Современные модули памяти
SIMM /SIP – 30 pin (выводов)
SIMM – 72 pin
DIMM – 168 pin
Конструкция модуля DIMM (EDO память)
Для хранения конфигурации памяти сначала использовали перемычки, а затем flash память. Модуль DIMM имеет 8 банков памяти, банки 8 бит или 9, (с контролером чётности). Банков может быть 9 (1 бит паритета).
Память для ноутбуков SO DIMM
Поддерживает одностороннюю и двустороннюю организацию, имеет 144 контакта.
Количество микросхем на DIMM от 4 до 36.
PIDO содержала специальные регистры и буферные усилители, которые уменьшали нагрузку на чипсет. Входная ёмкость до 10 пФ.
Снагрузки ~ 100 пФ
Rвых ~ 100 Ом
Синхронная динамическая память
DDR работает по уровню. Быстродействие в блочном режиме в 2 раза больше, чем SDRAM, за счёт наличия двух фаз тактирования.
DDR по размеру не отличается от DIM, 184 выхода.
RDRAM имеет последовательный канал, за счёт этого в блочном режиме данные читаются быстрее, но в режиме выборки работает медленнее. Структурная схема имеет два буферных регистра.
Память RIMM выполнена RDRAM. Количество микросхем не превышает 8, микросхемы имеют последовательный канал связи. Системные платы поддерживают два модуля RIMM. В свободные разъёмы необходимо установить заглушки, чтобы замкнуть последовательный канал. Больше двух модулей установить нельзя, это связано с задержкой. Длина модуля ~10см.
Функциональное обозначение SDRAM
CS – выбор кристалла
CE – разрешение входа тактирования
DQMB – разрешение входа выходного буфера
Микросхема выполняется так, чтобы кроме обычных выходов питания были дополнительные.
SDRAM допускает работу в блочном режиме, чтение осуществляется последовательно. В блочном режиме 1 байт читается за 4 такта. В первом такте подаётся команда, второй и третий – адрес строки и столбца, в четвёртом – первый байт данных. 168 контактов, 2 ключа.
В DDR 1 байт читается за 3 такта в обычном режиме, в блочном в два раз быстрее.
184 контакта, 1 ключ.
Конструкция DIMM, SDRAM, DDR
Если память с паритетом можно записывать только слово, байт нельзя.
DIMM бывает односторонняя и двусторонняя.
Нагрузка на системную шину минимальная. Нет проблем с длительностью фронта.
Отличие DDR:
DDR имеет два сигнала CLK – прямой и инверсный;
сигнал DQMB – двунаправленный;
тактовые генераторы никогда не выключают;
Трудности при конструировании памяти:
Ёмкостная нагрузка. Если она не отвечает требованиям, то микросхема работает медленно.
Динамическое сопротивление меняется в зависимости от режима работы.
Память FIFO
IBF – входной буфер
OBL – выходной буфер
RES – сброс очереди
Память RAM
Используется в многопроцессорных системах для организации обмена данными. Объём до нескольких сот Кбайт.
Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ)
Масочные пзу
В масочных ПЗУ информация записывается на этапе изготовления с помощью специальной маски.
Технология изготовления
Дешёвые при массовом производстве. Самые надёжные, не может быть сбоев.
Используются в качестве хранилища информации при массовом производстве какого-либо изделия. Например: программа управления бытовым прибором.
BIOS не хранят в масочных ПЗУ, потому что разработчики не успевают как следует его оттестировать.
Модуль ПЗУ
Однократно – программируемые ПЗУ
Если используется МОП – технология, то используют кристаллы от репрограмируеммых ПЗУ и дешёвые корпуса (их можно сделать репрограммируемыми).