
- •Основы проектирования электронных средств
- •6 Семестр, 3 курс, гр. Р, рс, рб
- •Лекция 1. Введение в проектирование эс. История развития конструкций электронных средств. Лекция 2. Эмс как важнейший фактор создания электронных средств
- •Совместимость технических средств
- •Походы к обеспечению эмс
- •Эмс и нарушения функциональной безопасности
- •Уровень напряженности поля
- •Информационная безопасность
- •Электромагнитное оружие
- •Директива эмс и техническое регулирование Директивы нового подхода
- •Система технического регулирования в области эмс в рф
- •Лекция 3. Верификация в проектировании модулей
- •Верификация и прототипирование
- •Концепция "сдвига влево"
- •Целостность сигнала
- •Результатами выполнения этих задач являются:
- •Параметрическая верификация
- •Электронные модули цифровых устройств и быстродействие
- •Методология проектирования
- •Лекция 4. Топологическое проектирование
- •Основные понятия теории графов
- •Способы задания графов
- •Классификация графов
- •Элементы графа
- •Части графа
- •Структурные свойства связных графов
- •Матрица соединений
- •Матрица инциденций
- •Содержание задач топологического проектирования
- •Задача разбиения
- •Задача размещения
- •Трассировка
- •Лекция 5. Алгоритмы решения топологических задач
- •Алгоритм последовательного разбиения
- •Пример решения конкретной задачи
- •Алгоритм размещения
- •Коммутационное поле
- •Позиция
- •Характеристика позиций
- •Параллельный алгоритм одновременного размещения
- •Алгоритмы трассировки
- •Волновой алгоритм
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 6. Элементная база эс и конструкции плат
- •Элементная база
- •Спектр сигнала определяется соотношением
- •Конструкции печатных плат
- •Лекция 7. Линии передачи в монтажных соединениях
- •Параметры линий передач и методы их расчета
- •. Расчет емкости базового параметра Базовый параметр линий передачи электрическая емкость
- •Расчет емкости в односторонних платах
- •Значение погонной емкости линии передачи в стеклотекстолите с волновым сопротивлением 50 Ом составляет около 1,4 пФ/см Пример расчета
- •Понятие электрически длинной и короткой линии передачи
- •Анализ линии в частотной области
- •Анализ линии во временной области
- •Лекция 8. Помехи в одиночных линиях
- •Помехи в короткой линии
- •Помехи в длинных линиях передачи
- •Расчет помех отражения при линейных нагрузках
- •Характер переходного процесса в длинной линии
- •Согласование длинных линий
- •Рекомендации
- •Лекция 9. Перекрестные помехи в связанных линиях передачи
- •Перекрестная помеха в короткой линии
- •Лекция 10. Помехи в шинах питания
- •Механизме возникновение помех
- •10.2. Устранение помех по шинам питания
- •10.3. Размещение и подключение конденсаторов
- •10.4. Рекомендации по проектированию шин питания и заземления
- •Лекция 11. Структурный метод проектирования мпп Основные этапы проектирования:
- •Лекция 12. Концепция экранирования
- •Взаимодействие источников и рецепторов помех
- •Принцип электромагнитного экранирования
- •Топологические понятия
- •Механизм влияния электромагнитных воздействий на оборудования
- •Лекция 13. Механизмы работы экрана при различных видах излучения, ближняя и дальняя зона
- •Лекция 14. Экранирующие материалы и покрытия
- •Металлы и сплавы
- •Металлические листы
- •Сеточные материалы
- •Параметры металлических материалов для экранов Волновое сопротивление металла
- •Скин-слой
- •Магнитные материалы
- •Пермаллой
- •Особенности технологии пермаллоя
- •Лекция 15. Экранирование в ближней зоне
- •Электростатическое экранирование
- •Особенности экранирования в ближней зоне
- •Механизм электростатического экранирования
- •Магнитное экранирование
- •Механизм экранирования
- •Экраны для магнитного экранирования
- •Лекция 16. Электродинамическое экранирование
- •Методы расчёта эффективности сплошных экранов
- •Эффективность экранирования
- •Зависимость эффективности экранирования от частоты
- •Снижение эффективности экранирования из-за апертур
- •Применение прокладок
- •Установка прокладок
. Расчет емкости базового параметра Базовый параметр линий передачи электрическая емкость
,
где: 8,85 пФ/м диэлектрическая постоянная,r эф– эффективная диэлектрическая проницаемость изоляционных материалов;сl– безразмерная величина, определяющая емкость на единицу длины рассчитываемой плоскопараллельной системы проводников;l– длина системы проводников, м.
Расчет емкости в односторонних платах
№ |
Сечение |
сl |
m = k2, m1 = k12 |
r эф |
1. |
|
|
m = ab/[(a + d)(b + d)]
ti – см. следующую таблицу |
|
2. |
|
|
m = a/(a + d)
|
|
3. |
|
|
m = [d/(d + 2a)]
|
|
4. |
|
|
|
|
5. |
|
|
m = [1/(1 + 2d/b)]2 m1= 1/(1 +q2) |
|
Параметры могут быть определены через модули эллиптических интегралов: m=k2;m'=(k')2и по графикам.
При вычислении параметра m' по выражениям, приведенным в таблице, необходимо вычислить ряд вспомогательных коэффициентовt1,t2,t3,q1,q2по следующим выражениям:
ti = (exp i – 1)/ (exp i + 1), i = 1, 2, 3; 1 = (2b + d)/2h; 2 = d/2h; 3 = (2a + d)/2h;
|
Значения
можно определить по графику (рис. 7.2), а
значенияtiпо вычисленнымi– можно определить из графика, приведенного
на рис. 7.3.
Рис. 7.2. Отношение K'/K как функция параметра m (0,00129 m 0,99954). |
Рис. 7.3. Зависимость ti(i).
|
Полосковые и микрополосковые линии (рис. 7.4)
Рис. 7.4. Микрополосковая и полосковая линия передачи
Для них можно воспользоваться формулами, рекомендованными стандартом IPC. Погонная емкостьмикрополосковойлинии дается как
,
пФ/см,
где rотносительная диэлектрическая проницаемость основания платы,hтолщина диэлектрика, см,w ширина проводника, см,t– толщина проводника, см.
Важно отметить что, хотя толщина трассы присутствует в параметрах, при повышенной точности расчетов эти формулы использовать нельзя. Здесь применимы численные методы расчета. Для инженерной оценки полезно помнить, что при ширине w=2h, и при диэлектрической проницаемости равной 4, погонная емкость составляет около 1 пФ/см.
Погонная емкость полосковойлинии передачи приблизительно равна:
,
пФ/см
где bтолщина диэлектрика, см,w ширина линии, см,t– толщина проводника, см.
Например, если толщина диэлектрика b = 2w, то погонная емкость будет примерно 1,4 пФ/см приr= 4.
Значение погонной емкости линии передачи в стеклотекстолите с волновым сопротивлением 50 Ом составляет около 1,4 пФ/см Пример расчета
В качестве примера рассмотрим одностороннюю печатную плату с проводниками разной ширины (см. рис. 7.5).
Рис. 7.5. Расчетное сечение линии передачи
Односторонняя печатная плата с проводниками разной ширины
Расчет первичных и вторичных параметров печатного монтажа может быть проведен на основе справочных формул, полученных методом конформных преобразований. При этом расчетная система проводников заменяется плоскопараллельной системой бесконечно тонких пластин.
Зададим геометрические параметры линии и значения относительных диэлектрических проницаемостей основания и окружающей среды: a = 1 мм; d = 1 мм; b = 3 мм; h = 2 мм; r1 = 1; r2 = 6; l = 1 м. Методика расчета электрической емкости линии связи в печатном монтаже при помощи справочных формул, полученных методом конформных преобразований, сводится к следующим операциям:
1. Определяем параметр m:
m = ab/[(a + d)(b + d)] = 13/[(1 + 1)(1 + 3)] = 0,375.
2. По графику K’/K(m) (рис. 7.2) получаем K’/K = 1,12323 для m = 0,375 (более точные значения получены после расчета всех вспомогательных коэффициентов) и рассчитываем сl= 2K/K’ = 1,78058.
3. Рассчитываем вспомогательные коэффициенты:
1 = 5,49779; 2 = 0,785398; 3 = 2,35619.
По графику ti(i) (рис. 7.3) определяем t1 = 0,991842; t2 = 0,373685; t3 = 0,826851 (более точные значения получены после расчета всех вспомогательных коэффициентов).
4. Находи параметр m1 = 0,170876.
5. По графику K’/K(m) (рис. 7.2) получаем K1’/K1 = 1,41563 для m1 = 0,170876 (более точные значения получены после расчета всех вспомогательных коэффициентов).
6. Эффективная диэлектрическая проницаемость
.
7. Погонная емкость для заданной системы проводников рассчитываем по формуле:
C = 8,85rэф сl l = 8,85 2,98362 1,78058 1= 4,702-11 = 47,02 пФ/м.
Если рассчитывается линия связи, сформированная сигнальным и экранным проводниками, то индуктивность и волновое сопротивление линии определяются по следующим формулам.
Предположим, что в нашем случае, проводник b = 3 мм заземлен. Определим L, Z, t`d. для такой линии передачи.
8. Емкость в воздушной среде:
C0 = 8,85 сl l = 8,85 1,78058 1 = 1,576-11 = 15,76 пФ;
9. Индуктивность:
;
10. Волновое сопротивление:
;
11. Удельное время задержки распространения сигнала:
.