- •Темы лекций
- •Лекционный курс
- •Курсовое проектирование
- •10. Бирюков с. Способы построения цепи обратной связи в схемах преобразователей напряжения // схемотехника. 2002. № 7. С. 9 - 10.
- •11. Хвастин с. Обратная связь в многоканальных импульсных обратноходовых преобразователях напряжения // Схемотехника. 2002. № 5. С. 6, 7.
- •12. Косенко в., Косенко с.,Федоров в. Обратноходовой импульсный ип // Радио. 1999. № 12.С. 40 - 41.
- •Конспект лекций (расширенный)
- •1.Назначение и основные пути миниатюризации источников вторичного электропитания
- •2.Основные показатели стабилизированных источников вторичного электропитания
- •3.Классификация систем вторичного электропитания (свэп) и ивэп
- •4.Краткие сведения о напряжении питающей сети ивэп
- •5.Выпрямители.
- •5.1Однополупериодная (однофазная) схема выпрямителя
- •1.Определение параметров трансформатора
- •2.Определение параметров диода
- •3.Коэффициент пульсации выходного напряжения
- •5.Фазность схемы выпрямителя
- •5.2. Однофазная мостовая схема выпрямителя
- •5.3.Схема выпрямителя со средней точкой (двухполупериодная со средней точкой)
- •5.4.Трехфазная однотактная схема (Миткевича) выпрямителя
- •5.5.Трехфазная мостовая схема (Ларионова) выпрямителя
- •5.6.Шестифазные выпрямители по схеме треугольник-звезда и звезда- звезда
- •6. Электрические схемы сглаживающих фильтров.
- •6.3.Расчет индуктивного фильтра
- •6.4. Расчет активно-емкостного фильтра
- •6.5.Расчет емкостного фильтра
- •7.Параметрические стабилизаторы напряжения (псн)
- •7.1.Назначение и основные параметры и характеристики псн
- •7.2.Схема и принцип действия пСн вэ
- •7.3.Коэффициент стабилизации напряжения
- •8. Микросхемный стабилизатор напряжения типа кр142ен19
- •9.Микросхемные линейные стабилизаторы напряжения
- •9.2. Стабилизаторы напряжения с регулируемым выходным напряжением
- •1.1.1. Микросхемные стабилизаторы напряжения с регулирующим транзистором в плюсовом проводе выходной цепи Микросхемы серий 142ен1–142ен2, кр142ен1–кр142ен2
- •9.3. Интегральные стабилизаторы напряжения с фиксированным выходным напряжением
- •1.2.1. Микросхемные стабилизаторы серий 142ен5, 142ен8, 142ен9, кр1157, кр1162 и их основные электрические параметры
- •1.2.2. Примеры применения микросхемных стабилизаторов напряжения 142ен5, 142ен8, 142ен9
- •9.4. Двуполярные интегральные стабилизаторы напряжения
- •1.3.1. Микросхемные стабилизаторы напряжения серий 142ен6а, 142ен6б, к142ен6а – к142ен6г
- •1.3.2. Микросхемы кр142ен15а, кр142ен15б
- •10. Параллельные стабилизаторы серии к115
- •10.1. Параллельные стабилизаторы напряжения серии к11561
- •10.2. Регулируемые параллельные стабилизаторы напряжения серии к1242ер1
- •10.3. Стабилизаторы серии к1278
- •10.4. Мощные регулируемые стабилизаторы напряжения серии к1278ер1
- •Модуль 2.
- •11. Общая характеристика импульсных источников вторичного электропитания (ивэп)
- •2.2.Силовые части исн
- •2. 1. Сравнение импульсных и линейных источников ивэп
- •Глава 2. Импульсные стабилизаторы напряжения
- •2.1. Назначение и области использования
- •2.2.1. Схема и принцип действия понижающего исн
- •2.2.2. Принцип действия повышающего исн
- •Схемы силовых цепей инвертирующих исн приведены на рис. 88.
- •2.3. Методы стабилизации напряжения и эквивалентная схема системы управления импульсными ивэп
- •???Глава 3. Схемотехника Импульсных стабилизаторов
- •3.7. Микросхема кр142еп1 управления импульсным стабилизатором напряжения
- •3.7.2. Импульсный стабилизатор напряжения с шим
- •Пилообразное напряжение часто получают от отдельного устройства – генератора пилообразного напряжения (гпн).
- •Импульсные стабилизаторы напряжения на ис tl494.
- •Примечание - подробнее о самой микросхеме и принципе ее работы показа-но далее в параграфе 2.4.2. - шим регулятор на ис tl494.
- •3.1.1. Принципиальная схема импульсного понижающего стабилизатора на ис tl494
- •3.1.2. Принципиальная схема импульсного повышающего стабилизатора на ис tl494
- •3.1.3. Принципиальная схема импульсного инвертирующего стабилизатора на ис tl494
- •3.7.2. Импульсный стабилизатор напряжения с шим
- •Пилообразное напряжение часто получают от отдельного устройства – генератора пилообразного напряжения (гпн).
- •2.4. Системы управления исн на базе интегральных схем (ис)
- •2.4.1. Основные блоки ис для построения систем управления (су)
- •2.4.2. Шим регулятор на ис tl494 Интегральная микросхема управления tl494 двухтактным полумостовым импульсным преобразователем напряжения.
- •3.4. Импульсный стабилизатор напряжения на микросхеме lм2576аdj
- •Основные технические характеристики микросхем этой серии:
- •Частота коммутации, кГц……………………………………...… 52
- •Корпус………………………….……………пластмассовый то220-5
- •3.5. Импульсные стабилизаторы напряжения на ис uс3843
- •3.5.1. Импульсный стабилизатор напряжения с защитой от перегрузки по току и с повышенным кпд [17]
- •Входное напряжение, в……...........…..........................................8…16
- •3.5.2. Повышающий исн
- •3.6. Импульсный стабилизатор напряжения с n-канальным силовым транзистором
- •Модуль 3.
- •Глава 4. Функциональные узлы и схемотехника импульсных преобразователей напряжения ивэп
- •4.1. Структурные схемы импульсных источников питания
- •1.3. Классификация импульсных источников электропитания
- •4.2. Полумостовые преобразователи напряжения
- •4.2.1. Входные цепи
- •4.2.2. Усилители мощности
- •4.2.3.Упрощенная схема полумостового усилителя мощности
- •4.2.4. Согласующий каскад
- •4.3. Выходные цепи
- •4.4. Стабилизация выходного напряжения
- •4.10.2. Способы построения цепи обратной связи в схемах преобразователей напряжения
- •4.10.3. Обратная связь в многоканальных импульсных обратноходовых преобразователях напряжения
- •Защита 4.5. Основные принципы построения различных вариантов схем защитного отключения
- •Защита - вниз 4.6. Схема «медленного пуска»
- •4.7. Электрические схемы двухтактных полумостовых преобразователей напряжения
- •6. Основы пРоектирование импульсных преобразователей напряжения
- •6.1. Методика расчета сетевого ивэп на ис кр1033еу15а (с примером)
- •6.2. Методика расчета ивэп для зарядки аккумуляторных батарей (автомобильных)
- •6.6. Подбор отечественных аналогов импортных трансформаторов в обратноходовом преобразователе
- •6.7. Дроссели для импульсных источников питания на ферритовых кольцах
- •6.8. Проектирование обратноходовых иИп topSwitch-II с помощью программы vds
- •Глава 7. Импульсные источники питания на микроконтроллерах
- •7.2. Импульсный преобразователь напряжения на микроконтроллере фирмы Microchip
- •Основные технические характеристики
- •Номинальное выходное напряжение каналов, в 12 или 5
- •7.3. Автомобилный релейный импульсный источник питания на микроконтроллере фирмы Microchip
- •7.4. Источник питания проблескового фонаря на светодиодах
- •7.5. Зарядное устройство на основе микроконтроллера ht46r47 фирмы Holtek Semiconductor
- •Особенности зарядки аккумуляторов
- •Защита надо связать гл.2 со схемой медленного пуска
- •Глава 2. Схемы простейших устройств защиты и зарядки
- •2.1. Стабилизатор напряжения на микросхеме кр142ен19 с защитой
- •Емкостной – с– фильтр
- •Трехфазная мостовая схема выпрямителя
- •Шестифазная однотактная схема выпрямителя
- •На число, месяц, год
- •6.Наумов н.Н.
- •9. Алексеев г/б
- •III. Сведения по выплатам (в разрезе оказываемых услуг):
- •2.За предыдущие годы долг капо составляет:
- •Расход:
- •Спасибо !!! конец - январь -2013 –год
- •Где эти деньги (684000 руб.) я не знаю
- •Конец гр.05. Наихудший случай:
- •После чего общая сумма оплаты за обучение в 2012 году должна быть равна:
- •А с учетом остатка за 2011 г., равного 460777 (517559 руб.), получим:
- •Уважаемая галина ивановна !
- •Сведения о студентах
10.2. Регулируемые параллельные стабилизаторы напряжения серии к1242ер1
Кремниевые прецизионные источники образцового напряжения (ИОН) К1242ЕР1АП– К1242ЕР1ЕП, К1242ЕР1АТ– К1242ЕР1ВТ изготовляют по эпитаксиально-планарной технологии. Они предназначены для применения в стабилизированных источниках питания и других узлах и блоках электронной аппаратуры широкого применения [17].
Стабилизаторы оформлены в пластмассовом корпусе двух типов: КТ-26 (ТО-92) - К1242ЕР1АП– К1242ЕР1ЕП и 4303Ю.8-А (MS-012АА; SO-8) - К1242ЕР1АТ– К1242ЕР1ВТ (рис.69, а и б). Масса приборов в корпусе КТ-26 – не более 0,3 г, а в корпусе 4303Ю.8-А – не более 0,15 г.
КТ-26 (ТО-92) 4303Ю.8-А (MS-012АА;SO-8)
а б
Рис. 69
Цоколевка приборов в корпусе КТ-26 указана на рис. 69, а у приборов в корпусе 4303Ю.8-А анод соединен с выводами 2, 3, 6 и 7, катод – с выводом 1, а вход управления – с выводом 8 ( выводы 4 и 5 – свободные).
Зарубежный аналог – TL431.
Основные технологические характеристики при Tокр.ср= 25 ºС
Входное образцовое напряжение, В, при токе катода 10 мА и соединенных вместе выводах управления и катода для
К1242ЕР1АП, К1242ЕР1ГП, К1242ЕР1АТ…………..……2,44…2,55
К1242ЕР1БП, К1242ЕР1ДП, К1242ЕР1БТ……………… 2,47…2,52
К1242ЕР1ВП, К1242ЕР1ЕП, К1242ЕР1ВТ………...…… 2,483…2,507
Изменение образцового входного напряжения, мВ, не более, при изменении температуры окружающей среды от -10 до +70 ºС, при токе катода 10 мА и соединенных выводах управления и катода для
К1242ЕР1АП, К1242ЕР1АТ, К1242ЕР1БП, К1242ЕР1БТ…………17
К1242ЕР1ВП, К1242ЕР1ВТ………………………………………… 8
Изменение образцового входного напряжения, мВ, не более, при изменении температуры окружающей среды от -45 до +85 ºС, при токе катода 10 мА и соединенных выводах управления и катода для
К1242ЕР1ГП, К1242ЕР1ДП………………………....…………..…. 30
К1242ЕР1ЕП……………………………………………………… 13
Изменение образцового входного напряжения, отнесенное к изменению напряжения анод-катод, мВ/В, не более, при токе катода 10 мА и напряжении анод-катод в пределах от входного образцового до 10 В……………… 2.7
От 10 В до 36 В……………………………………………………… 2
Входной ( управляющий) ток, мкА, не более, при токе катода 10 мА для
К1242ЕР1АП, К1242ЕР1АТ, К1242ЕР1БП, К1242ЕР1БТ, К1242ЕР1ГП, К1242ЕР1ДП………………………………………………………………. 4
К1242ЕР1ВП, К1242ЕР1ВТ, К1242ЕР1ЕП………………...………. 2
Изменение входного (управляющего) тока, мкА, не более, при изменении температуры окружающей среды от -10 до +70 ºС и токе катода 10 мА для
К1242ЕР1АП, К1242ЕР1АТ, К1242ЕР1БП, К1242ЕР1БТ, К1242ЕР1ВП, К1242ЕР1ВТ......................................................................................................1,2
Изменение входного (управляющего) тока, мкА, не более, при изменении температуры окружающей среды от -45 до +85 ºС и токе катода 10 мА для
К1242ЕР1ГП, К1242ЕР1ДП………………………………….……………………… 2,5
К1242ЕР1ЕП…………………………………………………………. 2
Минимальный ток катода, мА, не более, при входном образцовом напряжении не менее 2,44 В и соединенных выводах управления и катода……………………………………………………………………….. 1
Ток катода в выключенном (закрытом) состоянии, мкА, не более, при напряжении анод-катод 36 В и нулевом образцовом напряжении для
К1242ЕР1АП, К1242ЕР1АТ, К1242ЕР1БП, К1242ЕР1БТ, К1242ЕР1ГП, К1242ЕР1ДП……………………………………………………………… .1
К1242ЕР1ВП, К1242ЕР1ВТ, К1242ЕР1ЕП…………………......... 0,5
Выходное сопротивление, Ом, не более, при токе катода в пределах от 1 до 100 мА, измерительной частоте не более 1 кГц и соединенных выводах управления и катода для
К1242ЕР1АП, К1242ЕР1АТ, К1242ЕР1БП, К1242ЕР1БТ, К1242ЕР1ГП, К1242ЕР1ДП………………………………………………………………0,5
К1242ЕР1ВП, К1242ЕР1ВТ, К1242ЕР1ЕП…………………...…….0,3
Предельно допустимые значения
Наибольшее напряжение анод-катод, В…………………………37
Ток катода*, мА………………………………………………−100…+150
Входной ток**, мА……………………………………………−0,05…+10
Наибольшая рассеиваемая мощность***, Вт, при температуре окружающей среды не более 25 ºС для
К1242ЕР1АП – К1242ЕР1ЕП…………..………………………….0,7
К1242ЕР1АТ – К1242ЕР1ВТ………………………………………0,52
Максимальная температура кристалла, ºС……………………….150
Рабочий интервал температуры окружающей среды, ºС, для
К1242ЕР1АП–К1242ЕР1ВП,К1242ЕР1АТ–К1242ЕР1ВТ……….−10…+70
К1242ЕР1ГП– К1242ЕР1ЕП………………...……………………..............................−45…+85
*При условии не превышения максимальной рассеиваемой мощности, отрицательные значения тока относятся к случаям протекания обратного тока через встроенный защитный диод.
**Наибольшее не повреждающее значение входного тока.
***При температуре окружающей среды более +25 ºС рассеиваемую мощность необходимо снижать линейно в соответствии с формулой
Ррас.max = (Ррас.25·(150-Tокр.ср))/125,
г
рис.
74
Допустимое значение статического потен-циала–500В (4 степеньжесткости по ОСТ 11073.062).
На рис. 70-73 показаны температурные зависимости (Tкр – температура кристалла) входного образцового напряжения Uобр при токе катода Iк = 10 мА, входного тока Iвх, тока катода Iк.вых выключенного стабилизатора при напря-жении анод-катод Uвх = 36 В и выходного сопротивления Rвых соответственно. На рис.74 заштрихована зона девяносто пятипроцентного разброса.
На рис. 71 показана зависимость образцового входного напряжения от тока катода
Рис. 70 Рис.71
Рис.72 Рис.73
