Світлодіодна матриця 5×7 на базі мікроконтролера Atmega8
Схема світлодіодної матриці представлена на рис.4.
Рис. 4.
Схема світлодіодної матриці
на базі мікроконтролера Atmega8
Як видно з рис. 4 , схема світлодіодної матриці складається із самих світлодіодів, а також резисторів та транзисторів, які зменшують навантаження на контролер.
Для кращої візуалізації обрано світлодіоди типу AL-103OR3D-D, діаметр яких 10 мм. Габаритне креслення та технічні параметри даного діода показані на рис. 5 та в таблиці 2 відповідно.
Рис. 5. Габаритне креслення світлодіода AL-103OR3D-D
Таблиця 2. Технічні параметри
Марка |
Кристал |
Тип лінзи |
|
Матеріал |
Колір випромінювання |
||
AL-103OR3D-D |
AllnGap |
Ультраяскравий червоний |
Червона дифузна |
Таблиця 3. Максимально допустимі параметри
Параметр |
Позначення |
Максимальне значення |
Прямий струм при температурі 25˚ |
Іа |
50 мА |
Температура навколишнього середовища |
Тнс |
-40…+85˚ |
Температура корпусу |
Тк |
-40…+85˚ |
Температура пайки |
Тп |
260±5˚ |
Потенціал статичної електрики |
Uес |
1000 В |
Розсіювана потужність |
Ра |
130 мВт |
Імпульсний струм (сквапність 1/10, F=1кГц) |
Іа.і |
150 мА |
Пряма напруга |
Uпр |
2.6 В |
Зворотня напруга |
Uo |
5 В |
Для заземлення ряду світлодіодів використано транзистори у вигляді ключів. Використано транзистори VT1 – VT5 типу BC547B, електричні характеристики якого показані в таблиці 4.
Таблиця 4. Електричні характеристики транзисторів типу BC547B
Характеристика |
Символ |
Мін. |
Норм. |
Макс. |
Одиниця |
Характеристика вимкненого |
|||||
Номінальна напруга колектор-емітер Ік=1 мА, Іб=0 |
Uке |
45 |
– |
– |
В |
Номінальна напруга колектор-база Ік=100 мкА |
Uкб |
50 |
– |
– |
В |
Номінальна напруга емітер-база Іе=10 мкА, Ік=0 |
Uеб |
6.0 |
– |
– |
В |
Струм колектор-емітер (Uке = 50 В, Uбе = 0) (Uке = 30 В, ТА = 125˚С) |
Іке |
– – |
0.2 – |
15 4.0 |
нА мкА |
Характеристика увімкненого |
|||||
Коефіцієнт підсилення (Ік = 10 мкА, Uке = 5.0 В) (Ік = 2.0 мА, Uке = 5.0 В) (Ік = 100 мА, Uке = 5.0 В) |
h |
– 200 – |
150 290 180 |
– 450 – |
–
|
Насичена напруга колектор-емітер (Ік=10 мА, Іб=0.5 мА) |
Uке |
– |
0.09 |
0.25 |
В |
Насичена напруга база-емітер (Ік=10 мА, Іб=0.5 мА) |
Uбе |
– |
0.7 |
– |
В |
Напруга проходу база-емітер (Ік=10 мА, Uке =5 В) |
Uбе |
– |
– |
0.77 |
В |