
- •Основы проектирования электронных средств
- •6 Семестр, 3 курс, гр. Р, рс, рб
- •Лекция 1. Введение в проектирование эс. История развития конструкций электронных средств. Лекция 2. Эмс как важнейший фактор создания электронных средств
- •Совместимость технических средств
- •Походы к обеспечению эмс
- •Эмс и нарушения функциональной безопасности
- •Уровень напряженности поля
- •Информационная безопасность
- •Электромагнитное оружие
- •Директива эмс и техническое регулирование Директивы нового подхода
- •Система технического регулирования в области эмс в рф
- •Лекция 3. Верификация в проектировании модулей
- •Верификация и прототипирование
- •Концепция "сдвига влево"
- •Целостность сигнала
- •Результатами выполнения этих задач являются:
- •Параметрическая верификация
- •Электронные модули цифровых устройств и быстродействие
- •Методология проектирования
- •Лекция 4. Топологическое проектирование
- •Основные понятия теории графов
- •Способы задания графов
- •Классификация графов
- •Элементы графа
- •Части графа
- •Структурные свойства связных графов
- •Матрица соединений
- •Матрица инциденций
- •Содержание задач топологического проектирования
- •Задача разбиения
- •Задача размещения
- •Трассировка
- •Лекция 5. Алгоритмы решения топологических задач
- •Алгоритм последовательного разбиения
- •Пример решения конкретной задачи
- •Алгоритм размещения
- •Коммутационное поле
- •Позиция
- •Характеристика позиций
- •Параллельный алгоритм одновременного размещения
- •Алгоритмы трассировки
- •Волновой алгоритм
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 6. Элементная база эс и конструкции плат
- •Элементная база
- •Спектр сигнала определяется соотношением
- •Конструкции печатных плат
- •Лекция 7. Линии передачи в монтажных соединениях
- •Параметры линий передач и методы их расчета
- •. Расчет емкости базового параметра Базовый параметр линий передачи электрическая емкость
- •Расчет емкости в односторонних платах
- •Значение погонной емкости линии передачи в стеклотекстолите с волновым сопротивлением 50 Ом составляет около 1,4 пФ/см Пример расчета
- •Понятие электрически длинной и короткой линии передачи
- •Анализ линии в частотной области
- •Анализ линии во временной области
- •Лекция 8. Помехи в одиночных линиях
- •Помехи в короткой линии
- •Помехи в длинных линиях передачи
- •Расчет помех отражения при линейных нагрузках
- •Характер переходного процесса в длинной линии
- •Согласование длинных линий
- •Рекомендации
- •Лекция 9. Перекрестные помехи в связанных линиях передачи
- •Перекрестная помеха в короткой линии
- •Лекция 10. Помехи в шинах питания
- •Механизме возникновение помех
- •10.2. Устранение помех по шинам питания
- •10.3. Размещение и подключение конденсаторов
- •10.4. Рекомендации по проектированию шин питания и заземления
- •Лекция 11. Структурный метод проектирования мпп Основные этапы проектирования:
- •Лекция 12. Концепция экранирования
- •Взаимодействие источников и рецепторов помех
- •Принцип электромагнитного экранирования
- •Топологические понятия
- •Механизм влияния электромагнитных воздействий на оборудования
- •Лекция 13. Механизмы работы экрана при различных видах излучения, ближняя и дальняя зона
- •Лекция 14. Экранирующие материалы и покрытия
- •Металлы и сплавы
- •Металлические листы
- •Сеточные материалы
- •Параметры металлических материалов для экранов Волновое сопротивление металла
- •Скин-слой
- •Магнитные материалы
- •Пермаллой
- •Особенности технологии пермаллоя
- •Лекция 15. Экранирование в ближней зоне
- •Электростатическое экранирование
- •Особенности экранирования в ближней зоне
- •Механизм электростатического экранирования
- •Магнитное экранирование
- •Механизм экранирования
- •Экраны для магнитного экранирования
- •Лекция 16. Электродинамическое экранирование
- •Методы расчёта эффективности сплошных экранов
- •Эффективность экранирования
- •Зависимость эффективности экранирования от частоты
- •Снижение эффективности экранирования из-за апертур
- •Применение прокладок
- •Установка прокладок
Механизм электростатического экранирования
Экранирование электрических переменных полей по существу является задачей устранения паразитных емкостных связей.
На Рис. 15.3 показано влияние положительного заряда тела А на тело Б вследствие наличия взаимной емкости связи САБ.
Если между телами А и Б установить металлический экран В радиуса r (Рис. 15.4), то он будет перехватывать часть электрических силовых линий между телами, защищая тем самым тело Б от электрического поля тела А. В этом случае получаем своего рода емкостной делитель. В данном случае эффектность экранирования плоского экрана радиуса r можно оценить по формуле
,
где
V2
потенциал на рецепторе без установки
экрана,
потенциал на рецепторе после установки
экрана. CАБ
емкость между телами А
и Б
до установки экрана,
емкость между телами А
и Б
после
установки экрана,
Эффективность экранирования в данном случае определяется главным образом возможностями проникновения поля помех за экран в результате дифракции поля (рис. 3.4).
|
|
Рис. 15.3. Схема влияния тела А на тело Б
|
Рис. 15.4. Дифракция для экрана В между телами А и Б
|
Электрическое поле (от источник электрического поля) в ближней зоне ослабляется пропорционально кубу расстояния.
Обобщая все сказанное выше, можно сформулировать способы уменьшения емкостной связи между телами А и Б, а именное:
разносить на максимальное расстояние тела А и Б,
использовать в конструкции миниатюрные компоненты для снижения взаимной емкости,
использовать (если возможно) принцип компенсации зарядов и их электрических полей для совокупности тел,
при недостаточности этих мер, между элементами устанавливают экран, служащий для перехвата силовых линий электрического поля, связывающего объекты.
Используя электростатический экран, важно, как отмечалось, чтобы он хорошо был заземлен, т.е. соединен с корпусом.
Магнитное экранирование
Механизм экранирования
Вокруг витка с постоянным током существует постоянной магнитное поле с напряженностью Ho зависящее от точки измерения (рис. 15.5). Окружим виток замкнутым экраном. Если экран изготовлен из немагнитного материала, т.е. из материала, у которого r =1 (медь, алюминий), то он не окажет на магнитное поле ни какого влияния, т.е. эффективность экранирования в установившимся режиме будет равна 1.
Рис. 15.5. Поле витка (слева) и экранирование витка постоянным током с током
Если материал изготовлен из материала с r > 1, то он намагнитится и созданное им вторично поле, сложившись с первичным, приведет к ослаблению поля вне экрана. То есть силовые линии поля витка, встречая экран, обладающий меньшим магнитным сопротивлением, чем свободное пространство, стремятся пройти по стенкам экрана и в меньшем числе проникают в пространство вне экрана. Такой экран одинаково пригоден для защиты от воздействия магнитного поля и для защиты внешнего пространства от влияния магнитного поля созданного источником внутри экрана (рис. 15.6).
Рис. 15.6. Экранирование элемента А от внешнего поля Н.
При повышении частоты в экране возникают вихревые токи, которые в определенной мере компенсируют своими полями внешнее воздействующее магнитной поле.
Таким образом, при магнитном экранировании выделяют два основных механизма экранирования: шунтирование магнитного поля и компенсация.
В целом эффективность магнитостатических экранов не велика. Она зависти от r экрана (чем больше, тем лучше) и толщины стенки экрана t (чем больше до определенного предела, тем лучше). Так, например экран из материала “Армко” (специальный сплав с r = 3000), при радиусе 40 см и толщине 1 см обеспечивает эффективность примерно 37,5 дБ. Такой экран сложен в изготовлении и имеет большой вес. В значительной мере эффективность магнитного экранирования определяется наличием апертур и рядом других факторов, которые будут рассмотрены ниже.