12.Биполярный усилитель (упт)

. Эта зависимость или свойство транзистора изменять ток коллектора при изменении тока базы используется в усилителях электрических колебаний, где изменяющийся ток коллектора преобразуется в изменяющееся выходное напряжение. Для этого схему включения транзистора (с общим эмиттером) дополняют нагрузочным элементом (напр. резистором), который включают чаще всего между коллектором и источником питания (Rк). Выходную и входную цепи питают от одного источника постоянного напряжения (Ек), используя делитель (R₁, R₂) для создания небольшого постоянного напряжения смещения базы. Источник усиливаемого сигнала (Uвх) включают в цепь базы.

Cр1, Ср2 – разделительные конденсаторы, исключающие связи по постоянному току. Напряжение смещения базы U_бо (рабочую точку транзистора) подбирают таким образом, чтобы U_бо + Uвх приходилось на начало линейного участка входной характеристики транзистора:Коэффициент усиления напряжения такой схемы:

К_u = = = β

пропорционален Rк (без учёта сопротивления нагрузки). Rбэ – дифференциальное входное сопротивление транзистора (сопротивление базы)

10. Тиристоры

Первые промышленные образцы тиристоров появились в конце пятидесятых годов. В настоящее время эти приборы получили широкое распространение. Преимущества тиристоров следующие: малые масса и габариты, большой срок службы, высокий КПД, малая чувствительность к вибрации и механическим перегрузкам, способность работать при низких (прямых) и высоких (обратных) напряжениях, а также при очень больших токах, достигающих сотен ампер.

Основное тиристора, обеспечивающее ему самые разнообразные применения в автоматике, электронике, энергетике,-это способность находиться в двух устойчивых состояниях: закрытом и открытом. В закрытом состоянии сопротивление тиристора составляет десятки миллионов Ом, и он практически не пропускает ток при напряжениях до тысячи вольт; в открытом - сопротивление тиристора незначительно. Падение напряжения на нем около 1 В при токах в десятки и сотни ампер. Переход тиристора из одного состояния в другое происходит за очень короткое время, практически скачком.

С труктура тиристора содержит четыре (р-п-р-п) или пять (р-n-р-п-р) слоев. В последнем случае тиристор называют симметричным.

Четырехслойная структура тиристора изображена на рис.(1). Тиристор содержит три р-п-перехода: П₁, П_2, П₃. Чтобы повысить эффективность управляющего сигнала и_с, слой, к которому подключен управляющий электрод, делают тоньше остальных.

Ф изические процессы в четырехслойной структуре и тем более их математическое описание достаточно сложны, поэтому ограничимся лишь общими сильно упрощеными представлениями

Четырехслойную структуру тиристора можно представить в виде двух соответствующим образом соединенных транзисторов р-n-р- и n-р-n- типов рис.(2).

14<тиристор регулятор мощности>

Это устройство вырабатывает прямоугольные импульсы, длительность которых меняется в зависимости от напряжения базы МП 26. в течении каждой полуволны выпрямленного напряжения тиристор вкл. На большее или меньшее время , благодаря чему и достигается плавная регулировка мощности. Конденсатор обеспечивает не только задержку отпирающего импульса транзистора МП 26 но и что очень важно мощность этого импульса. Стабилитрон обеспечивает защиту транзистора МП 26 от перенапряжения. В сочетанием «базовым» резистором они выполняют роль ограничителя управляющего напряжения.