователи ускорения
- •4.4.4. Преобразователи температуры
- •5. Датчики
- •5.1. Датчики с последовательным соединением элементов
- •5.2. Дифференциальные датчики
- •5.3. Компенсационные датчики
- •5.4. Основные виды датчиков в устройствах промавтоматики
- •6. Логические элементы
- •2) Полупроводниковые.
- •7. Исполнительные устройства
- •8. Регуляторы
- •1. Двухпозиционное (жесткое) регулирование
- •2. Ступенчатое регулирование
- •3. Пропорциональное (плавное) регулирование
- •9. Структурные схемы устройств автоматики
- •9.1.Структурные схемы с разомкнутой цепью воздействия
- •9.2. Структурш»1е схемы с замкнутой цепью воздействия
- •4. Система управления с последовательной коррекцией
- •6. Каскадная система управления
- •10. Основы конструирования простейших устройств автоматики
- •Описание объекта
- •Разработка структурной конструкционной схемы
- •Разработка принципиальной схемы
- •Компоновка
- •11. Темы курсовой работы
- •Приложения
- •Промышленная автоматика Учебное пособие
- •630092, Г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20
Фотоэлектрические преобразователи (фоторезисторы)
Принцип действия основан на использовании внешнего и внутреннего фотоэффектов. Внешний фотоэффект - испускание электронов во внешнее пространство освещенным веществом (рис. 4.9). При этом сопротивление между анодом и катодом уменьшается.
Внутри корпуса находится какой-либо инертный газ или вакуум. Энергия светового потока передается веществу, у которого ослабляется связь между ядрами атомов и электронами на внешних орбитах.
Рис. 4.9. Фоторезистор с внешним фотоэффектом:
1 - корпус; 2 - вещество, обладающее фотоэффектом (сурьмяно-цезий,
кислородный цезий, висмуто-серебряный цезий); 3 - светопрозрачный
материал; К, А - катод и анод; Iф - фототок, вызванный
перемещением электронов; Фс- световой поток
Вследствие этого пополняется количество свободных электронов, которые вытесняются в межмолекулярное пространство. Приложенное напряжение делает движение электронов упорядоченным. Возникающий при этом ток называется фототоком (рис. 4.10). Величина Iф существенно зависит от напряжения, приложенного между А и К.
Рис. 4.10. Статическая характеристика фоторезистора с внешним фотоэффектом: 1 - вакуумный с кислородно-цезиевым катодом; 2 - вакуумный с сурьмяно-цезиевым катодом; 3 - газонаполненный с сурьмяно-цезиевым катодом; Ua-анодное напряжение
Реакция фоторезистора на весь спектр светового потока (все час- тотные составляющие спектра) характеризуется интегральной чувст-вигельностью, а статическая характеристика представляет собой зависимость Iф от Фс.
(4.7)
Внутренний фотоэффект - перераспределение электронов в веществе при поглощении им энергии светового потока, что приводит к изменению сопротивления вещества.
Свойством внутреннего фотоэффекта обладают: селен, теллур, германий, кремний и т.д.
Конструкция и световая характеристика фоторезистора с внутренним фотоэффектом аналогичны фоторезистору с внешним фотоэффектом. Вольт-амперная и световая характеристики фотоэлектрического преобразователя с внутренним фотоэффектом аналогичны характеристикам преобразователя с внешним фотоэффектом.
Фотоэлектрические преобразователи используются для измерения яркости света, его спектрального состава, оптической плотности среды, освещенности, отражения световых волн от поверхности и т.д. Кроме того, эти преобразователи используют для измерения неэлектрических величин: температуры разогретого до свечения тела, перемещений и т.д.
4.2.2. Индуктивные преобразователи
Их работа основана на свойствах индуктивности (рис. 4.11)
(4.8)
где W- количество витков; Z- полное магнитное сопротивление цепи
(4.9.)
где R, Х - активная и реактивная составляющие сопротивления маг-нитопроводах.
где
lм
- средняя длина магнитопровода;
,
- магнитная проницаемость материала
магнитопровода;
- площадь
поперечного сечения
магнитопровода;
- потери активной мощности в магнитопроводе;
-
угловая частота питающего напряжения;
-
магнитный поток
через сердечник;
(4.12)
-
величина зазора;
-
магнитная проницаемость воздуха;
-
площадь
поперечного сечения воздушного зазора.
Рис. 4.11. Принцип действия индуктивного преобразователя:
а - конструкция, б - статическая характеристика
Существуют и другие конструкции индуктивных преобразователей (рис. 4.12-4.14).
Рис. 4.12. Индуктивный преобразователь соленоидного типа:
1 - соленоид; 2 - сердечник из магнитопроводящего
материала; х - перемещение сердечника
Рис. 4.13. Индуктивный преобразователь с изменением
магнитной проницаемости сердечника:
1 - сердечник, выполненный из магнитоупругого
материала; 2 - обмотка; F - приложенное усилие
Рис. 4.14. Индуктивный преобразователь с изменением
реактивной составляющей магнитного сопротивления:
/ - магнитопровод; 2 - обмотка; 3 - магнитопроводящий материал
При воздействии силы F на магнитопровод изменяется его магнитная проницаемость , что приводит к изменению L.