
- •Вопрос 5. Переменные резисторы, конструктивные особенности и основные параметры и характеристики. 6
- •Вопрос 6. Конденсаторы, разновидности конденсаторов, обозначение, маркировка и допускаемые нормализованные отклонения. 7
- •1 Вопрос. Классификация резисторов, маркировка, обозначение, допускаемые нормализованные отклонения.
- •2 Вопрос. Основные параметры и характеристики резисторов.
- •3 Вопрос. Терморезисторы, основные параметры и характеристики.
- •4 Вопрос. Варисторы и позисторы, принцип работы, основные параметры и характеристики.
- •Вопрос 5. Переменные резисторы, конструктивные особенности и основные параметры и характеристики.
- •Вопрос 6. Конденсаторы, разновидности конденсаторов, обозначение, маркировка и допускаемые нормализованные отклонения.
- •7 Вопрос. Основные параметры постоянных конденсаторов.
- •8 Вопрос. Переменные и подстроечные конденсаторы, конструктивные особенности.
- •9 Вопрос. Катушки индуктивности, особенности конструкции и способы изготовления.
- •10 Вопрос. Основные параметры и характеристики катушек индуктивности.
- •11. Особенности работы трансформаторов и их классификация.
- •12. Магнитопроводы трансформаторов и их конструктивные особенности.
- •13. Электропроводность полупроводников, основные положения теории электропроводности.
- •14. Полупроводниковые диоды, особенности работы и обозначения.
- •15. Выпрямительные и универсальные диоды, конструктивные особенности, параметры и характеристики.
- •16. Импульсные диоды, особенности работы, параметры и характеристики.
- •17. Принцип работы стабилитронов, основные параметры и характеристики и схема включения.
- •18. Варикапы, схема включения, принцип работы и основные параметры и характеристики, область использования.
- •19. Туннельные и обращаемые диоды основные параметры и характеристики.
- •20. Конструктивные особенности свч диодов, классификация и область использования.
- •21.Биполярные транзисторы, физические процессы и их обозначение.
- •22.Активный режим работы бт с об, входные и выходные характеристики и параметры.
- •23 Активный режим работы бт с оэ, входные и выходные характеристики и параметры.
- •24. Схема включения биполярного транзистора в режиме усиления тока (эмиттерный повторитель). Особенности работы.
- •25. Принцип работы биполярного транзистора с общей базой при подаче синусоидального напряжения.
- •26. Принцип работы биполярного транзистора с общим эмиттером при подаче синусоидального напряжения.
- •27.Динамический режим работы биполярного транзистора.
- •28.Работа биполярного транзистора с вч сигналами
- •29. Особенности конструкции и структуры свч-транзисторов
- •30.Классификация полевых транзисторов, отличительные особенности их работы.
- •]Транзисторы с управляющим p-n переходом
- •Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •31)Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом, устройство и принцип действия.
- •32)Статические параметры и характеристики полевых транзисторов управляющим р-п переходом.
- •33)Особенности работы мпд транзисторов со встроенным каналом.
- •34)Статические характеристики и параметры мдп транзисторов со встроенным каналом.
- •35)Мдп транзисторы с индуцированным каналом, физические процессы, принцип работы.
- •36)Работа полевых транзисторов при малых синусоидальных сигналах.
- •40)Динамический режим работы полевых транзисторов.
- •41. Особенности работы полевых транзисторов в свч диапазоне.
- •43. Тринисторы, принцип работы, основные параметры и характеристики.
- •45. Излучающие полупроводниковые приборы, параметры и характеристики.
- •46. Основные сведения об электровакуумных приборах и физические основы их работы.
- •47. Двухэлектродные лампы, физические процессы.
- •48. Статические характеристики и параметры двухэлектродных ламп.
- •49. Электровакуумный диод в режиме нагрузки
- •50. Трехэлектродные лампы, физические процессы, основные параметры
- •51. Статические характеристики трехэлектродных ламп Работа трехэлектродной лампы с нагрузкой в анодной цепы.
- •53) 53. Работа трехэлектродных ламп в свч диапазоне.
- •54) Тетроды,особенности работы,статические параметры и характеристики.
- •55) Пентоды, статические параметры и характеристики.
- •56. Работа пентода в динамическом режиме с нагрузкой в анодной цепи
- •57. Электровакуумные фотоэлектронные приборы
- •58. Элекктронно-лучевые трубки, классификация, принцип работы.
- •59. Операционные усилители, функциональная схема, особенности работы.
- •60. Параметры и характеристики операционных усилителей.
31)Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом, устройство и принцип действия.
Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом – это полевой транзистор, управление потоком основных носителей в котором происходит с помощью выпрямляющего электрического перехода, смещенного в обратном направлении.
Принцип действия такого полевого транзистора рассмотрим на примере рис. 4.2. Он представляет собой монокристалл полупроводника n-типа проводимости; по его торцам методом напыления сформированы электроды, а посередине, с двух сторон, созданы две области противоположного типа проводимости и тоже с электрическими выводами от этих областей. Тогда на границе раздела областей с различным типом проводимости возникнет р-n-переход. электрические выводы от торцевых поверхностей полупроводника называют истоком (И) и стоком (С), а вывод от боковой поверхности противоположного типа проводимости назовем затвором (З).
Рис.
4.2. Упрощенная структура полевого
транзистора с управляющим p-n-переходом
Подключим
внешние источники
и
так,
чтобы источник
–
источник входного сигнала смещал р-n-переход
в обратном направлении, а в цепь
источника
введем
сопротивление нагрузки
.
Под действием напряжения этого источника
между торцевыми поверхностями
полупроводника потечет ток основных
носителей заряда. Образуется так
называемый токопроводящий
канал.
Площадь поперечного сечения этого
канала, а, следовательно, и его сопротивление
зависит от ширины p-n-перехода.
Изменяя величину напряжения источника
,
меняем обратное напряжение на p-n-переходе,
а, значит, и его ширину. При увеличении
этого напряжения ширина p-n-перехода
возрастает, а поперечное сечение канала
между истоком и стоком уменьшается.
Можно подобрать такую величину напряжения
на затворе, при котором p-n-переход
полностью перекроет канал, и ток в цепи
нагрузки прекратится. Это напряжение
называют напряжением
отсечки.
Таким образом, в цепи мощного
источника
протекает
ток стока
,
величина которого зависит от величины
управляющего сигнала – напряжения
источника
и
повторяет все изменения этого сигнала.
Падение напряжения на сопротивлении
нагрузки при протекании тока
является
выходным сигналом, мощность которого
значительно больше мощности, затраченной
во входной цепи. Принципиальным отличием
полевого транзистора от биполярного
является то, что источник входного
сигнала подключен к p-n-переходу
в обратном, запирающем направлении и,
следовательно, входное сопротивление
здесь очень большое, а потребляемый от
источника входного сигнала ток очень
маленький. В биполярном транзисторе
управление осуществляется входным
током, а в полевом транзисторе – входным
напряжением. Следует отметить, что
поскольку потенциал от истока к стоку
возрастает, то соответственно возрастает
и обратное напряжение на p-n-переходе,
а, следовательно, и его ширина. Так же,
как и биполярные транзисторы, полевые
транзисторы могут быть разных типов: в
рассматриваемом случае – полевой
транзистор с каналом n-типа
проводимости и на принципиальных схемах
он обозначается символом, представленным
на рис. 4.3, а.
Рис.
4.3. Условные обозначения полевого
транзистора, имеющего канал n-типа (а)
и p-типа (б)
Если канал имеет проводимость р-типа, то его обозначение такое же, но стрелка затвора направлена в противоположную сторону (рис. 4.3, б).
Если полевой транзистор усиливает сигнал переменного тока, то в цепь затвора необходимо вводить смещение в виде источника ЭДС достаточной величины, чтобы суммарное напряжение на p-n-переходе не изменяло свой знак на положительный, так как p-n-переход в таком полевом транзисторе должен быть всегда смещен в обратном направлении. Тогда электрическое поле p-n-перехода, поперечное по отношению к каналу, будет изменятся в точном соответствии с изменением входного сигнала, расширяя и сужая канал. В цепи стока появляется переменная составляющая тока, которая и будет представлять собой усиленный входной сигнал.
Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через токопроводящий канал, и управляемым электрическим полем.
Полевой транзистор в отличие от биполярного иногда называют униполярным, т. к. его работа основана только на основных носителях заряда либо электронов, либо дырок. Вследствие этого в полевом транзисторе отсутствуют процессы накопления и рассасывания объемного заряда неосновных носителей, оказывающих заметное влияние на быстродействие биполярного транзистора.
Основным процессом переноса носителей заряда, образующим ток полевого транзистора, является дрейф в электрическом поле. Проводящий слой, в котором создается рабочий ток полевого транзистора, называется токопроводящим каналом.