
- •Основы проектирования электронных средств
- •6 Семестр, 3 курс, гр. Р, рс, рб
- •Лекция 1. Введение в проектирование эс. История развития конструкций электронных средств. Лекция 2. Эмс как важнейший фактор создания электронных средств
- •Совместимость технических средств
- •Походы к обеспечению эмс
- •Эмс и нарушения функциональной безопасности
- •Уровень напряженности поля
- •Информационная безопасность
- •Электромагнитное оружие
- •Директива эмс и техническое регулирование Директивы нового подхода
- •Система технического регулирования в области эмс в рф
- •Лекция 3. Верификация в проектировании модулей
- •Верификация и прототипирование
- •Концепция "сдвига влево"
- •Целостность сигнала
- •Результатами выполнения этих задач являются:
- •Параметрическая верификация
- •Электронные модули цифровых устройств и быстродействие
- •Методология проектирования
- •Лекция 4. Топологическое проектирование
- •Основные понятия теории графов
- •Способы задания графов
- •Классификация графов
- •Элементы графа
- •Части графа
- •Структурные свойства связных графов
- •Матрица соединений
- •Матрица инциденций
- •Содержание задач топологического проектирования
- •Задача разбиения
- •Задача размещения
- •Трассировка
- •Лекция 5. Алгоритмы решения топологических задач
- •Алгоритм последовательного разбиения
- •Пример решения конкретной задачи
- •Алгоритм размещения
- •Коммутационное поле
- •Позиция
- •Характеристика позиций
- •Параллельный алгоритм одновременного размещения
- •Алгоритмы трассировки
- •Волновой алгоритм
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 6. Элементная база эс и конструкции плат
- •Элементная база
- •Спектр сигнала определяется соотношением
- •Конструкции печатных плат
- •Лекция 7. Линии передачи в монтажных соединениях
- •Параметры линий передач и методы их расчета
- •. Расчет емкости базового параметра Базовый параметр линий передачи электрическая емкость
- •Расчет емкости в односторонних платах
- •Значение погонной емкости линии передачи в стеклотекстолите с волновым сопротивлением 50 Ом составляет около 1,4 пФ/см Пример расчета
- •Понятие электрически длинной и короткой линии передачи
- •Анализ линии в частотной области
- •Анализ линии во временной области
- •Лекция 8. Помехи в одиночных линиях
- •Помехи в короткой линии
- •Помехи в длинных линиях передачи
- •Расчет помех отражения при линейных нагрузках
- •Характер переходного процесса в длинной линии
- •Согласование длинных линий
- •Рекомендации
- •Лекция 9. Перекрестные помехи в связанных линиях передачи
- •Перекрестная помеха в короткой линии
- •Лекция 10. Помехи в шинах питания
- •Механизме возникновение помех
- •10.2. Устранение помех по шинам питания
- •10.3. Размещение и подключение конденсаторов
- •10.4. Рекомендации по проектированию шин питания и заземления
- •Лекция 11. Структурный метод проектирования мпп Основные этапы проектирования:
- •Лекция 12. Концепция экранирования
- •Взаимодействие источников и рецепторов помех
- •Принцип электромагнитного экранирования
- •Топологические понятия
- •Механизм влияния электромагнитных воздействий на оборудования
- •Лекция 13. Механизмы работы экрана при различных видах излучения, ближняя и дальняя зона
- •Лекция 14. Экранирующие материалы и покрытия
- •Металлы и сплавы
- •Металлические листы
- •Сеточные материалы
- •Параметры металлических материалов для экранов Волновое сопротивление металла
- •Скин-слой
- •Магнитные материалы
- •Пермаллой
- •Особенности технологии пермаллоя
- •Лекция 15. Экранирование в ближней зоне
- •Электростатическое экранирование
- •Особенности экранирования в ближней зоне
- •Механизм электростатического экранирования
- •Магнитное экранирование
- •Механизм экранирования
- •Экраны для магнитного экранирования
- •Лекция 16. Электродинамическое экранирование
- •Методы расчёта эффективности сплошных экранов
- •Эффективность экранирования
- •Зависимость эффективности экранирования от частоты
- •Снижение эффективности экранирования из-за апертур
- •Применение прокладок
- •Установка прокладок
Алгоритмы трассировки
Существует достаточно много различных алгоритмов трассировки, которые имеют различную эффективность. Одни алгоритмы более приемлемы на начальных этапах трассировки при свободном от трасс коммутационном поле. Другие алгоритмы более эффективны при уже заполненном трассами коммутационном поле. Уяснение сущности алгоритмов трассировки будет рассмотрено на примере базового волнового алгоритма.
Волновой алгоритм
Волновой алгоритм Ли (по имени математика, автора алгоритма) применяется для трассировки печатных проводников. Предположим есть коммутационное поле, есть точки АиВ, которые нужно соединить проводником, и есть препятствия, которые следует обойти. Необходимо найти трассу минимальной длины в ортогональной метрике (рис. 5.10).
Рис. 5.10. Иллюстрация волнового алгоритма
Алгоритм содержит следующие основные шаги.
Формируем условную числовую волнуот источника к приёмнику (от начала трассы к её концу). Обозначаем ячейку с точкойАкак ячейку № 0, соседние ячейки№ 1, соседние к этим№ 2 и т. д. до достижения конечной точки (в данном случаеВ). Соседними ячейками являются те, которые граничат ребрами.
Строим трассу. Трасса строится от приёмника к источнику по фронтам числовой волны, в порядке уменьшения значения фронта. Направление трассы меняем только при необходимости.
Алгоритм требует огромных вычислительных затрат, и поэтому имеются различные модификации ускоренной трассировки. Например - построение ортогональных лучей на первых этапах трассировки (лучевой алгоритм рис. 5.11).
Рис. 5.11. Лучевой алгоритм
Этот алгоритм хорошо работает только тогда, когда на плате имеется мало запрещённых для трассировки зон. Поэтому в реальных системах используется комплексный алгоритм. На первых шагах применяются быстрые способы трассировки (лучевой, канальный и т. д.), а на последующих шагах - более тонкие, но медленные алгоритмы (типа алгоритма Ли).
Контрольные вопросы
Что является исходным для решения топологических задач?
Перечислите способы задания графов и опишите их?
Назовите наиболее распространенные разновидности графов?
Чем определяются структурные свойства связных графов?
Каков принцип заполнения матрицы соединений?
В чём отличие матрицы инциденций от матрицы соединений?
Какие три основные задачи топологического проектирования можно выделить?
Как формулируется задача разбиения, размещения и трассировки?
Как осуществляется алгоритм последовательного разбиения?
Что такое коммутационное поле и позиция? Приведите их примеры?
Какие основные шаги содержит алгоритм Ли и его применение?
Лекция 6. Элементная база эс и конструкции плат
Элементная база
Основные параметры цифровых ИМС:
электрические (номинальные токи и напряжения по входу, выходу и питанию.)
вольт-амперные характеристики (ВАХ) для входа и выхода микросхем.
параметры быстродействия (tr,tf)
параметры помехоустойчивости
статическая помехоустойчивость
динамическая помехоустойчивость
мощностные параметры (P1,P0)
Параметры быстродействия
Параметры быстродействия определяются по форме стандартного цифрового сигнала (рис. 6.1). Эти параметры определяют минимальную длительность такта (рис. 6.2), а следовательно, возможности системы при обработке информации.
Рис. 6.1. Форма стандартного цифрового сигнала
Рис. 6.2. Определение длительности такта цифрового сигнала
Основные временные параметры, характеризующие быстродействие:
tr,tfдлительность фронта и спада импульса,
twширина импульса на уровне 0,5,
tpдлительность импульса на уроне 0,9,
tcдлительность цикла.
Минимальная длительность цикла связана с минимальным фронтом: tc10 tr, т.е. максимальная тактовая частота будет равнаT = 1/tc.
Пример. Пусть tr= 1 нс, тогдаtc=10 нс, а максимальная тактовая частота будет
T = 1/tc= 1/(1010-9) = 100 МГц.