
- •Логические основы цифровой электроники
- •Кодирование цифровой информации
- •Некоторые двоично-десятичные коды
- •Код Грея
- •1.2. Классификация цифровых устройств
- •1.3. Основы алгебры и логики
- •1.4. Способы задания и преобразования логических функций
- •1.5. Минимизация логических функций
- •1.6. Вопросы и упражнения
- •Комбинационные цифровые устройства
- •Особенности синтеза и функционирования комбинационных цифровых устройств
- •2.2. Элементная база для практической реализации цифровых устройств
- •2.3 Цифровые логические элементы
- •Статические параметры логических элементов. В качестве важнейших статических параметров приводятся четыре значения напряжений и четыре значения токов.
- •2.4 Типы выходных каскадов цифровых элементов
- •X1 x0 1 “эмиттерный дот”
- •Соединяя прямой выход с инверсным, можно получить функцию вида
- •2.5. Вопросы и упражнения
- •3. Типовые комбинационные цифровые устройства
- •3.1. Преобразователи кодов, шифраторы и дешифраторы
- •3.2. Шифраторы
- •3.3. Дешифраторы
- •3.4. Мультиплексоры и демультиплексоры
- •3.5. Компараторы
- •3.6. Арифметические устройства
- •3.7. Вопросы и упражнения
Статические параметры логических элементов. В качестве важнейших статических параметров приводятся четыре значения напряжений и четыре значения токов.
Четыре значения напряжений задают границы отображения переменных (0 и 1) на выходе и входе элемента. Для нормальной работы элемента требуется, чтобы напряжение, отображающее логическую 1, было достаточно высоким, а напряжение, отображающее 0, — достаточно низким. Эти требования задаются параметрами Uвx.1.min и Uвx.0.max. Входные напряжения данного элемента есть выходные напряжения предыдущего (источника сигналов). Уровни, гарантируемые на выходе элемента при соблюдении допустимых нагрузочных условий, задаются параметрами Uвx.1.max и Uвx.0.max. Выходные уровни несколько "лучше" входных, что обеспечивает определенную помехоустойчивость элемента. Для уровня U1 опасны отрицательные помехи, снижающие его, причем допустимая статическая помеха (т. е. помеха любой длительности)
Для уровня u0 опасны положительные помехи, причем допустимая статическая помеха
Четыре значения токов — входные и выходные токи в обоих логических состояниях. При высоком уровне выходного напряжения из элемента — источника ток вытекает, цепи нагрузки ток поглощают. При низком уровне выходного напряжения элемента-источника ток нагрузки втекает в этот элемент, а из входных цепей элементов-приемников токи вытекают. Зная токи Iвых.1.mах и Iвых.0.mах, характеризующие возможности элемента — источника сигнала, и токи Iвх.1.mах и Iвх.0.mах, потребляемые элементами-приемниками, можно контролировать соблюдение нагрузочных ограничений, обязательное для всех элементов схемы ЦУ.
Быстродействие логических элементов. Быстродействие логических элементов определяется скоростями их перехода из одного состояния в другое. Быстродействие ЦУ определяется задержками сигналов, как в логических элементах, так и в цепях их межсоединений.
Временные диаграммы переключения инвертирующего логического элемента (рис. 2.7.) показывают длительности характерных этапов переходных процессов, отсчитываемые по так называемым измерительным уровням. Моментом изменения логического сигнала считают момент достижения им порогового уровня. Часто за пороговый уровень принимают середину логического перепада сигнала, т. е. 0,5(U0 + U1). Иногда пороговый уровень указывается более точно в паспортных данных элемента. На временных диаграммах показаны задержки распространения сигнала при изменении выходного напряжения элемента от U1 до U0 и обратно (t10 и t01). Очень часто для упрощения расчетов пользуются усредненным значением задержки распространения сигнала tз = 0,5(t10 + t01).
Следует обратить внимание на то, что усреднение согласно приведенному соотношению не относится к технологическому разбросу задержек. Также следует заметить, что справочные данные о задержках соответствуют определенным условиям измерений, указанным в справочниках. Если условия работы элемента отличаются от условий измерения, то может потребоваться коррекция справочных данных.
tф
0,1U
Входной сигнал
U1
Uпор
U0
U
0,1U
Выходной сигнал
Uпор
U1
U0
t10
t01
Рис. 2.7. Временные диаграммы процессов переключения логического элемента
На быстродействие ЦУ влияют также емкости, на перезаряд которых требуются затраты времени. В справочных данных приводятся входные и выходные емкости логических элементов, знание которых позволяет подсчитать емкости нагрузки в узлах схемы. Для подключаемой к выходу элемента емкости приводятся две цифры: номинальная емкость СL (L от Load) и предельно допустимая емкость Сmах. Первая емкость соответствует условиям измерения задержек сигналов, так что именно для нее справедливы значения задержек сигналов, приведенные в справочных данных. Если реальная нагрузочная емкость отличается от номинальной, то изменятся и значения задержек. Значения реальных задержек можно оценить с помощью соотношения tз = tз.н + kC, где tз.н — номинальное значение задержки; C = С - cl;
С — фактическое значение нагрузочной емкости; k — коэффициент, величина которого задается для каждой серии элементов индивидуально.
Предельно допустимая ёмкость указывает границу, которую нельзя нарушать, поскольку при этом работоспособность элемента не гарантируется.
Разумеется, при подсчете емкостей в узлах ЦУ учитываются и емкости межсоединений (монтажные емкости).
Мощности потребления логических элементов. При разработке ЦУ требуется оценивать мощности их потребления, чтобы сформулировать требования к источникам питания и конструкции теплоотвода. При этом суммируются мощности, рассеиваемые логическими и другими элементами схемы, а также межсоединениями.
Мощности, потребляемые элементами, делят на статические и динамические. Статическая мощность потребляется элементом, который не переключается. При переключении потребляется дополнительно динамическая мощность, которая пропорциональна частоте переключения элемента. Таким образом, полная мощность зависит от частоты переключения элемента, что и следует учитывать при ее подсчете. Обычно не возникает трудностей при подсчете мощностей, потребляемых биполярными схемами. При подсчете мощностей, потребляемых элементами типа КМОП, положение намного сложнее и данных, приведенных в справочниках, может не хватить. Здесь следует отметить, что в настоящее время только справочник под редакцией И. И. Петровского [21] предоставляет удобные данные для расчета мощностей ЦУ на элементах КМОП (для серии элементов КР1554).
Так же основным параметрам логических элементов относятся:
• набор логических функций;
• число входов по И и по ИЛИ;
• коэффициент разветвления по выходу;
В табл.2.1 приведены основные логические функции, обозначения соответствующих элементов и их схемы.
Число входов по И и по ИЛИ лежит в пределах от 2 до 16. Если имеющегося числа, входов недостаточно, то для их увеличения используются интегральные схемы расширителей по ИЛИ, обозначаемые ЛД.
Таблица 12.1 |
||
Основные логические функции. |
||
Элемент |
Обозначение |
Выполняемая функция и схема |
X x0
Y=X
1 |
ЛН |
|
X1 x0
X2
Y=X1X2
& |
ЛИ |
|
&
X1 x0
X2
Y=X1X2
|
ЛА |
|
Y=X1+X2
X1
X2
1 |
ЛЛ |
|
X1 x0
X2
1
Y=X1+X2
|
ЛЕ |
|
1
&
&
X1
X2
X3
X4
Y=X1X2+X3X4 |
ЛС |
|
1
&
&
X1
X2
X3
X4
Y=X1X2+X3X4 |
ЛР |
|
Y=X1X2+X1X2=X1X2
X1
X2
=1 |
ЛП |
|
Серийные логические ИМС. В зависимости от технологии изготовления логические ИМС делятся на серии, отличающиеся набором элементов, напряжением питания, потребляемой мощностью, динамическим параметрам и др. Наибольшее применение получили серии логических ИМС, выполненные по ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика), ЭСЛ (эмиттерно-связанная логика) и КМОП (комплиментарная МОП логика) технологиям. Каждая из перечисленных технологий совершенствовалась, поэтому в каждой серии ИМС имеются подсерии, отличающиеся по параметрам.
В ИМС, выполненных по технологии ТТЛ, в качестве базового элемента используется многоэмиттерный транзистор. Упрощенная схема логического элемента И-НЕ с многоэмиттерным транзистором VT1 приведена на рис. 2.8. Многоэмиттерный транзистор (МЭТ) отличается от обычного транзистора тем, что он имеет несколько эмиттеров, расположенных так, что прямое взаимодействие между ними исключается. Благодаря этому переходы база-эмиттеры МЭТ можно рассматривать как параллельно включенные диоды.
Второй транзистор VT2 является инвертором сигнала, выполняющим функцию НЕ. Если хотя бы на один эмиттер МЭТ подан низкий уровень, то ток базы VT2 равен нулю и на коллекторе VT2 будет высокий уровень. Для того чтобы напряжение на коллекторе VT2. имело низкий уровень, необходимо на все эмиттеры МЭТ подать высокий уровень. Благодаря этому алгоритму реализуется функция И-НЕ. В более поздних сериях
Eп=+5В
R1
R2
VT1
Y=X1X2
X1
VT2
X1
x0
&
Y
X2
X2
Рис. 2.8. Упрощенная схема логического элемента 2И-НЕ (ТТЛ)
ИМС, выполненных по технологии ТТЛ, использовался сложный инвертор с двуполярным ключом, а для исключения насыщения МЭТ применялись диоды Шотки с малым падением напряжения в прямом направлении (ТТЛШ).
Первым разработчиком ИМС по технологии ТТЛ является фирма Texas Instruments, которая выпустила ИМС серии SN74. Дальнейшие усовершенствования этой серии были направлены на повышение быстродействия и снижение потребляемой мощности. В табл. 2.2 приведены серии отечественных микросхем и их соответствие различным сериям микросхем SN74/54.
Таблица 2.2 |
|||
Серии логических ИМС ТТЛ |
|||
Серия |
Аналог |
Серия |
Аналог |
SN74 |
155 |
SN54 |
133 |
SN74L |
138 |
SN54L |
136 |
SN74H |
131 |
SN54H |
130 |
SN74LS |
555 |
SN54LS |
533 |
SN74S |
531 |
SN54S |
530 |
SN74ALS |
KP1533 |
SN54ALS |
1533 |
SN74F |
KP1531 |
SN54F |
1531 |
Основные параметры ИМС ТТЛ различных серий приведены в табл. 2.3. По сочетанию параметров наибольшее распространение получили ИМС серии SN74LS (серия 555). ИМС этой серии работают при напряжении питания +5 В ±5%.
В ИМС, выполненных по технологии ЭСЛ, в качестве базового элемента используется дифференциальный усилитель.
Упрощенная схема логического элемента ИЛИ-НЕ с дифференциальным усилителем приведена на рис. 2.3.
Обозначения. L (low) — маломочная серия, Н (high) — быстродействующая серия, LS (low, Shottky) — маломощная с диодами Шотки, S (Shottky) — с диодами Шотки, ALS — усовершенствованная с диодами Шотки, F (fast) — сверхбыстродействующая.
Таблица 2.3 |
||||
Основные параметры ИМС ТТЛ |
||||
Серия ИМС |
Потребляемая мощность, мВт |
Задержка времени, нс |
Максимальная частота, МГц |
Коэффициент разветвления |
SN74 |
10 |
10,0 |
35 |
10 |
SN74L |
1 |
33,0 |
3 |
10 |
SN74H |
22 |
6,0 |
50 |
10 |
SN74LS |
2 |
9,5 |
45 |
20 |
SN74S |
19 |
3,0 |
125 |
10 |
SN74ALS |
1 |
4,0 |
50 |
40 |
SN74F |
4 |
2,0 |
130 |
33 |
Большое быстродействие ИМС ЭСЛ обусловлено тем, что в этих элементах транзисторы работают в ненасыщенном (линейном) режиме. На выходе элемента применяется эмиттерный повторитель, который обеспечивает быстрый заряд емкости нагрузки.
На рис. 2.3. дифференциальный усилитель выполнен на транзисторах VT1 VT3, а эмиттерный повторитель на транзисторе VТ4 Выходной сигнал можно снимать с инверсного выхода ДУ, как приведено на рис 12 3, что обеспечивает операцию НЕ, так и с неинверсного выхода (с коллектора VT3), что обеспечивает выполнение операции ИЛИ без инверсии.
Повышение быстродействия в этих элементах достигается также ограничением перепада выходного напряжения, что связано с уменьшением помехоустойчивости ИМС ЭСЛ.
R1
R2
VT4
VT3
VT1
VT2
Есм
X1
Еоп
Rэ
Rб2
Rб1
Rб3
Rн
X2
-Еп=-5,2В
Рис. 2.9. Упрощенная схема логического элемента 2ИЛИ НЕ (ЭСЛ)
Для ограничения перепада выходного напряжения используются источники опорного напряжения Еоп и смещения Есм. Все входы дифференциального усилителя подключены через резисторы Rб к источнику питания, что позволяет неиспользуемые входы ИМС оставлять неподключенными.
Первым разработчиком ИМС по технологии ЭСЛ была фирма Motorola, которая выпустила серию ИМС МС10000 (МС10К). В процессе усовершенствования этих ИМС была выпущена серия МС100000 (МС100К).
Таблица 2.4 |
|||||
Серия и основные параметры ИМС ЭСЛ |
|||||
Серия ИМС |
Аналог |
Потребляемая мощность, мВт |
Задержка времени, нс |
Коэффициент разветвления |
Напряжение питания, В |
МС10000 МС10К |
100, 500 |
35 |
2,90 |
15 |
-5,2 |
МС100000 МС100К |
1500 |
40 |
0,75 |
20 |
-4,5 |
Основные параметры ИМС ЭСЛ и их отечественные аналоги приведены в табл. 2.10. Микросхемы серий 500 и 1500 имеют несколько отличающиеся напряжения питания (-5,2В и -4,5В), однако по уровням входных и выходных логических сигналов они совместимы. Напряжение логического нуля равно -1,8В, а напряжение логической единицы равно -0,9 В.
В ИМС, выполненных по технологии КМОП, в качестве базового элемента используются ключевые схемы, построенные на комплиментарных МОП-транзисторах. На рис. 2.10 приведена схема логического элемента И-НЕ, выполненного по технологии КМОП. Эта схема состоит из двух групп ключей на полевых транзисторах T1, T3 и T2, Т4. Каждая группа управляется одним сигналом X1 или X2
При подаче сигналов X1=X2=”
l ” ключи на транзисторах
T1 и T2
размыкаются, а ключи на транзисторах
T3 и T4
замыкаются. В результате сигнал на
выходе
.
Применение полевых транзисторов с изолированным затвором обеспечивает высокое входное сопротивление микросхем КМОП. Благодаря малой входной емкости и высокому сопротивлению микросхемы КМОП чувствительны к статическому электричеству. Пробой изоляции под затвором происходит при напряжении около 30В, в результате чего транзистор повреждается. Защита входов ИМС КМОП осуществляется с помощью встроенных диодов или стабилитронов, подключенных к линиям питания ИМС.
VT2
Y=X1X2
VT4
X1
VT3
X2
Рис.2.10. Упрощенная схема логического элемента 2И-НЕ (КМОП)
Достоинствами ИМС КМОП являются малая потребляемая мощность и высокая помехозащищенность в сочетании с высоким быстродействием и нагрузочной способностью. Питание таких ИМС производится от источника напряжения +5...+15В.
Таблица 2.5 |
|||
Серии логических ИМС КМОП |
|||
Серия ИМС |
Аналог |
Фирма-разработчик |
Напряжение питания, В |
CD4000 |
164, 176 |
RCA |
9 |
CD4000A |
561, 564 |
RCA |
3…15 |
MC14000A |
то же |
Motorola |
то же |
CD4000B |
KP1561 |
RCA |
3…18 |
54HC |
1564 |
|
2…6 |
Разработка первых ИМС КМОП серии CD4000 была выполнена фирмой RCA в 1968 г. Позднее эта фирма выпустила еще две серии усовершенствованных ИМС CD4000A и CD4000B. Основные серии ИМС КМОП, их отечественные аналоги и фирмы-разработчики приведены в табл. 2.5. По сравнению с ИМС ТТЛ микросхемы КМОП имеют -следующие достоинства:
- малая потребляемая мощность в диапазоне частот до 2 МГц (мощность в статическом режиме не превышает 1 мкВт);
- большой диапазоне напряжений питания (от 3 до 15 В);
- очень высокое входное сопротивление (больше 1 МОм);
большая нагрузочная способность (коэффициент разветвления больше 50).
К недостаткам ИМС КМОП относятся:
- большие времена задержки (до 100нс);
- повышенное выходное сопротивление (до 1 кОм);
значительный разброс всех параметров.
Уровни выходных сигналов зависят от напряжения питания. Уровень логической «1» равен примерно 0,8Епит, а уровень логического «0» — от 0,3 до 2,5В.
Основные характеристики различных серий ИМС КМОП приведены в таблице 2.6.
Таблица 2.6 |
||||
Основные параметры ИМС КМОП |
||||
Серия ИМС |
Потребляемая мощность, мВт |
Задержка времени, нс |
Максимальная частота, МГц |
Коэффициент разветвления |
CD4000 |
30 |
200 |
5 |
50 |
CD4000A |
50 |
100 |
5 |
50 |
CD4000B |
100 |
30 |
10 |
100 |
54HC |
100 |
10 |
50 |
50 |
Совершенствование технологии ИМС КМОП привело в настоящее время к тому, что характеристики наиболее быстродействующих ИМС КМОП серии 54НС практически сравнялись с характеристиками ИМС ТТЛ серии SN74LS.