
- •Підготовка до роботи
- •Порядок виконання роботи
- •Підготовка до роботи:
- •Дослідження біполярного транзистора в схемі зі спільною базою
- •Підготовка до роботи
- •Порядок виконання роботи
- •Дослідження біполярного транзистора в схемі зі спільним емітером
- •Підготовка до роботи
- •Порядок виконання роботи
- •Дослідження польового транзистора з управляючим р-n-переходом
- •Підготовка до роботи
- •Порядок виконання роботи:
- •Лабораторна робота №6 Дослідження тиристора у диністорному та триністорному режимах
- •Підготовка до роботи.
- •Порядок виконання роботи.
- •І. Диністорний режим
- •Іі. Триністорний режим
- •1 Спосіб.
- •2 Спосіб.
- •Дослідження діодного оптрона
- •Підготовка до роботи
- •Порядок виконання роботи
Дослідження біполярного транзистора в схемі зі спільним емітером
Мета роботи:
експериментально перевірити теоретичний матеріал про характеристики та параметри біполярного транзистора.
Підготовка до роботи
1. Вивчити теоретичний матеріал про характеристики й параметри БТ.
2. Ознайомитися з запитаннями письмового колоквіуму:
2.1 Схема БТ зі спільною базою: статичні вхідні характеристики та коментар до них.
2.2 Схема БТ зі спільною базою: статичні вихідні характеристики та коментар до них.
2.3. Схема БТ зі спільною базою: статичні характеристики прямої передачі та зворотнього зв’язку, коментар до них.
2.4. Схема БТ зі спільним емітером: статичні вхідні характеристики та коментар до них.
2.5. Схема БТ зі спільним емітером: статичні вихідні характеристики та коментар до них.
2.6. Схема БТ зі спільним емітером: статичні характеристики прямої передачі та зворотнього зв’язку, коментар до них.
Порядок виконання роботи
1. Прочитавши завдання, з’ясувати хід виконання роботи. У даній лабораторній роботі транзистор досліджується в активному режимі. При цьому емітерний перехід (ЕП) включається в прямому напрямку, колекторний перехід (КП) включається в зворотному напрямку.
З довідника визначити розміщення електродів транзистора і тип його провідності (p-n-p, n-p-n), а потім з допомогою тестера перевірити його працездатність згідно методики даної в лаб. роб. №3.
2. Зібрати схему ( рис.4.1. ) для зняття сімейства статичних характеристик біполярного транзистора провідності (p-n-p). Для транзистора провідності (n-p-n) полярність поданих напруг змінюється на протилежну. Значення обмежувальних опорів R1 та R2 задає викладач. Після перевірки зібраної схеми викладачем увімкнути лабораторну установку.
Рис. 4.1.
3. Зняти статичні вхідні характеристики одержаного транзистора у схемі зі спільним емітером.
ІБ= f (Uбе) |Uке = const
З цією метою виставити напругу Uке =0 За допомогою потенціометра правого блоку живлення. Змінюючи напругу Uеб потенціометром лівого блоку живлення у межах від 0 до1В, слідкувати за зміною вхідного струму транзистора ІБ, при цьому кожного разу після чергового виставлення Uеб перед вимірюванням чергового значення ІБ треба підстроювати напругу Uке =0. Після зняття характеристики при Uке =0 аналогічним чином зняти вхідні характеристики при Uке = 1В,2В,3В,4В,5В. З усіх знятих характеристик вибрати для звіту мінімальну кількість – три характеристики, включаючи нульову, які не повинні пересікатись. Якщо напругу вибраної константи Uке досягти не вдається, вимірювання слід припинити і перейти на нижчу константу. Результати досліджень занести до таблиці 4.1
Таблиця 4.1
Uке= 0 |
Uеб, В |
0 |
0,1 |
0,2 |
.............................................. |
0,9 |
ІБ , мА |
|
|
|
|
|
|
Uке= 1В |
Uеб, В |
|
|
|
|
|
ІБ , мА |
|
|
|
|
|
|
………………………………………………………………… |
||||||
Uке=5В |
Uеб, В |
|
|
|
|
|
ІБ , мА |
|
|
|
|
|
4. Зняти статичні вихідні характеристики одержаного транзистора
ІК= f (Uке) | ІБ = const
у схемі зі спільним емітером.
З цією метою виставити потенціометром лівого блоку живлення струм ІЕ = 0. Змінюючи напругу Uке потенціометром правого блоку живлення від 0 до 15 В робити заміри вихідного струму транзистора ІК при цьому підтримуючи постійні значення ІБ. Крім вихідної характеристики при ІБ = 0, зняти криві
ІК= f (Uке) | при ІЕ = 1mА; 2mA; 3mA; 4mA
Результати досліджень занести до таблиці 4.2
Таблиця 4.2
ІБ= 0 mA |
Uке, В |
0 |
1 |
|
15 |
ІК, mА |
|
|
|
|
Продовження таблиці 4.2
ІБ= 1mA |
Uке, В |
|
|
|
15 |
ІК, mА |
|
|
|
|
|
ІБ= 2mA |
Uке, В |
|
|
|
15 |
ІК, mА |
|
|
|
|
|
ІБ= 4mA |
Uке, В |
|
|
|
|
ІК, mА |
|
|
|
|
5. Визначити коефіцієнти підсилення струму та напруги в схемі зі спільним емітером. Ддя цього потрібно виставити напругу Uек=10 В. Потім виставити потенціометром лівого блоку живлення вхідну напругу, наприклад (0,1-0,3 В), провести виміри вихідного струму ІК (mА2), вхідного струму Іб (mА1) і визначити коефіцієнти підсилення
;
Для визначення коефіцієнта підсилення напруги потрібно паралельно опору R2 приєднати цифровий вольтметр. Подавши вхідну напругу UБЕ (наприклад 0,2 В) робити замір вихідної напруги на цифровому вольтметрі і визначити:
;
В схемі зі спільним емітером
6. Накреслити сімейства робочих характеристик транзистора за значеннями з таблиць 4.1. та 3.2. За допомогою одержаних характеристик обчислити h - параметри транзистора у схемі зі спільним емітером – h11Е, h12Е, h21Е, h22Е і порівняти їх із значеннями h – параметрів із довідника.
ЗМІСТ ЗВІТУ
1.Схема дослідження ( рис. 4.1. ).
2.Заповнені таблиці 4.1. та 4.2.
3.Графіки сімейств статичних характеристик транзистора МП 42Б у схемі зі спільним емітером.
4.Розрахунки h – параметрів.
5.Загальні висновки до роботи.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №5