
- •Основы проектирования электронных средств
- •6 Семестр, 3 курс, гр. Р, рс, рб
- •Лекция 1. Введение в проектирование эс. История развития конструкций электронных средств. Лекция 2. Эмс как важнейший фактор создания электронных средств
- •Совместимость технических средств
- •Походы к обеспечению эмс
- •Эмс и нарушения функциональной безопасности
- •Уровень напряженности поля
- •Информационная безопасность
- •Электромагнитное оружие
- •Директива эмс и техническое регулирование Директивы нового подхода
- •Система технического регулирования в области эмс в рф
- •Лекция 3. Верификация в проектировании модулей
- •Верификация и прототипирование
- •Концепция "сдвига влево"
- •Целостность сигнала
- •Результатами выполнения этих задач являются:
- •Параметрическая верификация
- •Электронные модули цифровых устройств и быстродействие
- •Методология проектирования
- •Лекция 4. Топологическое проектирование
- •Основные понятия теории графов
- •Способы задания графов
- •Классификация графов
- •Элементы графа
- •Части графа
- •Структурные свойства связных графов
- •Матрица соединений
- •Матрица инциденций
- •Содержание задач топологического проектирования
- •Задача разбиения
- •Задача размещения
- •Трассировка
- •Лекция 5. Алгоритмы решения топологических задач
- •Алгоритм последовательного разбиения
- •Пример решения конкретной задачи
- •Алгоритм размещения
- •Коммутационное поле
- •Позиция
- •Характеристика позиций
- •Параллельный алгоритм одновременного размещения
- •Алгоритмы трассировки
- •Волновой алгоритм
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 6. Элементная база эс и конструкции плат
- •Элементная база
- •Спектр сигнала определяется соотношением
- •Конструкции печатных плат
- •Лекция 7. Линии передачи в монтажных соединениях
- •Параметры линий передач и методы их расчета
- •. Расчет емкости базового параметра Базовый параметр линий передачи электрическая емкость
- •Расчет емкости в односторонних платах
- •Значение погонной емкости линии передачи в стеклотекстолите с волновым сопротивлением 50 Ом составляет около 1,4 пФ/см Пример расчета
- •Понятие электрически длинной и короткой линии передачи
- •Анализ линии в частотной области
- •Анализ линии во временной области
- •Лекция 8. Помехи в одиночных линиях
- •Помехи в короткой линии
- •Помехи в длинных линиях передачи
- •Расчет помех отражения при линейных нагрузках
- •Характер переходного процесса в длинной линии
- •Согласование длинных линий
- •Рекомендации
- •Лекция 9. Перекрестные помехи в связанных линиях передачи
- •Перекрестная помеха в короткой линии
- •Лекция 10. Помехи в шинах питания
- •Механизме возникновение помех
- •10.2. Устранение помех по шинам питания
- •10.3. Размещение и подключение конденсаторов
- •10.4. Рекомендации по проектированию шин питания и заземления
- •Лекция 11. Структурный метод проектирования мпп Основные этапы проектирования:
- •Лекция 12. Концепция экранирования
- •Взаимодействие источников и рецепторов помех
- •Принцип электромагнитного экранирования
- •Топологические понятия
- •Механизм влияния электромагнитных воздействий на оборудования
- •Лекция 13. Механизмы работы экрана при различных видах излучения, ближняя и дальняя зона
- •Лекция 14. Экранирующие материалы и покрытия
- •Металлы и сплавы
- •Металлические листы
- •Сеточные материалы
- •Параметры металлических материалов для экранов Волновое сопротивление металла
- •Скин-слой
- •Магнитные материалы
- •Пермаллой
- •Особенности технологии пермаллоя
- •Лекция 15. Экранирование в ближней зоне
- •Электростатическое экранирование
- •Особенности экранирования в ближней зоне
- •Механизм электростатического экранирования
- •Магнитное экранирование
- •Механизм экранирования
- •Экраны для магнитного экранирования
- •Лекция 16. Электродинамическое экранирование
- •Методы расчёта эффективности сплошных экранов
- •Эффективность экранирования
- •Зависимость эффективности экранирования от частоты
- •Снижение эффективности экранирования из-за апертур
- •Применение прокладок
- •Установка прокладок
Анализ линии во временной области
Рассмотрим распространения информационного сигнала по линии передачи. Время распространения сигнала от начала до конца линии составляет:
,
нс,
где td– удельная задержка распространения сигнала в линии, нс/м,lдлина линии, м.
Через интервал времени tdlэлектромагнитная волна достигнет конца линии, где её энергия частично поглощается нагрузкой и частично отражается (в общем случае). К драйверу через интервал времени 2tdlпридет отражённый импульс.
Совместив перепад напряжения на выходе драйвера с отражённым сигналом, можно получить три варианта суммарного сигнала.
Первый вариант: приход отраженного сигнала совпал с окончанием фронта информационного импульса, т.е. выдерживается соотношение
,
где td– удельная задержка распространения сигнала определяемая параметрами диэлектрической среды линии передачи, нс/м,l– погонная длина линии, м.
Длину линии, определенную из приведенного равенства, назовем критическойи обозначимlcl. Её длина равна:
Этот параметр является своеобразным шаблоном, при помощи которого можно "рассортировать" линии на электрически длинные и короткие.
Пример. Определим критическую длину линии для полосковой линии в составе МПП (r= 4) для сигнала с фронтом 1 нс.
Удельное время распространения сигнала определяется соотношением
,
нс/м, т.е. td= 6,6 нс/м.
Откуда получаем критическую длину линии
.
Классификация линий передачи на плате проводится путем сравнения с полученной критической длиной следующим образом: при меньшей длине линия относится к электрически короткой, при большей длине к электрически длинной.
Второй вариант: отражённый сигнал пришёл до окончания фронта сигнала. Этот случай соответствует электрически коротким линиям, длина которых меньше критической. Для короткой линии справедливо неравенство:lsl < lcl, т.е. 2tdl < tr. Приход отраженного сигнала во время нарастания фронта информационного сигнала приводит к монотонному искажению фронта, что является типичным для короткой линии (рис. 7.8,а). Так же, как и при частотном подходе, для уверенной оценки вводят некоторый коэффициент запаса, и длина короткой линии в ответственных приложениях определяется из неравенстваlsl < (0,1…0,2)lcl.
Третий вариант: отраженный сигнал пришелся на плоскую часть импульса, что соответствует режиму электрически длинной линии, для которой справедливо следующее неравенство:lll lcl, т.е. 2tdl > tr(рис. 7.8,б). Этот режим является наиболее опасным и может привести к серьезным нарушениям целостности сигнала и тайминга.
а)
б)
Рис. 7.8. Примеры искажений сигнала: а – короткая линия; б – длинная линия
|
Самостоятельная работа
Раздел 2.4. Раздел 3.1.
|
Контрольные вопросы
Идеальные компоненты общей модели линии передачи; их физическая суть.
Эффективная диэлектрическая проницаемость и ее определение.
Характеристики материалов и их влияние на параметры линии.
Классификация линий на электрически длинные и короткие.
Лекция 8. Помехи в одиночных линиях
Помехи в короткой линии
Эквивалентная схема электрически короткой линии передачи, которая соединяет две микросхемы, показана на рис. 8.1. Линия замещена электрической емкостью. Форма сигнала на входе микросхемы показана на рис. 8.2.
Рис. 8.1. Эквивалентная схема фрагмента цифрового узла с короткой линией передачи
Рис. 8.2. Системная задержка, вызванная короткой линией передачи
Уровень сигнала на входе микросхемы D2 определяется по выражению
.
где VOH1уровень логической единицы,riвходное сопротивление микросхемы,ro1выходное сопротивление микросхемыD1,TLпостоянная времени линии передачи:
TL = ro1С
Системная задержка t= 0,7TL. При проектировании следует минимизировать этот параметр.