
- •Физические основы электроники Лабораторный практикум
- •Список сокращений
- •Введение
- •Лабораторная работа № 1 технология изготовления эмульсионных стеклянных фотошаблонов методом фотонабора на установке эм559б
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа № 2 изготовление металлизированных фотошаблонов
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа № 3 Технологический процесс изготовления плат с металлизированными отверстиями на подложках из вч-ламинатов типа «Roger»
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа № 4 изучение технологического процесса изготовления плат на подложках из поликора без резисторов с покрытием химическим оловом
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа № 5 Скрайбирование полупроводниковых интегральных микросхем на установке механического скрайбирования Алмаз-м
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа № 6 технологии поверхностного монтажа печатных плат
- •Лабораторная работа № 7 Изучение технологии конвекционного оплавления bga-компонентов на установке okInt-5000dz
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа № 8 Термокомпрессионная ультразвуковая микросварка выводов из золота
- •Последовательность выполнения работы
- •Лабораторная работа № 9 Технология ультразвуковой отмывки от флюсов моющим раствором на водной основе электронных изделий после монтажа
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа № 10 рентгеновский контроль паяных соединений
- •Рекомендованная литература
- •305040, Г. Курск, ул. Студенческая, д. 34
- •305005, Г. Курск, ул. Бойцов 9-й дивизии, 185в, оф.
Порядок выполнения работы
1. Получить задание на лабораторную работу у преподавателя.
2. Последовательность выполнения технологических операций осуществлять согласно таблице 3.1.
3. Подготовить отчет о работе.
Таблица 3.1 – Технологический процесс изготовления плат с металлизированными отверстиями на подложках из ВЧ-ламинатов типа Roger
№ опе-ра- ции |
№ пе-ре- хода |
Наименование и содержание операции и перехода |
Средства технологи-ческого оснащения |
Материал |
Режим |
Дополнительные указания |
||
Наиме- нование |
Концен- трация или содер- жание |
Темпера тура, ºС |
Время, мин |
|||||
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
1 |
|
Входной контроль диэлектрика |
|
ВЧ-ламинат |
- |
- |
- |
Контроль проводится техноло-гом участка фотолитографии на соответствие сопроводительным документам на материал |
2 |
|
Получение заготовок подложек |
Линейка Ножницы гильотинные Перчатки х/б |
- |
- |
- |
- |
Размер подложки выбирать в соответствии с количеством модулей на фотошаблоне. Заготовки изготавливать с припуском от 5 до 10 мм до контура платы |
3 |
|
Защита экранной стороны подложки |
Кисть колонковая №5 |
Лак НЦ-218 |
- |
- |
- |
Операцию проводить при од-ностороннем исполнении платы, в случае двусторонней платы выполнять оп.5. Сушку лака проводить на воздухе до полного высыхания |
4 |
Декапирование поверхности медной фольги |
|||||||
1 |
Декапировать поверхность медной фольги |
Ванна винипластовая |
Кислота соляная (плотностью 1,19 г/см³) |
0,5 % |
от 18 до 25 |
0,5 |
- |
Продолжение таблицы 3.1
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
4 |
2 |
Промыть проточной водой |
Раковина-мойка |
- |
- |
от 18 до 25 |
от1,5до2,0 |
- |
3 |
Сушить сжатым воздухом |
Пистолет для обдува пластин |
- |
- |
- |
1 |
Допускается сушка на центрифуге |
|
5 |
|
Нанесение позитивного фоторезиста методом центрифугирования |
Установка на-несения фото-резиста |
Фоторезист ФП-383 |
- |
- |
(25±5) сек |
Скорость нанесения фоторезиста (вращения центрифуги) (2000±100) об/мин, толщина слоя фоторезиста (1,8±0,1) мкм |
6 |
|
Термообработка (сушка) фоторезиста |
Установка ИК-обработки конвейерного типа
|
- |
- |
140±5 |
4,5±0,1 |
Предварительно прогреть установку не менее 20 мин Допускается проводить сушку в сушильном шкафу при температуре (70±3)ºС при двустороннем нанесении фоторезиста в течение (40,0±5,0) мин После сушки хранить неэкспонированную подложку не более трёх суток |
7 |
|
Совмещение и экспонирование |
Кассета для экспонирования Микроскоп МБС-2 |
- |
- |
- |
- |
Перед операцией прогреть установку не менее 15 мин. Время экспонирования ФП от 1 до 3 мин в зависимости от освещённости ламп, устанавливается в рабочем порядке технологом участка фотолитографии |
Продолжение таблицы 3.1
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
7 |
|
|
|
|
|
|
|
Совмещение ФШ с подложкой проводить по реперным знакам. Хранение экс-понированных подложек проводить в специальной таре не более 16 ч |
8 |
Проявление позитивного фоторезиста |
|||||||
1 |
Проявить позитивный фоторезист |
Ванна вини-пластовая Пинцет с фто-ропластовыми наконечни-ками |
Едкое кали |
50 г/л |
от 18 до 25 |
- |
Оптимальный режим проявления от 10 до 120 сек, подбирается технологом участка фотолитографии по контрольной подложке |
|
2 |
Промыть проточной водой |
Раковина-мойка |
- |
- |
от 18 до 25 |
от 1,5 до 2,0 |
- |
|
3 |
Сушить сжатым воздухом |
Пистолет для обдува пластин |
- |
- |
- |
- |
Допускается сушка на центри-фуге |
|
9 |
|
Ретушь плат |
Кисть колон-ковая №1 Игла |
Фоторезист ФП-383 |
- |
- |
- |
Операцию проводить при обнаружении локальных повреждений в маске фоторезиста Сушить на воздухе 5-10 мин для ускорения стравливания меди 35-40повре-ждрольной подложке |
10 |
|
Термообработка (дубление) фоторезиста |
Установка ИК-обработки конвейерного типа |
- |
- |
140±5 |
4,5±0,1 |
Допускается проводить сушку в сушильном шкафу при температуре (75±5)ºС в течение (20,0±3,0) мин |
Продолжение таблицы 3.1
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
11 |
Травление меди с пробельных мест |
|||||||
1 |
Травить медь с пробельных мест |
Ванна вини-пластовая Пинцет фто-ропластовыми наконечни-ками |
Железо хлорное |
от 500 до 550 г/л |
от 18 до 25 |
от 3 до 4 |
Допускается нагрев травиль-ного раствора до температуры от 35ºС до 40ºС для ускорения стравливания меди |
|
2 |
Промыть проточной водой |
Раковина-мойка |
- |
- |
от 18 до 25 |
от 1,5 до 2,0 |
- |
|
3 |
Сушить сжатым воздухом |
Пистолет для обдува пластин |
- |
- |
- |
1 |
Допускается сушка на центри-фуге |
|
12 |
|
Контроль внешнего вида и геометричес-ких размеров плат |
Микроскоп МБС-2 Проектор ТР-201 |
- |
- |
- |
- |
Размеры проводников должны соответствовать требованиям конструкторской документации на платы |
13 |
|
Удаление позитивного фоторезиста |
|
|
|
|
|
|
1 |
Удалить позитивный фоторезист |
Ванна вини-пластовая Пинцет фто-ропластовыми наконечниками |
Натрия гидроокись |
25 % |
от 18 до 25 |
от 3 до 5 |
Обработку подложек проводить с помощью полиуретановой губки |
|
2 |
Промыть проточной водой |
Линия каскадной промывки |
- |
- |
от 18 до 25 |
от 5 до 10 |
Рекомендуется проводить окончательную промывку в деионизованной воде |
Продолжение таблицы 3.1
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
13 |
3 |
Сушить сжатым воздухом |
Пистолет для обдува пластин |
- |
- |
- |
- |
Допускается сушка на центрифуге |
14 |
|
Удаление защиты с экрана подложки |
Чашка Петри Пинцет медицинский |
Ацетон |
- |
- |
- |
Качество удаления лака конт-ролировать под микроскопом |
15 |
|
Сверление отверстий, подлежащих метали-зации |
Универсальнофрезерный станок LPKF |
- |
- |
- |
- |
- |
16 |
Очистка отверстий |
|||||||
1 |
Очистить отверстия ультразвуком |
Установка ультразвуко-вой обработки |
Вода деионизо-ванная |
- |
от 35 до 40 |
5 |
- |
|
2 |
Сушить сжатым воздухом |
Пистолет для обдува пластин |
- |
- |
- |
- |
Допускается сушка на центрифуге |
|
3 |
Контролировать качество очистки отверстий |
Микроскоп МБС-2 |
- |
- |
- |
- |
В отверстиях не должно быть пыли и посторонних включений |
|
4 |
Декапировать поверхность медной фольги |
Ванна винипластовая |
Кислота соляная (плотностью 1,19 г/см³) |
0,5 % |
от 18 до 25 |
0,5 |
- |
|
5 |
Промыть проточной водой |
Линия каскадной промывки |
- |
- |
от 18 до 25 |
от 5 до 10 |
Рекомендуется проводить окончательную промывку проводить в деионизованной воде |
|
6 |
Сушить сжатым воздухом |
- |
- |
- |
- |
1 |
Допускается сушка на центрифуге |
Продолжение таблицы 3.1
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
17 |
Нанесение сухого плёночного фоторезиста |
|||||||
1 |
Нанести сухой плёночный фоторезист |
Установка нанесения сухого плёночного фоторезиста |
Сухой плёночный фоторезист ALPHA или Riston |
- |
от 50 до 125 |
- |
Нанесение фоторезиста производить при неактиничном освещении. Скорость нанесения фоторезиста от 0,6 до 0,8 м/с |
|
2 |
Выдержать заготовки |
Стол рабочий Стойка-штатив |
- |
- |
от 18 до 25 |
от 30 до 60 |
Выдержку производить при неактиничном освещении. Срок хранения заготовок с на-несённым фоторезистом до пяти суток |
|
3 |
Контроль |
Стол рабочий
|
- |
- |
- |
- |
Слой фоторезиста должен быть без пузырей, складок |
|
18 |
Совмещение и экспонирование |
|||||||
1 |
Совместить и экспонировать |
Кассета для экспонирова-ния Микроскоп МБС-2 |
- |
- |
- |
- |
Перед операцией прогреть установку не менее 15 мин. Время экспонирования сухого плёночного фоторезиста от 1 до 3 мин в зависимости от освещённости ламп, устанав-ливается в рабочем порядке технологом участка фотоли-тографии. Совмещение ФШ с подложкой проводить по реперным знакам |
Продолжение таблицы 3.1
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
18 |
2 |
Выдержать заготовки |
Стол рабочий Стойка-штатив |
- |
- |
от 18 до 25 |
от 15 до 30 |
Выдержку производить при неактиничном освещении Экспонированные заготовки хранить не более 12 часов |
3 |
Удалить защитную плёнку |
Стол рабочий
|
- |
- |
- |
- |
- |
|
19 |
Проявление рисунка (вскрытие отверстий, подлежащих металлизации) |
|||||||
1 |
Проявить рисунок |
Фарфоровая чашка Жёсткая кисть Электроплита |
Сода кальцинированная |
от 8 до 20 г/л |
от 26 до 32 |
от 0,5 до 1,0 |
Отработанный раствор нейт-рализовать 10%-ным раствором серной кислоты до рН 6,5 |
|
2 |
Промыть проточной водой |
Раковина-мойка |
- |
- |
от 20 до 25 |
от1до2 |
- |
|
3 |
Сушить сжатым воздухом |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
4 |
Контролировать |
Микроскоп МБС-2 |
- |
- |
- |
- |
В отверстиях не должно быть остатков фоторезиста
|
|
20 |
|
Ретуширование рисунка |
|
|
|
|
|
|
Продолжение таблицы 3.1
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
20 |
1 |
Ретушировать рисунок |
Микроскоп МБС-2 Кисть колонковая №1 |
Спирт этиловый Канифоль сосновая марки А Клей БФ-4 Краситель метиловый фиолетовый (индикатор) |
630 г
272 г
94 г 4 г |
- |
- |
Не допускается скалывания, отслаивания фоторезиста, царапин, нарушающих его целостность
|
2 |
Выдержать заготовки |
Стол рабочий Стойка-штатив |
- |
- |
от 18 до 25 |
от 15 до 30 |
Выдержку производить при неактиничном освещении
|
|
3 |
Контролировать |
Микроскоп МБС-2 |
- |
- |
- |
- |
В отверстиях не должно быть остатков фоторезиста |
|
21 |
Подтравливание диэлектрика |
|||||||
1 |
Подтравить диэлектрик |
Кювета полиэтилено-вая |
Кислота фтористо-водородная (30-40)% Кислота серная (плотностью 1,84 г/см³) |
166 г
833 |
от 18 до 25 |
от 0,5 до 1,0 |
В 0,2 л раствора допускается обрабатывать не более 1500 отверстий |
|
2 |
Промыть проточной водой |
Линия каскадной промывки |
- |
- |
от 18 до 25 |
5 |
- |
Продолжение таблицы 3.1
21 |
3 |
Нейтрализовать |
Ванна вини-пластовая |
Натрий углекислый |
от 20 до 30 г/л |
от 30 до 40 |
от 1,0 до 1,5 |
Рекомендуется покачивать за-готовки |
4 |
Промыть горячей проточной водой |
Раковина-мойка |
- |
- |
от 40 до 50 |
от 2,0 до 3,0 |
- |
|
5 |
Промыть деионизо-ванной водой |
Ванна вини-пластовая |
- |
- |
от 18 до 25 |
от 1,0 до 1,5 |
- |
|
6 |
Сушить |
Сушильный шкаф |
- |
- |
от 50 до 60 |
от15до20 |
- |
|
7 |
Контролировать |
Микроскоп МБС-2 |
- |
- |
- |
- |
В отверстиях не должно быть остатков стекловолокна |
|
22 |
|
Активирование отверстий |
Ванна вини-пластовая Стойка-штатив |
Медь серно-кислая Кальций фосфорно-ватистокис- лый Аммиак водный 25%
Синтанол ДС-10 |
250 г/л
170 г/л
от 280 до 300 мл/л от 0,01 до 0,02 мл/л |
от 18до25 |
от 1,0 до1,5 |
Все отверстия должны быть заполнены раствором. В случае незаполнения отверстий обработку повторить. Обработку проводить, покачивая заготовки. Раствор перед работой фильтровать. При появле-нии плёнки на поверхности раствора добавить 2-3 капли синтанола ДС-20.Раствор корректировать 1-2 раза в месяц добавлением аммиака до рН 9,5-10,0. При снижении акти-вирующей способности раствор заменить
|
Продолжение таблицы 3.1
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
23
|
Термолиз |
|||||||
1 |
Обработать термически |
Шкаф сушильный Стойка-штатив |
- |
- |
150±5 |
от 20 до 25 |
Загрузку и выгрузку плат про-изводить из нагретого до рабочей температуры шкафа. Не допускается высыхание плат на воздухе |
|
2 |
Контролировать |
Микроскоп МБС-2 |
- |
- |
- |
- |
Покрытие в отверстиях долж-но быть блестящего чёрного цвета без светлых и жёлто-зе-лёных участков. Не допуска-ются непокрытые отверстия и отверстия зелёного цвета, что свидетельствуют о неполной термообработке. При наличии указанных дефектов плату промыть и повторить оп.22, 23. Наличие неисчезающих зелё-ных пятен при повторной тер-мообработке свидетельствует о снижении кроющей способ-ности раствора. В данном слу-чае активатор заменить све-жим, обработку повторить |
|
3 |
Промыть проточной водой |
Раковина-мойка |
Губка пенополиурета-новая |
- |
от 30 до 40 |
от 1,0 до 2,0 |
Промывку производить после охлаждения плат с помощью пенополиуретановой губки |
Продолжение таблицы 3.1
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
23
|
4 |
Сушить сжатым воздухом |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
24 |
|
Контроль качества активации |
Микроскоп МБС-2 |
- |
- |
- |
- |
Отверстия должны быть по-крыты тонкой плёнкой от тём-но-коричневого до чёрного цвета. Не допускается наличие «бахромы» в отверстиях. До-пускаются на поверхности фольги следы продуктов тер-молиза. Разрыв между термо-лизом и химическим меднени-ем не должен превышать от 60 до 120 мин
|
25
|
Химическое меднение отверстий |
|||||||
1 |
Декапировать |
Ванна вини-пластовая |
Кислота соляная (плотностью 1,19 г/см³) |
0,5% |
от 18 до 25 |
От 3 до 5 с |
Операцию проводить покачи-ванием заготовок |
|
2 |
Промыть проточной водой |
Раковина-мойка
|
- |
- |
от 18 до 25 |
от 0,5 до 1,0 |
- |
|
3 |
Промыть деионизо-ванной водой
|
- |
- |
- |
от 18 до 25 |
от 0,5 до 1,0 |
- |
Продолжение таблицы 3.1
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
25
|
4 |
Меднить химически |
Ванна вини-пластовая |
Медь сернокислая
Никель хло-ристый
Калий-натрий вин-нокислый
Натрия гидроокись
Натрий углекислый |
от 50 до 60 г/л от 4 до 6 г/л
от 160 до 170 г/л
от 40 до 50 г/л
от 30 до 40 г/л |
от18до25 |
от 20 до 30 |
Процесс не должен идти очень бурно. Допускается газовыде-ление, заметное только на по-верхности раствора. Необхо-димо покачивать заготовки для удаления пузырьков газа из отверстий. При соблюдении режима меднения в отверстиях осаждается слой металла тол-щиной от 15 до 18 мкм. За 15 минут до начала процесса меднения добавить в раствор от 7 до 10 мл/л формалина (33%). После завершения про-цесса меднения добавить в ванну стабилизатор - 1,0 мл/л раствора натрия тиосульфата концентрацией 16 г/л
|
5 |
Промыть проточной водой |
Раковина-мойка |
- |
- |
от 18 до 25 |
от 1,0 до 2,0 |
- |
|
6 |
Сушить сжатым воздухом |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
26 |
|
Контроль |
Микроскоп МБС-2 |
- |
- |
- |
- |
Слой химически осаждённой меди должен быть сплошным, плотным, без разрывов и царапин. Цвет покрытия – от золотистого до тёмно-розового. При плохом качестве покры- тия повторить оп.22-25 |
Продолжение таблицы 3.1
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
27 |
Удаление сухого плё-ночного фоторезиста |
|||||||
1 |
Удалить сухой плё-ночный фоторезист |
Фарфоровая чашка Электро-плитка |
Натрия гидроокись |
От 50 до100 г/л |
от40до 50 |
от 2 до 5 |
Плату выдержать в растворе до изменения окраски фоторе-зиста. Расход раствора 2 л на 1 м² поверхности плат |
|
2 |
Промыть проточной горячей водой |
Раковина-мойка |
- |
- |
от 30 до 40 |
от 1 до 2 |
Промывать тщательно с по-мощью щётки (зубной) |
|
3 |
Промыть проточной холодной водой |
Раковина-мойка |
- |
- |
от 18 до 25 |
от 1 до 2 |
- |
|
4 |
Сушить сжатым воздухом |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
5 |
Контролировать |
Микроскоп МБС-2 |
- |
- |
- |
- |
Остатки фоторезиста допускается удалять скальпелем |
|
28
|
Гальваническое меднение |
|||||||
1 |
Декапировать |
Ванна вини-пластовая |
Кислота соляная (плотностью 1,19 г/см³) |
0,5% |
от 18 до 25 |
От 3 до 5 с |
Операцию проводить покачиванием заготовок |
|
2 |
Промыть проточной водой |
Раковина-мойка |
- |
- |
от 18 до 25 |
от 0,5 до 1,0 |
- |
Продолжение таблицы 3.1
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
28 |
3 |
Меднить гальванически |
Ванна гальва-ническая |
Медь сернокислая
Кислота серная (плотностью 1,84 г/см³) Кислота винная Спирт этиловый |
От 200 до 250 г/л 40 г/л
2 г/л
50 мл/л |
от 18 до 25 |
от 20 до 25 |
Меднение проводить по режиму: плотность тока 30 mA/см². Разрыв между операциями хи-мического и гальванического меднения должен быть минимальным, но не более 24 ч. Платы загружать под током. Перед загрузкой зачистить штанги и аноды шкуркой. Через 10-15 минут провести контроль отверстий на покрытие. Детали покачивать |
4 |
Промыть проточной водой |
Раковина-мойка |
- |
- |
от 18 до 25 |
от 0,5 до 1,0 |
- |
|
29
|
|
Контроль качества гальванической металлизации |
Микроскоп МБС-2 |
- |
- |
- |
- |
Покрытие должно быть сплошным, без разрывов, трещин, пузырей, отслоений |
30 |
Химическое оловянирование |
|||||||
1 |
Декапировать |
Ванна винипластовая |
- |
- |
от 18 до 25 |
0,5 |
- |
|
2 |
Промыть проточной водой |
Раковина-мойка
|
- |
- |
от 18 до 25 |
от 1,5 до 2,0 |
- |
Продолжение таблицы 3.1
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
30 |
3 |
Оловянировать химически |
Ванна вини-пластовая Пинцет фторопластовыми наконечниками |
Олово дву-хлористое Кислота серная (плотностью 1,84 г/см³) Тиомоче-вина |
8 г/л
25 мл/л
40 г/л |
от 18 до 25 |
10±5 |
Подложки покачивать |
4 |
Промыть проточной водой |
Раковина-мойка |
- |
- |
от 18до 25 |
от 1,5 до 2,0 |
- |
|
5 |
Сушить сжатым воздухом |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
31
|
|
Разделение подложек на платы |
Универсальнофрезеровальный станок LPKF |
- |
- |
- |
- |
Выполнять в соответствии с инструкцией на станок . |
32 |
|
Отмывка плат |
Чашка Петри Пинцет медицинский Вата медицинская |
Ацетон |
- |
- |
- |
- |
33 |
|
Химическое оловянирование |
|
|
|
|
|
- |
34
|
|
Контроль внешнего вида плат и электрических параметров |
Микроскоп МБС-2 Омметр Щ-34 |
- |
- |
- |
- |
Переходное сопротивление металлизации должно быть не более 0,05 Ом |
Окончание таблицы 3.1
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
35 |
|
Лужение плат |
Электро-паяльник Электроплита Микроскоп МБС-2 Фторопласто-вая плёнка |
Флюс ФКС Припой ПОСК-50-18 |
- |
- |
- |
- |
36 |
Контроль внешнего вида и упаковка плат |
|||||||
1 |
Контролировать внешний вид плат |
Микроскоп МБС-2 |
- |
- |
- |
- |
Проводится ОТК на соответствие требованиям настоящего стандарта |
|
2 |
Упаковать платы |
Прибор «Молния»
|
Плёнка полиэтиленовая
|
- |
- |
- |
Упаковку проводить групповым или одиночным методом. Прибор прогреть в течение 5 мин. Скрепление слоёв поли-этилена проводить термосваркой. Вложить маркировочный талон |
Требования к отчету
Отчет должен быть оформлен согласно ГОСТу 7.32-2001 и содержать:
Титульный лист.
Цель работы.
Краткие теоретические сведения по фотолитографии.
Результаты выполнения лабораторной работы представить в виде описания используемых материалов и компонентов.
Основными контролируемыми параметрами являются геометрические размеры, топология и наличие дефектов покрытия.
Выводы по работе.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Дайте определение следующих терминов: литография, чувствительный слой, фотолитография, светочувствительный слой, технологический слой, контактная фотолитография, проекционная фотолитография, фотошаблон.
2. Что позволяют литографические процессы в рамках планарно- эпитаксиальной технологии?
3. IIeречислите основные достоинства фотолитографических процессов.
4. Предложите классификационный признак (признаки) и классифицируйте литографические процессы, согласно их классификационных признаков.
5. Объясните основные функции, выполняемые фоторезистом.
6. Поясните разницу между позитивным и негативным фоторезистом.
7. Что такое сухой пленочный фоторезист?
8. Охарактеризуйте технологическую операцию нанесения слоя фоторезиста (назначение, возможности, виды технической реализации, преимущества и недостатки различных видов нанесения жидких (аэрозольных) фоторезистов.
9. Охарактеризуйте технологическую операцию сушки фоторезистивного слоя (назначение, возможности, виды технической реализации, преимущества и недостатки различных видов сушки). Что такое задубливание?
10. Охарактеризуйте технологическую операцию совмещения и экспонирования в цикле литографической обработки поверхности подложек (назначение, возможности, виды технической реализации).
11. Охарактеризуйте технологическую операцию проявления слоя фоторезиста (назначение, возможности, виды технической реализации).
12. Охарактеризуйте химизм и механизм технологической операции проявления негативного фоторезиста.
13. Охарактеризуйте химизм и механизм технологической операции проявления позитивного фоторезиста.
14. Охарактеризуйте технологическую операцию удаления резистивной маски (назначение, цель, возможности, виды технической реализации).