- •Оглавление
- •I. Исследование линий задержки
- •1.1. Цель работы
- •1.2. Подготовка к работе
- •1.3. Лабораторный стенд и методика измерений
- •1.4. Лабораторное задание
- •1.7. Ультразвуковые линии задержки с пьезоэлектрическими преобразователями
- •1.8. Линии задержки на поверхностных акустических волнах
- •2. Исследование импульсных трансформаторов
- •2.1. Цель работы
- •2.2. Подготовка к работе
- •2.3. Лабораторный стенд и методика измерения
- •2.4. Погрешности измерений
- •2.5. Лабораторное задание
- •3. Исследование динамических характеристик сердечников с ппг
- •3.1. Цель работы
- •3.2. Подготовка к работе
- •3.3. Лабораторный стенд и методика измерения
- •3.4. Погрешности измерения
- •3.5. Лабораторное задание
- •4. Исследование частотных свойств стандартных резисторов и конденсаторов
- •4.1. Цель работы
- •4.2. Подготовка к работе
- •4.3. Лабораторный стенд и методика измерений
- •4.4. Погрешности измерений
- •4.5. Лабораторное задание
- •5. Исследование приборов индикации
- •5.1. Цель работы
- •5.2. Подготовка к работе
- •5.3. Лабораторной стенд и методика измерений
- •5.4. Лабораторное задание
- •5.5.Простейшие, устройства отображения информации
- •6. Исследование оптоэлекгронных ксшутационкых элементов
- •6.1. Цель работы
- •6.2. Подготовка к работе
- •6.3. Лабораторный стенд и методика измерений
- •6.4. Лабораторное задание
- •6.5. Классификация и области применения коммутационных устройств
- •Коммутационные устройства
- •6.7. Промышленные типы оптоэлектронных коммутаторов
- •Библиографический список
- •Приложение
- •1. Инструкция по эксплуатации куметра вм-560
- •2. Инструкция по эксплуатации полуавтоматического универсального моста вм-509
- •3. Упрощенная процедура многофакторного эксперимента
- •4. Процедура статистической обработки результатов эксперимента
- •5. Содержание отчета
- •6. Определение коэффициента корреляции
6.7. Промышленные типы оптоэлектронных коммутаторов
По физическому признаку ОЭК можно -подразделить на элементарные и сложные оптроны. В элементарных оптронах содержится светодиод и один фотоприемник, который является одновременно и выходным элементом (например, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор, фототеристор и т.д.). В сложных ОЭК для обеспечения требуемых выходных параметров используются специальные элементы. Например, для повышения коэффициента К включаются составной транзистор или тиристор (рис. 6.10). Для повышения коммутируемого напряжения выходные элементы и фотоприемники могут быть включены последовательно. Ориентировочные величины параметров широко распространенных промышленных, оптронов приведены в табл. 6.1. Система параметров оптронов включает параметры четырех групп: входные и выходные, передаточные характеристики и параметры гальванической изоляции входа и выхода. Резистивные оптроны характеризуются линейностью и симметричностью выходной ВАХ, отсутствием внутренних здс, высокой кратностью отношения Рт / Рсв. Поэтому, несмотря на свою значительную инерционность (10-1 ...10-2 с), сохраняют важное самостоятельное значение в коммутационных элементах.
Диодные оптроны, почти исключительно построенные на использовании р - i - n фотоприемников, отличаются наибольшим быстродействием (вплоть до t вкл ≈ 10-8 с), но значение Кi, составляет единицы процентов, поэтому необходимо усиление сигнала. Кроме широкого самостоятельного применения диодные оптроны, как приборы универсального назначения, используются в качестве компонентов, в оптронных микросхемах. Транзисторные оптроны характеризуются наибольшей схемотехнической гибкостью, имеют высокое значение коэффициента передачи тока, но относительно невысокое быстродействие (t вкл 2...5 мкс).
Особенно большое значение Ki достигается в составных транзисторных оптронах.
Тиристорные оптроны очень удобны в "силовой" электронике т.о. они используются для коммутации сильноточных цепей (Uком≈50…600 В, Jком*≈0,1…10Л). Управляя столь значительными мощностями в нагрузке, тиристорные оптроны по входу совместимы с интегральными схемами. Как элементы, обладающие внутренней памятью, тиристорные оптроны оказываются удобными и для использования в микросхемах релейного типа.
Кроме рассмотренных разновидностей промышленных оптронов, получивших широкое распространение, электронной промышленностью выпускаются оптроны, в которых в качестве фотоприемников используются МДП - транзисторы, полевые транзисторы с управляющим переходом, однопереходные транзисторы, лавинные диоды и другие активные приборы. Основные направления развития оптоэлектронных коммутаторов - это переход на изготовление их методами интегральной технологии и дальнейшая функциональная интеграция. Для этого увеличивается число изолированных входов и выходов в одном корпусе оптрона.
Вместе с улучшением технических характеристик повышается устойчивость оптоэлектронных коммутаторов к действию внешних, факторов, в частности, к высокой температуре и радиации.
а)-оптрон на составных транзисторах; б)-оптрон на составном тиристоре рис 6.10
Основные характеристики промышленных оптоэлектронных коммутаторов
Табл 6.1
