- •Вопрос 5. Переменные резисторы, конструктивные особенности и основные параметры и характеристики. 6
- •Вопрос 6. Конденсаторы, разновидности конденсаторов, обозначение, маркировка и допускаемые нормализованные отклонения. 7
- •1 Вопрос. Классификация резисторов, маркировка, обозначение, допускаемые нормализованные отклонения.
- •2 Вопрос. Основные параметры и характеристики резисторов.
- •3 Вопрос. Терморезисторы, основные параметры и характеристики.
- •4 Вопрос. Варисторы и позисторы, принцип работы, основные параметры и характеристики.
- •Вопрос 5. Переменные резисторы, конструктивные особенности и основные параметры и характеристики.
- •Вопрос 6. Конденсаторы, разновидности конденсаторов, обозначение, маркировка и допускаемые нормализованные отклонения.
- •7 Вопрос. Основные параметры постоянных конденсаторов.
- •8 Вопрос. Переменные и подстроечные конденсаторы, конструктивные особенности.
- •9 Вопрос. Катушки индуктивности, особенности конструкции и способы изготовления.
- •10 Вопрос. Основные параметры и характеристики катушек индуктивности.
- •11. Особенности работы трансформаторов и их классификация.
- •12. Магнитопроводы трансформаторов и их конструктивные особенности.
- •13. Электропроводность полупроводников, основные положения теории электропроводности.
- •14. Полупроводниковые диоды, особенности работы и обозначения.
- •15. Выпрямительные и универсальные диоды, конструктивные особенности, параметры и характеристики.
- •16. Импульсные диоды, особенности работы, параметры и характеристики.
- •17. Принцип работы стабилитронов, основные параметры и характеристики и схема включения.
- •18. Варикапы, схема включения, принцип работы и основные параметры и характеристики, область использования.
- •19. Туннельные и обращаемые диоды основные параметры и характеристики.
- •20. Конструктивные особенности свч диодов, классификация и область использования.
- •21.Биполярные транзисторы, физические процессы и их обозначение.
- •22.Активный режим работы бт с об, входные и выходные характеристики и параметры.
- •23 Активный режим работы бт с оэ, входные и выходные характеристики и параметры.
- •24. Схема включения биполярного транзистора в режиме усиления тока (эмиттерный повторитель). Особенности работы.
- •25. Принцип работы биполярного транзистора с общей базой при подаче синусоидального напряжения.
- •26. Принцип работы биполярного транзистора с общим эмиттером при подаче синусоидального напряжения.
- •27.Динамический режим работы биполярного транзистора.
- •28.Работа биполярного транзистора с вч сигналами
- •29. Особенности конструкции и структуры свч-транзисторов
- •30.Классификация полевых транзисторов, отличительные особенности их работы.
- •]Транзисторы с управляющим p-n переходом
- •Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •31)Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом, устройство и принцип действия.
- •32)Статические параметры и характеристики полевых транзисторов управляющим р-п переходом.
- •33)Особенности работы мпд транзисторов со встроенным каналом.
- •34)Статические характеристики и параметры мдп транзисторов со встроенным каналом.
- •35)Мдп транзисторы с индуцированным каналом, физические процессы, принцип работы.
- •36)Работа полевых транзисторов при малых синусоидальных сигналах.
- •40)Динамический режим работы полевых транзисторов.
- •41. Особенности работы полевых транзисторов в свч диапазоне.
- •43. Тринисторы, принцип работы, основные параметры и характеристики.
- •45. Излучающие полупроводниковые приборы, параметры и характеристики.
- •46. Основные сведения об электровакуумных приборах и физические основы их работы.
- •47. Двухэлектродные лампы, физические процессы.
- •48. Статические характеристики и параметры двухэлектродных ламп.
- •49. Электровакуумный диод в режиме нагрузки
- •50. Трехэлектродные лампы, физические процессы, основные параметры
- •51. Статические характеристики трехэлектродных ламп Работа трехэлектродной лампы с нагрузкой в анодной цепы.
- •53) 53. Работа трехэлектродных ламп в свч диапазоне.
- •54) Тетроды,особенности работы,статические параметры и характеристики.
- •55) Пентоды, статические параметры и характеристики.
- •56. Работа пентода в динамическом режиме с нагрузкой в анодной цепи
- •57. Электровакуумные фотоэлектронные приборы
- •58. Элекктронно-лучевые трубки, классификация, принцип работы.
- •59. Операционные усилители, функциональная схема, особенности работы.
- •60. Параметры и характеристики операционных усилителей.
48. Статические характеристики и параметры двухэлектродных ламп.
Параметры диодов (двухэлектродных ламп) характеризуют их свойства и возможности применения. Некоторые из них - это напряжение накала Uн, ток накала Iн и ток эмиссии катода 1е.Рассмотрим остальные параметры:
Крутизна (S) показывает, как изменяется анодный ток при изменении анодного напряжения на 1 В. Если изменение анодного напряжения Δua вызывает изменение анодного тока Δia, то крутизна
S = Δia / Δua.
Крутизну выражают в миллиамперах на вольт или амперах на вольт. Если крутизна равна 4 мА/В, это означает, что изменение анодного напряжения на 1 В вызывает изменение анодного тока на 4 мА. По существу, крутизна представляет собой проводимость пространства между анодом и катодом для переменной составляющей анодного тока.
Для определения крутизны из характеристики диода (рис. 1)берут приращение анодного напряжения Δua на заданном участке АБ и соответствующее ему приращение анодного тока Δia(метод двух точек). Крутизна пропорциональна тангенсу угла наклона α касательной в точке Т относительно оси ua:
SАБ = k tg α, (16.6)
где k — коэффициент, выражающийся в единицах проводимости и учитывающий масштаб тока и напряжения.
При переходе на нижний участок характеристики крутизна уменьшается и приближается к нулю. Современные диоды имеют крутизну в пределах 1 — 50 мА/В. В маломощных диодах она не превышает единиц миллиампер на вольт.
Внутреннее дифференциальное сопротивление (Ri) диода представляет собой сопротивление пространства между анодом и катодом для переменного тока. Оно является величиной, обратной крутизне:
Ri = Δua / Δia = 1/S
и обычно составляет сотни, а иногда десятки Ом.
Меньшее значение Ri у более мощных ламп. При переходе на нижний участок характеристики значение R возрастает, стремясь к бесконечности в начальной точке характеристики.
Не следует смешивать сопротивление Ri с внутренним сопротивлением диода для постоянного тока Ro:
Ro = ua / ia
Обычно сопротивление Ro несколько больше Ri. Из закона степени трех вторых следует, что Ro =3/2 Ri но практическое соотношение может быть иным. Значение Ri тем меньше, чем меньше расстояние анод — катод и чем больше действующая площадь анода.
Анодная характеристика(статическая характеристика) диода выражает зависимость анодного тока от анодного напряжения при постоянном напряжении накала. Действительная характеристика (рис. 16.5) отличается от характеристики по закону степени трех вторых, которая изображена штрихами на рисунке. Это различие объясняется тем, что закон степени трех вторых является приближенным, так как при его выводе сделан ряд упрощающих предположений. Начальным током I0 часто пренебрегают и изображают характеристику выходящей из нулевой точки.
Рис. 1 Определение крутизны диода методом двух точек
С увеличением напряжения накала точка А сдвигается влево, так как начальная скорость электронов увеличивается. Средний участок (БВ) характеристики приближенно считают линейным. Участок ВГ соответствует плавному переходу от режима объемного заряда к режиму насыщения. В области насыщения (участок ГД) при повышении анодного напряжения анодный ток растет.
