
- •Кристалографiя, кристалохiмiя та мiнералогiя
- •Основні визначення кристалографічних термінів
- •Частина і Кристалографія Розділ 1 Кристалографія і її зв'язок з іншими науками
- •1.1 Етапи розвитку
- •1.2 Кристали
- •1.3 Елементи внутрішньої будови кристалічних мінералів
- •1.4 Елементи структури кристалів та їх взаємозв'язок з елементами просторових ґраток
- •1.5 Властивості кристалічних речовин
- •1.6 Аморфні тіла
- •1.7 Закон сталості кутів кристалів
- •1.8 Гоніометри
- •1.9 Формула Вульфа-Брегга
- •Розділ 2 Метод кристалографічного індицирування. Закон цілих чисел
- •2.1 Символи вузлів
- •2.2 Символи рядів (ребер)
- •2.3 Символи площин (граней)
- •2.4 Параметри Вейса й індекси Міллера
- •2.5 Закон цілих чисел
- •2.6 Визначення ретикулярних щільностей атомних площин кристала
- •Розділ 3 Кристалографічні проекції
- •3.1 Сферична проекція
- •3.2 Стереографічна проекція
- •3.3 Гномостереографічна проекція
- •3.4 Гномонічна проекція
- •3.5 Сітка Вульфа
- •Розділ 4 Симетрія кристалів
- •4.1 Загальні поняття про симетрію кристалів
- •4.2 Центр інверсії (c)
- •4.3 Площина симетрії (l)
- •4 .4 Поворотні осі симетрії (l)
- •4.5 Інверсійні осі симетрії (Li)
- •4.6 Принцип Кюрі
- •4.7 Одиничні напрямки (він)
- •4.8 Сингонії кристалів
- •4.9 Решітки Браве
- •4.10 Зворотні гратки
- •4.11 Антисиметрія
- •Частина іі Кристалохімія Розділ 1 Кристалохімія. Типи зв'язків у кристалах
- •1.1 Іонні (атомні) радіуси
- •1.2 Межі стійкості структури
- •1.3 Щільні упакування частинок у структурах
- •1.4 Координаційні числа й координаційні
- •1.5 Визначення стехіометричної формули речовини
- •1.6 Поляризація
- •Частина ііі Мінералогія Розділ 1 Основні поняття та історія мінералогії
- •Фізичні властивості мінералів. Форма
- •1.2 Механічні властивості мінералів
- •1.3 Теплові властивості мінералів
- •1.4 Електричні властивості мінералів
- •1.5 Магнітні властивості мінералів
- •Розділ 2 Генезис мінералів
- •Розділ 3 Хімічний склад і розрахунок формул мінералів
- •Розділ 4 Класифікація мінералів
- •4.1 Хімічний склад мінералів
- •4.2 Класифікація кристалів
- •4.3 Самородні елементи
- •4.4 Штучні мінерали
- •Розділ 5 Основи петрографії
- •Розділ 6 Магматичні гірські породи
- •6.1 Походження, класифікація, форма залягання
- •6.2 Хімічний і мінеральний склад
- •Розділ 7 Методи діагностики й дослідження мінеральних тіл
- •Частина IV Дефекти кристалічних структур
- •1.1 Фізичні передумови утворення дефектів
- •1.2 Визначення точкових дефектів
- •1.3 Визначення одновимірних дефектів
- •1.4 Енергія дислокацій
- •Гвинтового і змішаного типу
- •Розрахункові формули геометричної кристалографії
- •Додаток б
- •Розрахункові формули структурної кристалографії
- •Тема 1 Основні властивості кристалічних та аморфних мінералів
- •Тема 2 Симетрія і класифікація кристалічних багатогранників
- •Тема 3 Прості форми і комбінації кристалів
- •Тема 4 Проекції кристалів та методика їх побудови
- •Тема 5 Розв’язання кристалографічних задач
- •Тема 6 Основні фізичні властивості кристалів і мінералів Запитання для самоконтролю
- •Методика розв’язання типових кристалографічних задач з допомогою стереографічної сітки г.В. Вульфа
- •Список літератури
- •Кристалографія, кристалохімія, мінералогія
4.9 Решітки Браве
Решіткою Браве називається група трансляцій, які характеризують положення матеріальних частинок в просторі.
Решітки Браве обираються таким чином, щоб:
1) симетрія їх залишалася такою самою, як і симетрія всієї решітки; 2) число прямих кутів і рівних ребер було б максимальним, а 3) об’єм решітки мінімальним.
Внаслідок таких умов вибору решітки Браве можуть бути примітивними, базоцентрованими, об’ємноцентро-ваними та гранецентрованими.
У примітивній решітці матеріальні частинки знаходяться лише в її вузлах (біля вершин елементарних паралелепіпедів).
Примітивні комірки Браве – це ті основні комірки, за якими були охарактеризовані сингонії кристала. Розподіл решіток Браве за сингоніями і характеристика їхніх параметрів подані в таблиці 4.3.
При визначених співвідношеннях між a, b, c, α, β, γ вигідно користуватися не примітивними, а складними решітками, оскільки вони краще відображають симетрію структури.
У непримітивних решітках частинки розміщуються як у вузлах решітки або ж в центрі двох протилежних граней (базоцентрована), або в центрі решітки (об’ємноцентрована), або в центрі кожної грані (гранецентрована).
У гексагональній сингонії за примітивну елементарну комірку беруть призму з ребром, паралельним осі 6, і основою в формі ромба (а =b ≠с, α=β=90°, γ=120°). Комірка визначається двома параметрами a і c, але не відповідає симетрії всієї решітки. Тому користуються гексагональною призмою, яка складена із трьох примітивних комірок. Ця комірка уже не примітивна, а базоцентрована.
Для тетрагональної сингонії примітивної елементарної комірки, яка задовольняє умови вибору решіток Браве, є ромбоедр, у якого а =b =с, α = β = γ ≠ 90° (таблиця 4.3)
Отже, будь-яка із 14 комірок Браве являє собою сукупність всіх еквівалентних вузлів кристалічної решітки, які можна поєднати один з одним шляхом трансляції. Комірки Браве вичерпують всі можливі варіанти простих решіток, які складаються із атомів одного сорту, які можуть бути побудовані на основі семи сингоній кристалів.
Складні комірки, які утворені різноманітними (структурно нетотожними) атомами, складаються з декількох (за числом різноманітних атомів) взаємопроникаючих простих решіток Браве.
Таблиця 4.3 – 14 комірок Браве
Системи і приклади |
Тип решітки |
|||
примітив-на
|
базо- цент-рована |
об’ємно-центрова-на |
гранецен-трована
|
|
Триклинна а ≠b ≠с α≠β ≠ γ ≠ 90° |
|
|
|
|
Моноклинна а ≠b ≠с α=γ =90°≠β |
|
|
|
|
Ромбічна а ≠b ≠с α=β = γ = 90° |
|
|
|
|
Тригональна а =b =с α=β = γ ≠ 90° |
|
|
|
|
Тетрагональ-на а =b ≠с α=β = γ = 90° Snβ, TiO2 |
|
|
|
|
Гексагональ-на а =b ≠с α=β = 90°, γ =120° |
|
|
|
|
Кубічна а =b =с α=β = γ = 90° |
|
|
|
|