- •Основы проектирования электронных средств
- •6 Семестр, 3 курс, гр. Р, рс, рб
- •Лекция 1. Введение в проектирование эс. История развития конструкций электронных средств. Лекция 2. Эмс как важнейший фактор создания электронных средств
- •Совместимость технических средств
- •Походы к обеспечению эмс
- •Эмс и нарушения функциональной безопасности
- •Уровень напряженности поля
- •Информационная безопасность
- •Электромагнитное оружие
- •Директива эмс и техническое регулирование Директивы нового подхода
- •Система технического регулирования в области эмс в рф
- •Лекция 3. Верификация в проектировании модулей
- •Верификация и прототипирование
- •Концепция "сдвига влево"
- •Целостность сигнала
- •Результатами выполнения этих задач являются:
- •Параметрическая верификация
- •Электронные модули цифровых устройств и быстродействие
- •Методология проектирования
- •Лекция 4. Топологическое проектирование
- •Основные понятия теории графов
- •Способы задания графов
- •Классификация графов
- •Элементы графа
- •Части графа
- •Структурные свойства связных графов
- •Матрица соединений
- •Матрица инциденций
- •Содержание задач топологического проектирования
- •Задача разбиения
- •Задача размещения
- •Трассировка
- •Лекция 5. Алгоритмы решения топологических задач
- •Алгоритм последовательного разбиения
- •Пример решения конкретной задачи
- •Алгоритм размещения
- •Коммутационное поле
- •Позиция
- •Характеристика позиций
- •Параллельный алгоритм одновременного размещения
- •Алгоритмы трассировки
- •Волновой алгоритм
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 6. Элементная база эс и конструкции плат
- •Элементная база
- •Спектр сигнала определяется соотношением
- •Конструкции печатных плат
- •Лекция 7. Линии передачи в монтажных соединениях
- •Параметры линий передач и методы их расчета
- •. Расчет емкости базового параметра Базовый параметр линий передачи электрическая емкость
- •Расчет емкости в односторонних платах
- •Значение погонной емкости линии передачи в стеклотекстолите с волновым сопротивлением 50 Ом составляет около 1,4 пФ/см Пример расчета
- •Понятие электрически длинной и короткой линии передачи
- •Анализ линии в частотной области
- •Анализ линии во временной области
- •Лекция 8. Помехи в одиночных линиях
- •Помехи в короткой линии
- •Помехи в длинных линиях передачи
- •Расчет помех отражения при линейных нагрузках
- •Характер переходного процесса в длинной линии
- •Согласование длинных линий
- •Рекомендации
- •Лекция 9. Перекрестные помехи в связанных линиях передачи
- •Перекрестная помеха в короткой линии
- •Лекция 10. Помехи в шинах питания
- •Механизме возникновение помех
- •10.2. Устранение помех по шинам питания
- •10.3. Размещение и подключение конденсаторов
- •10.4. Рекомендации по проектированию шин питания и заземления
- •Лекция 11. Структурный метод проектирования мпп Основные этапы проектирования:
- •Лекция 12. Концепция экранирования
- •Взаимодействие источников и рецепторов помех
- •Принцип электромагнитного экранирования
- •Топологические понятия
- •Механизм влияния электромагнитных воздействий на оборудования
- •Лекция 13. Механизмы работы экрана при различных видах излучения, ближняя и дальняя зона
- •Лекция 14. Экранирующие материалы и покрытия
- •Металлы и сплавы
- •Металлические листы
- •Сеточные материалы
- •Параметры металлических материалов для экранов Волновое сопротивление металла
- •Скин-слой
- •Магнитные материалы
- •Пермаллой
- •Особенности технологии пермаллоя
- •Лекция 15. Экранирование в ближней зоне
- •Электростатическое экранирование
- •Особенности экранирования в ближней зоне
- •Механизм электростатического экранирования
- •Магнитное экранирование
- •Механизм экранирования
- •Экраны для магнитного экранирования
- •Лекция 16. Электродинамическое экранирование
- •Методы расчёта эффективности сплошных экранов
- •Эффективность экранирования
- •Зависимость эффективности экранирования от частоты
- •Снижение эффективности экранирования из-за апертур
- •Применение прокладок
- •Установка прокладок
Лекция 10. Помехи в шинах питания
Механизме возникновение помех
Эквивалентная упрощённая схема подключения ЦИС с учётом индуктивности шины питания показана на рис. 10.1.

Рис. 10.1. Эквивалентная схема системы питания
VCC=VSSVSB; гдеVSB=L(I/t),
где (I/t)скорость изменения тока в шине питания при переключении микросхемы,Iперепад тока, за который следует принимать сквозной ток,t время перепада токасоизмеримо с фронтом сигнала.
Падение напряжение на шине питания происходит в момент переключения микросхемы. Если это напряжение велико, то напряжение питания на микросхеме может выйти за пределы поля допуска (рис. 10.3), и микросхема поведет себя не предсказуемо. Это недопустимая ситуация!
Перепад тока следует определять по значению сквозного тока, который возникает в шине питания в момент переключения микросхемы (особенно ТТЛ) (рис. 10.2).

Рис. 10.2. Работа выходных каскадов цифровых микросхем и режим сквозных токов (в)
|
Рис. 10.3. Изменение напряжения питания микросхемы
|
Установка развязывающих конденсаторов: 1допустимо, 2 улучшенная, на обратной стороне платы, 3 на плоскости заземления, 4 на плоскости заземления с последовательной индуктивностью, 5 феррит, 6конденсатор
|
10.2. Устранение помех по шинам питания
Понимая физическую суть полного сопротивления, можно дать общие рекомендации по снижению полного сопротивления системы питания. Они сводятся к следующему.
Следует располагать шины питания и заземления (возвратные проводники) на минимальном расстоянии друг от друга; это расстояние определяется в МПП минимально возможной толщиной диэлектрической прокладки между проводящими слоями.
Необходимо применять развязывающие конденсаторы с низкой индуктивностью (собственной и выводов).
Целесообразно распределять подачу напряжения питания между несколькими параллельными выводами микросхемы.
Следует отдавать предпочтение применению развязывающих конденсаторов, встроенных в корпуса микросхемы.
Роль развязывающих конденсаторов иллюстрируется на рис. 10.4 и 10.5.

Рис. 10.4. Фрагмент пути тока при логическом 0 на выходе первой микросхемы, токи помех протекают по значительному по площади контура системы распределенного питания и индуктивностям шины питания и заземления

Рис. 10.5. Развязывающий конденсатор как средство устранения пути тока через индуктивности шины питания и заземления и снижения площади контура протекания токов помех
Реальные развязывающие конденсаторы обладают не только емкостью, но и индуктивностью (например, выводов и монтажных проводников). Поэтому они обладают определенной скоростью разряда. Чем больше индуктивность, тем меньше постоянная времени разряда (рис. 10.6). Конденсаторы обладают резонансной частотой, после которой они работают как индуктивности (рис. 10.8). Развязывающие конденсаторы должны использоваться на частотах до резонанса. При наборе различных конденсаторов расширяется полоса малого полного сопротивления системы питания (рис. 10.9).

Рис. 10.6. Иллюстрация влияния различных типов развязывающих конденсаторов при переключении вентиля
|
Рис. 10.7. Эквивалентная схема развязывающего конденсатора |
Рис. 10.8. Частотная характеристика полного сопротивления идеального и реального развязывающего конденсатора
|

Рис. 10.9. Измеренная индукция контура шести различных конденсаторов типа 0603 с емкостью варьируемой от 10 пФ до 1 мкФ, но с одинаковой топологией



