
- •Основы проектирования электронных средств
- •6 Семестр, 3 курс, гр. Р, рс, рб
- •Лекция 1. Введение в проектирование эс. История развития конструкций электронных средств. Лекция 2. Эмс как важнейший фактор создания электронных средств
- •Совместимость технических средств
- •Походы к обеспечению эмс
- •Эмс и нарушения функциональной безопасности
- •Уровень напряженности поля
- •Информационная безопасность
- •Электромагнитное оружие
- •Директива эмс и техническое регулирование Директивы нового подхода
- •Система технического регулирования в области эмс в рф
- •Лекция 3. Верификация в проектировании модулей
- •Верификация и прототипирование
- •Концепция "сдвига влево"
- •Целостность сигнала
- •Результатами выполнения этих задач являются:
- •Параметрическая верификация
- •Электронные модули цифровых устройств и быстродействие
- •Методология проектирования
- •Лекция 4. Топологическое проектирование
- •Основные понятия теории графов
- •Способы задания графов
- •Классификация графов
- •Элементы графа
- •Части графа
- •Структурные свойства связных графов
- •Матрица соединений
- •Матрица инциденций
- •Содержание задач топологического проектирования
- •Задача разбиения
- •Задача размещения
- •Трассировка
- •Лекция 5. Алгоритмы решения топологических задач
- •Алгоритм последовательного разбиения
- •Пример решения конкретной задачи
- •Алгоритм размещения
- •Коммутационное поле
- •Позиция
- •Характеристика позиций
- •Параллельный алгоритм одновременного размещения
- •Алгоритмы трассировки
- •Волновой алгоритм
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 6. Элементная база эс и конструкции плат
- •Элементная база
- •Спектр сигнала определяется соотношением
- •Конструкции печатных плат
- •Лекция 7. Линии передачи в монтажных соединениях
- •Параметры линий передач и методы их расчета
- •. Расчет емкости базового параметра Базовый параметр линий передачи электрическая емкость
- •Расчет емкости в односторонних платах
- •Значение погонной емкости линии передачи в стеклотекстолите с волновым сопротивлением 50 Ом составляет около 1,4 пФ/см Пример расчета
- •Понятие электрически длинной и короткой линии передачи
- •Анализ линии в частотной области
- •Анализ линии во временной области
- •Лекция 8. Помехи в одиночных линиях
- •Помехи в короткой линии
- •Помехи в длинных линиях передачи
- •Расчет помех отражения при линейных нагрузках
- •Характер переходного процесса в длинной линии
- •Согласование длинных линий
- •Рекомендации
- •Лекция 9. Перекрестные помехи в связанных линиях передачи
- •Перекрестная помеха в короткой линии
- •Лекция 10. Помехи в шинах питания
- •Механизме возникновение помех
- •10.2. Устранение помех по шинам питания
- •10.3. Размещение и подключение конденсаторов
- •10.4. Рекомендации по проектированию шин питания и заземления
- •Лекция 11. Структурный метод проектирования мпп Основные этапы проектирования:
- •Лекция 12. Концепция экранирования
- •Взаимодействие источников и рецепторов помех
- •Принцип электромагнитного экранирования
- •Топологические понятия
- •Механизм влияния электромагнитных воздействий на оборудования
- •Лекция 13. Механизмы работы экрана при различных видах излучения, ближняя и дальняя зона
- •Лекция 14. Экранирующие материалы и покрытия
- •Металлы и сплавы
- •Металлические листы
- •Сеточные материалы
- •Параметры металлических материалов для экранов Волновое сопротивление металла
- •Скин-слой
- •Магнитные материалы
- •Пермаллой
- •Особенности технологии пермаллоя
- •Лекция 15. Экранирование в ближней зоне
- •Электростатическое экранирование
- •Особенности экранирования в ближней зоне
- •Механизм электростатического экранирования
- •Магнитное экранирование
- •Механизм экранирования
- •Экраны для магнитного экранирования
- •Лекция 16. Электродинамическое экранирование
- •Методы расчёта эффективности сплошных экранов
- •Эффективность экранирования
- •Зависимость эффективности экранирования от частоты
- •Снижение эффективности экранирования из-за апертур
- •Применение прокладок
- •Установка прокладок
Помехи в длинных линиях передачи
В длинной линии характер распространения сигнала радикально отличается от процессов в короткой линии. В длинной линии в общем случае существуют падающие и отраженные волны (рис. 8.3), которые существенным образом искажают информационный сигнал.
Рис. 8.3. Распространение сигнала в длинно линии и форма сигнала на нагрузке
Эквивалентная схема драйвера и линии показана на рис. 8.4.
Рис. 8.4. Эквивалентная схема драйвера, работающего на длинную линию
Напряжение, поступающее на линию в первоначальный момент времени, которое соответствует амплитуде Vfпадающейволны, согласно схеме рассчитывается по формуле:
,
где Vdrvнапряжение логической единицы драйвера,Zволновое сопротивление линии передачи,roвыходное сопротивление драйвера.
Амплитуда отраженной волны зависит от коэффициента отражения:
.
Коэффициент
отражения в начале линии
.
Коэффициент
отражения в конце линии
.
Расчет помех отражения при линейных нагрузках
Пример. Определить искажения сигнала в длинной линии при следующих условиях:
генератор вырабатывает скачок напряжения Vdrv = 5 В,
выходное сопротивление генератора ro = 10 Ом,
входное сопротивление микросхемы ri = 120 Ом,
волновое сопротивление линии Z = 50 Ом,
длина линии l = 5 м,
удельное время распространения сигнала td = 5 нс/м.
1. Время пробега электромагнитной волны вдоль линии от генератора до нагрузки
,
нс.
2. Напряжение, поступающее на линию при t = 0:
,
В
3. Коэффициенты отражения: на входе линии:
.
на выходе линии
.
4. Амплитуды падающих и отраженных волн:
Время, t |
Амплитуда падающей волны, Uп, В |
Амплитуда отраженной волны, Uо, В |
0 < t < T |
4,165 |
|
T < t < 2T |
|
4,1650,412 = 1,73 |
2T < t < 3T |
1,73( 0,667) = 1,15 |
|
3T < t < 4T |
|
1,150,412 = 0,473 |
|
|
|
5. Построение диаграммы координата – время
5. Построение осциллограмм в начале и в конце линии.
Характер переходного процесса в длинной линии
Сопротивления нагрузки |
Коэффициенты отражения |
Характер процесса форма сигнала ступенчатая | ||
ro |
ri |
ks |
kr | |
< Z |
< Z |
< 0 |
< 0 |
Затухающий |
< Z |
> Z |
< 0 |
> 0 |
Осциллирующий |
> Z |
> Z |
> 0 |
> 0 |
Возрастающий |
> Z |
< Z |
> 0 |
< 0 |
Осциллирующий |
Согласование длинных линий
Основной способ борьбы с помехами отражения согласование.При согласовании обеспечивается равенство волнового сопротивления линии передачи и нагрузки. Поэтом на выходе линии необходимо поставитьпараллельныйрезистор (рис. 8.6), равный волновому сопротивлению, а на входе линиипоследовательныйрезистор (рис. 8.5), сопротивление которого совместно с выходным сопротивлением микросхемы должно быть равно волновому сопротивлению.
Согласование делителем на выходе линии (рис. 8.7) эквивалентно согласованию одиночным резистором. Параллельное включение резисторов должно давать сопротивление, равное волновому.
Рис. 8.5. Согласование по входу линии
Рис. 8.6. Согласование по выходу линии
Рис. 8.7. Согласование делителем напряжения
Основное требование однородность линии передачи, т.е. постоянство волнового сопротивленияна всех участках по всей длине!