2.2.1. Предельно-допустимые параметры транзистора.

Максимально-допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max. Превышение этого напряжения приведет к пробою транзистора.

Максимально-допустимый ток коллектора Iк max. Превышение этого тока вызовет его перегорание.

Предельно-допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора Pк max доп. Если мощность, выделяемая на коллекторе в виде тепла, превышает мощность рассеивания, то транзистор перегреется и сгорит.

2.2.2. Усилительные параметры транзистора.

Коэффициент передачи тока эмиттера - э.

э= │Uкэ=const (2.22)

Характеризует какая часть эмиттерного тока достигает коллектора, э 0,99…0,995. Так как Iк-Iэ=Iб, то = , Iб<<Iэ.

Коэффициент передачи тока базы - .

, так как , отсюда (2.23)

Коэффициент характеризует во сколько раз ток на выходе коллектора превышает ток в схеме с ОЭ.

Входное сопротивление транзистора в схеме с ОЭ-Rбэ оэ.

│Uкэ=const (2.24)

Выходное сопротивление транзистора в -Ri.

│Iб=const (2.25)

Крутизна вольтамперной характеристики – S.

(2.26)

Малосигнальные параметры транзистора и схема замещения.

При расчете транзисторных усилителей, работающих в режиме усиления малых сигналов, использовать характеристики транзистора затруднительно. Для расчета эквивалентные схемы замещения транзисторов линейными четырехполюсниками. Для биполярных транзисторов наиболее удобна система h-параметров. Эти параметры могут быть определены с высокой точностью для реальных элементов экспериментально. Рассмотрим транзистор как четырехполюсник (рис.2.21).

Рис.2.21.

Можно составить систему уравнений для такого четырехполюсника:

(2.27)

В соответствии с уравнениями можно составить эквивалентную схему замещения транзистора в режиме усиления малого сигнала (рис.2.22).

Рис.2.22.Эквивалентная схема замещения транзистора в режиме усиления малого сигнала.

2.2.3. Частотные свойства транзистора.

С увеличением частоты входного сигнала усилительные свойства транзистора ухудшаются. Это происходит, в основном, по двум причинам.

Первая причина заключается в инерционности носителей заряда и, следовательно, необходимости определенного времени (периода сигнала) на их дрейф в области базы от эмиттера к базе. Изменение полярности управляющего сигнала тормозит их движение к коллектору, увеличивает их концентрацию в базе и в результате приводит к возрастанию тока базы Iб за счет уменьшения тока коллектора Iк.

Второй причиной ухудшения усилительных свойств транзистора с ростом частоты сигнала является емкость коллекторного перехода Скэ Сбар, которая шунтирует выходную цепь.

График зависимости коэффициента передачи тока эмиттера в схеме с ОБ от частоты входного сигнала приведен на рис.2.23.

Рис.2.23. График зависимости коэффициента передачи тока эмиттера в схеме с ОБ от частоты входного сигнала.

Очевидно, что соответственно уменьшается и коэффициент

(обозначено пунктиром на рис.2.23). Частота, на которой коэффициент уменьшается в раз, называется граничной частотой - f . Иногда используют параметр f - частоту, на которой уменьшается в раз.