10. Озу статического типа.

Статическая память (Static Random Access Memory, SRAM) способна хранить информацию в статическом режиме — то есть сколь угодно долго при отсутствии обращений (но при наличии питающего на­пряжения). Ячейки статической памяти реализуются на триггерах — элементах с двумя устойчивыми состояниями. По сравнению с динамической памятью эти ячейки более сложные и занимают больше места на кристалле, однако они проще в управлении и не требуют регенерации. Быстродействие и энергопо­требление статической памяти определяется технологией изготовления и схе­мотехникой запоминающих ячеек. Самая экономичная КМОП-память (CMOS memory) имеет значительное время доступа (более 100 нс), но зато пригодна для длительного хранения информации при питании от маломощной батареи и применяется в PC. Самая быстродействующая статическая память имеет вре­мя доступа в несколько наносекунд, что позволяет ей работать на частоте сис­темной шины процессора, не требуя от него тактов ожидания.Относительно высокая удельная стои­мость хранения информации и энергопотребление при низкой плотности упа­ковки не позволяют использовать SRAM в качестве основной памяти компью­теров. В PC микросхемы SRAM в основном применяются для построения вторичного кэша; они могут располагаться как на системной плате, так и на картридже процессора. 

Разновидности статической памяти

Асинхронная статическая память (Asynchronous SRAM, Async SRAM), она же обычная, или стандартная, подразумевается под термином SRAM по умолча­нию, когда тип памяти не указан. Микросхемы этого типа имеют простейший асинхронный интерфейс, включаю­щий шину адреса, шину данных и сигналы управления CS#, 0E# и WE#.

Синхронная пакетная статическая память (Sync Burst SRAM) оптимизирова­на под выполнение пакетных (burst) операций обмена, свойственных кэш-па­мяти. В дополне­ние к сигналам, характерным для асинхронной памяти, синхронная память использует сигнал CLC (Clock) для синхронизации с системной шиной и сигналы управления пакетным циклом ADSP#, CADS# и ADV#.

Конвейерно-пакетная статическая память (Pipelined Burst SRAM, PB SRAM) — усовершенствование синхронной памяти. Конвей­ером является дополнительный внутренний регистр данных, который, требуя дополнительного такта в первой пересылке цикла, позволяет остальные данные получать без тактов ожидания даже на частотах выше 75 МГц. Развитием этой памяти стала статическая память DDR SRAM, работающая на частотах 275-375 МГц, а также DDRII SRAM. Эта память может работать как в режиме SDR (однократная синхронизация), так и в режиме DDR.

Применение статической памяти для кэширования ОЗУ

Микросхемы SRAM, применяемые во вторичном кэше, своими адресными вхо­дами и двунаправленными линиями данных подключаются непосредственно к системной шине (host bus) — то есть к выводам процессора. Поскольку совре­менные процессоры имеют различные номиналы питающего напряжения, возникает необходимость согласования уровней их сиг­налов с уровнями сигналов SRAM.

11. Dram (асинхронная).

Стандартная, асинхронная DRAM (Динамическое ОЗУ) работает без управления ввода таймером, который не требовался для передачи данных вплоть до второго десятилетия развития микропроцессоров. Начиная с этого момента, в системах с более быстрыми процессорами, которые используют стандартную DRAM необходимо принудительно устанавливать состояния ожидания (временные задержки), чтобы избежать переполнения памяти. Состояние ожидания - это когда микропроцессор приостанавливает исполнение всего, что он делает, пока другие компоненты не перейдут в режим приема команд. По этой причине, новые технологии памяти внедряются не только с целью увеличения скорости обмена, но также и с целью сокращения цикла поиска и выборки данных. Перед лицом возникших требований, изготовителями микросхем памяти были представлены серии новшеств, включающие память страничного режима, статического столбца, чередующиюся память, и FPM DRAM (быстространичного режима). Когда скорости процессоров возросли до частот 100MHz и выше, разработчики систем предложили для использования небольшой высокоскоростной внешний кэш SRAM (кэш второго уровня), а также новую быстродействующую память тиа EDO (расширенный доступ к данным) и BEDO (пакетно-расширенный доступ). FPM DRAM И EDO DRAM наиболее часто применяемая памяти в современных PC, но их асинхронная электрическая схема не предназначена для скоростей более 66MHz (максимум для BEDO). К несчастью, это фактор ограничивает сегодняшние системы, на основе процессоров типа Pentium с тактовой частотой более 133MHz, частотой по шине памяти величиной в 66MHz.